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第一章 半导体中的电子状态 1

1-1 电子的运动状态和能级 1

1-2 在外力作用下晶体中电子的运动 10

1-3 晶体的导电性 16

1-4 能带结构与回旋共振 19

1-5 半导体的种类及其应用 24

1-6 常见半导体的能带结构 25

1-7 本征半导体和杂质半导体 35

1-8 缺陷能级 43

参考文献 44

第二章 热平衡载流子的统计分布规律 45

2-1 状态密度 45

2-2 载流子的统计分布 48

2-3 电子和空穴嵌度的一般表示式 52

2-4 本征半导体的载流子浓度 58

2-5 掺一种杂质的半导体 62

2-6 同时掺有施主和受主的半导体——杂质补偿半导体 71

2-7 简并半导体 76

参考文献 82

第三章 半导体在电磁场中的电荷输运现象 83

3-1 载流子的散射 83

3-2 电导现象 93

3-3 迁移率和电导率 97

3-4 电导率的统计理论 102

3-5 霍耳效应 110

3-6 磁阻效应简介 117

参考文献 118

第四章 非平衡载流子 119

4-1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级 119

4-2 复合过程的性质和直接复合的理论 125

4-3 间接复合——复合中心理论 131

4-4 陷阱效应 139

4-5 非平衡载流子的扩散运动 142

4-6 非平衡载流子的漂移和扩散运动、爱因斯坦关系式 147

4-7 连续性方程式 149

4-8 双极扩散和双极漂移 157

参考文献 159

第五章 p-n结 160

5-1 p-n结及其能带图 160

5-2 p-n结电流电压特性 165

5-3 p-n结电容 183

5-4 p-n结击穿 197

5-5 n+-n结和p+-p结 207

参考文献 208

第六章 金属-半导体接触和异质结 209

6-1 M-S接触的势垒模型 210

6-2 肖特基势垒的整流理论 220

6-3 欧姆接触:非整流的M-S结 226

6-4 异质结 228

参考文献 235

第七章 半导体表面 236

7-1 半导体表面(面界)结构 236

7-2 外电场(电荷)和表面感生电荷层 239

7-3 MIS结构的电容—电压特性 251

参考文献 264

附录1 费米-狄拉克积分 265

附录2 爱因斯坦的一般关系式 270

附录3 常用的物理常数 272

附录4 室温(300K)下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的某些重要性质 273