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出版说明 1

前言 1

符号表 1

第一章 半导体的晶体结构和缺陷 1

1.1 半导体的基本特性与常见半导体材料 1

1.2 半导体的晶体结构 4

1.3 半导体中的晶体缺陷 11

1.4 表面结构的弛豫和重构 23

参考文献 27

习题 28

2.1 半导体中的电子状态和能带 31

第二章 半导体中的电子状态 31

2.2 外力作用下电子的运动 36

2.3 金属、半导体和绝缘体 40

2.4 空穴 42

2.5 常见半导体的能带结构 43

2.6 杂质和缺陷能级 55

2.7 重掺杂半导体 66

参考文献 67

习题 69

第三章 平衡载流子浓度 71

3.1 态密度 71

3.2 费米分布和玻尔兹曼分布 72

3.3 非简并半导体的载流子浓度 74

3.4 简并半导体 84

附录3.1 86

参考文献 88

习题 88

第四章 弱场下的载流子输运 89

4.1 载流子的散射和迁移率 89

4.2 电导、霍尔效应和磁阻 99

4.3 半导体的热电现象 106

4.4 输运效应的统计计算 112

附录4.1 123

参考文献 124

习题 125

第五章 过剩载流子及其复合 127

5.1 过剩载流子及其寿命 127

5.2 非平衡载流子的运动和空间分布 131

5.3 复合过程与寿命的计算 141

5.4 主要复合机理和实验结果 146

5.5 陷阱效应 152

参考文献 154

习题 155

第六章 同质p-n结 157

6.1 热平衡条件下的p-n结 157

6.2 p-n结直流伏安特性 163

6.3 p-n结电容 173

6.4 p-n结击穿 180

6.5 隧道p-n结 183

参考文献 185

习题 186

第七章 表面电场效应与MOS物理 189

7.1 半导体表面和硅-二氧化硅界面 189

7.2 表面电场效应 193

7.3 表面空间电荷区的理论计算 200

7.4 实际MOS结构的C-V特性 207

7.5 表面复合 213

7.6 表面电导和沟道迁移率 215

7.7 表面量子化 219

7.8 半导体表面和界面参数的测量 221

参考文献 227

习题 227

第八章 金属-半导体接触和半导体异质结 229

8.1 金属-半导体接触 229

8.2 半导体异质结 240

8.3 半导体超晶格和多量子阱 249

习题 253

第九章 热载流子效应 255

9.1 强电场下的非线性电导 255

参考文献 262

9.2 电子在等效能谷间的再分布 263

9.3 非等效能谷间的电子转移效应 265

9.4 热载流子的扩散 270

9.5 反型层中的热载流子 272

参考文献 273

习题 273

第十章 半导体的光学性质和光电效应 275

10.1 半导体的光学常数 275

10.2 半导体中的光吸收 279

10.3 半导体中的光电导 289

10.4 半导体中的光发射 298

10.5 半导体激光 305

10.6 光生伏特效应和光磁效应 311

附录10.1 315

参考文献 318

习题 319

第十一章 非晶态半导体 321

11.1 非晶态半导体的结构特点 321

11.2 非晶态半导体中的电子状态和能带 326

11.3 非晶态半导体的电学性质 337

11.4 非晶态半导体的光学性质 346

参考文献 354

习题 356

附表1 基本物理常数 357

附表2 半导体(Ge、Si、GaAs的性质 )(300K) 357