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粒子同固体相互作用物理学 下pdf电子书版本下载

粒子同固体相互作用物理学  下
  • 王广厚著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:7030012100
  • 出版时间:1991
  • 标注页数:1170页
  • 文件大小:19MB
  • 文件页数:559页
  • 主题词:核物理 固体

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图书目录

一 轴沟道 149

目录上册第一章 引言第二章 带电粒子在原子为无序分布物质中的运动第三章 离子束分析固态材料的组分和结构第四章 溅射物理第五章 带电粒子在晶体中的沟道效应第六章 沟道效应和阻塞效应的应用下册第七章 离子注入及其应用 621

§7.1 注入离子的射程和射程分布理论 624

一 射程概念和射程的均方偏差 625

二 射程分布的统计理论 630

三 投影射程 641

四 低速重离子在固体中的射程 648

五 注入离子在非晶靶的浓度分布 654

六 单晶靶中的射程分布 678

§7.2 辐射增强扩散效应 689

一 增强扩散的基本概念 689

二 增强扩散的类型 694

三 增强扩散机理 698

四 多元扩散模型 705

五 增强扩散效应的应用 713

§7.3 注入离子在晶格中的位置 719

一 半导体中注入离子的位置 720

二 缺陷的移动和定位 725

§7.4 离子注入层的电学性质 727

一 离子注入机的概念和类型 735

§7.5 离子注入系统 735

二 弱流和中等流强注入机 737

三 强流注入机 740

四 离子注入设备的物理限制 744

五 离子注入机的在线控制 753

§7.6 离子注入器件的应用 759

一 平面扩散工艺和离子注入法 759

二 全离子注入晶体管的电参量控制 766

三 离子注入MOS场效应晶体管 773

四 离子注入制备集成电路中的高值电阻 777

五 离子注入在硅加工中的发展 780

§7.7 离子注入化合物半导体 787

一 离子注入化合物半导体的特点和化学配比 787

二 退火保护问题 792

三 大规模高速集成电路的制备和离子注入化合物半导体(GaAs)器件 797

§7.8 离子注入对金属的改性 800

一 金属中离子注入的特点和物理因素 801

二 离子注入表面的力学性质 804

三 提高金属表面抗腐蚀能力 815

§7.9 离子注入超导体的研究 821

一 超导电性和超导临界温度 822

二 离子注入对超导临界温度Tc的影响 824

三 注入金属氢化物的超导性和超导体中氢的作用 826

§7.10 离子注入合金的穆斯堡尔研究 833

一 内转换电子穆斯堡尔测量 833

二 磨损改善的机理——N+或C+注入铁 835

三 扩散的影响 837

四 磨损前后相的变化——锡注入铁 838

附录 射程计算机程序 841

参考文献 855

§8.1 能量淀积和损伤分布 861

第八章 辐照损伤 861

一 离子注入产生的缺陷 862

二 级联碰撞和原子位移 870

三 能量淀积的WSS理论 876

四 矩方程及其求解 881

五 “高能”离子在固体中能量淀积的“直接法” 897

六 沟道作用和聚焦作用 905

七 损伤及损伤分布 913

§8.2 缺陷的迁移和退火 923

一 缺陷迁移速率和聚集 923

二 热退火 927

三 激光退火 935

四 电子束退火 946

§8.3 金属中的辐射损伤 950

一 辐射缺陷的产生及其相互作用 951

二 金属玻璃辐射损伤的特性 962

一 超精细相互作用 967

§8.4 超精细相互作用和缺陷 967

二 扰动角关联和穆斯堡尔效应 969

三 辐射缺陷的研究 975

四 缺陷-反缺陷反应 981

五 133Xe注入金属形成空位簇 982

§8.5 辐射对有机物质的作用 985

一 聚合物的辐射交联和降解 986

二 辐射交联的机理 990

三 固态有机材料的辐射损伤 995

四 辐照剂量率和温度效应 1000

§8.6 电子自旋共振(ESR)对极低温(4K)下聚合物辐射损伤的研究 1003

一 电子自旋共振和基浓度的测量 1003

二 辐照对基在空间分布的影响 1011

三 氢原子迁移的减弱 1014

四 极低温度(4K)下氢原子的反应率 1014

§8.7 重离子轰击固态生物体产生自由基 1016

一 室温下自由基的产生 1016

二 低温下(77K)自由基的产生 1027

三 “热钉扎”模型及其检验 1028

§8.8 正电子洇灭研究辐照损伤 1033

一 正电子洇灭的物理基础和实验技术 1033

二 捕获模型和金属中的辐照损伤 1045

三 电子辐照钼的损伤及退火效应 1048

四 辐照聚四氟乙烯的正电子寿命谱的分析 1055

附录Ⅰ 三维碰撞级联 1058

附录Ⅱ 矩积分 1059

附录Ⅲ 捕获模型 1061

参考文献 1067

第九章 离子束引起原子混合 1072

§9.1 薄膜系统中离子引起的反应 1072

一 离子感生反应的特点 1073

二 硅化物和金属间化合物 1078

三 热退火引起的相互混合 1080

四 金属固熔体的形成 1083

§9.2 碰撞混合的理论 1089

一 原子位置重排截面 1091

二 基体原子重排及多次重排 1095

三 各向同性的级联混合 1097

四 多次反冲注入 1101

五 含有铂标记层硅中的离子束混合 1103

§9.3 离子束混合机理的实验研究 1109

一 长程混合和短程混合 1109

二 化学效应对混合率的影响 1115

三 原子混合率的温度关联 1118

§9.4 界面反应和原子混合的唯象模型 1119

一 原子的重排和反应 1120

二 扩散控制和反应控制的界面反应 1122

三 扩散混合与碰撞混合的统一描述 1125

§9.5 离子束混合的应用 1128

一 离子束混合在一些物理过程中的作用 1128

二 离子束混合用于材料改性 1128

三 离子束混合微合金 1130

附录Ⅰ 方程(9.2-19)和(9.2-20)的推导 1131

附录Ⅱ 级联混合的随机走动模型 1133

参考文献 1134

第十章 沟道辐射 1137

§10.1 带电轻粒子在晶格沟道中运动的特点 1137

一 横向运动方程 1138

二 相互作用势和束缚态 1143

§10.2 沟道辐射谱学 1149

二 平面沟道 1154

§10.3 实验安排 1162

§10.4 沟道辐射与其他几种辐射的比较 1165

一 相干轫致辐射 1165

二 跃迁辐射 1167

三 同步辐射 1168

§10.5 沟道辐射的应用前景 1168

参考文献 1169

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