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第一章 电子的微观特性及其运动规律 1

1-1原子的结构 1

1-2电子运动的轨道理论 4

1-3原子的壳层结构 15

1-4波粒二象性 18

1-5定态薛定谔方程 29

本章小结 33

复习思考题 34

第二章 晶体的结构与能带 36

2-1晶体的结合和结构 36

2-2锗、硅、砷化镓的晶体结构 48

2-3半导体晶体中的缺陷 51

2-4电子的共有化运动和能带 58

2-5晶体中电子的运动 有效质量 63

本章小结 68

复习思考题 69

第三章 掺杂半导体 70

3-1本征半导体的特性 70

3-2半导体掺杂 76

3-3n型半导体和p型半导体 79

3-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度 83

3-5掺杂半导体的本征情况 85

3-6深能级杂质和缺陷能级 87

本章小结 89

复习思考题 90

第四章 半导体中载流子的统计分布 91

4-1统计的规律性 91

4-2导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式 101

4-3本征情况下的费米能级和载流子浓度 106

4-4杂质半导体的费米能级和载流子浓度 108

4-5简并半导体费米能级的位置和载流子浓度 113

4-6费米能级的物理意义 118

本章小结 120

复习思考题 121

第五章 半导体中载流子的迁移现象 123

5-1金属自由电子论 123

5-2半导体中载流子的运动方式 127

5-3半导体的电导率和散射 129

5-4电子和空穴的迁移率 134

5-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系 137

5-6半导体的霍耳效应 139

本章小结 142

复习思考题 143

第六章 非平衡载流子 145

6-1非平衡载流子及其产生 145

6-2非平衡载流子的复合与寿命 146

6-3准平衡态与准费米能级 156

6-4非平衡载流子的运动 158

本章小结 166

复习思考题 167

第七章 p-n结 168

7-1 p-n结的形成及杂质分布 168

7-2平衡p-n结 171

7-3 p-n结的伏安特性 175

7-4 p-n结的电容效应 184

7-5 p-n结的击穿特性 189

本章小结 196

复习思考题 197

第八章 金属与半导体接触 200

8-1金属-半导体接触 200

8-2金属-半导体接触的整流特性 202

8-3欧姆接触 206

本章小结 208

复习思考题 208

第九章 半导体表面 209

9-1表面空间电荷区 209

9-2理想MIS电容器的C-V特性 212

9-3硅-二氧化硅系统的性质 219

9-4实际MIS电容器的C-V特性及应用 223

9-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管 229

9-6表面电导率及迁移率 230

本章小结 231

复习思考题 232

第十章 半导体的光磁热电性质 233

10-1半导体的光学性质 233

10-2半导体的热电性质 241

10-3半导体磁电效应 244

本章小结 250

复习思考题 250

附录 252

一、常用的物理常数 252

二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质 252