晶体生长手册 第5册 晶体生长模型及缺陷表征 英文pdf电子书版本下载

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Part F 晶体生长及缺陷模型 3

36熔体生长晶体体材料的传导和控制 3

36.1运输过程的物理定律 5

36.2熔体的流动结构 7

36.3外力对流动的控制 16

36.4前景 26

参考文献 26

37 Ⅲ族氮化物的气相生长 31

37.1 Ⅲ族氮化物的气相生长概述 32

37.2 AlN/GaN气相淀积的数学模型 36

37.3气相淀积AlN/GaN的表征 39

37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究 46

37.5气相GaN/AlN膜生长的表面形成 62

37.6结语 63

参考文献 64

38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学 69

38.1微缺陷的发现 71

38.2无杂质时的缺陷动力学 72

38.3有氧时的直拉缺陷动力学 92

38.4有氮时的直拉缺陷动力学 101

38.5直拉硅单晶中空位的横向合并 109

38.6结论 116

参考文献 120

39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型 123

39.1综述 123

39.2晶体生长过程 124

39.3半导体材料的位错分布 125

39.4位错产生的模型 127

39.5晶体的金刚石结构 131

39.6半导体的变形特性 134

39.7 Haasen模型对晶体生长的应用 138

39.8替代模式 139

39.9模型概述和数值实现 148

39.10数值结果 150

39.11总结 162

参考文献 163

40 BS和EFG系统中的质量和热量传输 167

40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统 168

40.2杂质分布的基预测模型——EFG系统 177

参考文献 188

Part G 缺陷表征及技术 193

41晶体层结构的X射线衍射表征 193

41.1 X射线衍射 194

41.2层结构的基本直接X射线衍射分析 195

41.3设备和理论思考 200

41.4从低到高的复杂性分析实例 201

41.5快速分析 207

41.6薄膜微映射 208

41.7展望 209

参考文献 210

42晶体缺陷表征的X射线形貌技术 213

42.1 X射线形貌的基本原则 214

42.2 X射线形貌技术的发展历史 216

42.3 X射线形貌技术和几何学 218

42.4 X射线形貌技术理论背景 223

42.5 X射线形貌上缺陷的对比原理 228

42.6 X射线形貌上的缺陷分析 233

42.7目前的应用状况和发展 237

参考文献 238

43半导体的缺陷选择性刻蚀 241

43.1半导体的湿法刻蚀：机制 242

43.2半导体的湿法刻蚀：结构和缺陷选择性 247

43.3缺陷选择性刻蚀方法 249

参考文献 261

44晶体的透射电子显微镜表征 265

44.1缺陷的TEM表征的理论基础 265

44.2半导体系统TEM应用的典型实例 281

44.3结语：目前的应用状况和发展 302

参考文献 303

45点缺陷的电子自旋共振表征 309

45.1电子自旋共振 310

45.2 EPR分析 312

45.3 ERP技术范围 322

45.4辅助仪器和支持技术 326

45.5总结与最终思考 333

参考文献 334

46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征 339

46.1正电子湮没光谱 340

46.2点缺陷的识别及其电荷状态 348

46.3缺陷、掺杂和电子补偿 353

46.4点缺陷和生长条件 357

46.5总结 364

参考文献 364