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第1章 总论 1

1.1 薄膜之功能与应用 1

1.1.1 前言 1

1.1.2 薄膜特征 2

1.1.3 薄膜特性的起源 3

1.1.4 薄膜功能的应用 5

1.2 薄膜形成技术 7

1.2.1 前言 7

1.2.2 PVD法与CVD法 7

1.2.3 薄膜成长条件与结构、物性 10

1.2.4 PVD法 13

1.2.5 CVD法 18

1.2.6 利用溶液之薄膜形成法 30

1.2.7 结言 31

1.3 膜成长过程与磊晶术（epitaxy） 33

1.3.1 前言 33

1.3.2 薄膜成长之基本过程 33

1.3.3 薄膜之成长样式 34

1.3.4 各种物质之成长样式 39

1.3.5 表面变性成长[界面活性剂（surfactant）成长] 39

1.3.6 磊晶术（epitaxy） 40

1.3.7 结言 42

1.4 薄膜的历史 43

第2章 薄膜制作法 55

2.1 真空蒸镀 55

2.1.1 真空蒸镀法 55

2.1.2 分子束磊晶法 71

2.1.3 离子喷镀（ion plating） 79

2.2 溅镀（sputtering）法 88

2.2.1 溅镀原理 88

2.2.2 溅镀之特征 91

2.2.3 各种溅镀法之特征 95

2.2.4 反应性溅镀 98

2.3 化学气相沉积法 105

2.3.1 前言 105

2.3.2 CVD基本原理 105

2.3.3 热CVD 114

2.3.4 电浆CVD 120

2.3.5 光CVD 126

2.3.6 结言 128

第3章 薄膜的功能 131

3.1 半导体薄膜 131

3.1.1 Si系 131

3.1.2 化合物半导体薄膜 141

3.2 光学薄膜 166

3.2.1 基本公式 166

3.2.2 薄膜光学常数之求法 169

3.2.3 反射防止膜 172

3.2.4 狭带域过频器（narrow-band pass filter） 176

3.2.5 透明导电膜 178

3.2.6 三棱镜耦合器（prism coupler） 183

3.2.7 现实之薄膜 184

3.3 有机薄膜 191

3.3.1 前言 191

3.3.2 薄膜制作技术 194

3.3.3 真空蒸镀之各种参数 197

3.3.4 有机分子之方位（配向）成长法：磊晶成长与摩擦复制法 201

3.3.5 单一轴向排列高分子之电子特性异方性 207

3.3.6 由结构控制提高光激发之发光强度 208

3.3.7 结言 210

3.4 介电体薄膜 212

3.4.1 介电常数 212

3.4.2 交流电场之介电常数 215

3.4.3 界面分极 217

3.4.4 强介电体 219

3.4.5 介电体薄膜之电气传导 222

3.4.6 半导体元件之应用 227

3.4.7 绝缘破坏与加速试验 230

3.5 磁性薄膜 232

3.5.1 前言 232

3.5.2 磁区结构与技术磁化过程 233

3.5.3 磁性异方性及磁歪 235

3.5.4 薄膜之微细组织控制与新磁性功能 237

3.5.5 Fe基微结晶膜之软磁性（写入磁头用薄膜） 238

3.5.6 磁碟用薄膜介质（面内磁性记录方式） 241

3.5.7 再生磁头用薄膜[自旋阀（spin valve）] 244

3.5.8 强磁性穿隧接合 247

第4章 薄膜的性质与应用 251

4.1 膜厚测试法 251

4.1.1 膜厚的定义 251

4.1.2 探针束（probe） 253

4.1.3 光探针 259

4.1.4 扫描质量变化：石英晶体振荡器法 263

4.1.5 其他膜厚测试方法 265

4.2 薄膜之机械的、力学的性质 266

4.2.1 薄膜的应变与应力 266

4.2.2 薄膜机械性质的应用 277

4.2.3 薄膜之附着性 282

4.3 薄膜的化学性质 289

4.3.1 前言 289

4.3.2 拨水性与亲水性 290

4.3.3 蚀刻性 296

4.3.4 结言 311

4.4 电子元件之应用 312

4.4.1 前言 312

4.4.2 薄膜应用之相关研究开发 313

4.4.3 薄膜之形态控制 315

4.4.4 薄膜界面之功能 317

4.4.5 GMR感测器（sensor）薄膜 318

4.4.6 积层欧姆（ohmic）电极薄膜与接触电阻 323

4.4.7 Ai-Si-Cu/Ti/TiN/Ti/Si基板积层配线膜与电子迁移 325

索引 329