晶体生长手册 第4册 蒸发及外延法晶体生长技术 英文pdf电子书版本下载

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Part D 晶体的气相生长 3

23 SiC晶体的生长与表征 3

23.1 SiC——背景与历史 3

23.2气相生长 5

23.3高温溶液生长 7

23.4籽晶升华的产业化体材料生长 8

23.5结构缺陷及其构造 11

23.6结语 22

参考文献 23

24物理气相传输法生长体材料AIN晶体 27

24.1物理气相传输法晶体生长 28

24.2高温材料兼容 31

24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长 33

24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长 35

24.5高质量晶体表征 38

24.6结论与展望 45

参考文献 45

25单晶有机半导体的生长 51

25.1基础 51

25.2成核与晶体生长理论 53

25.3对半导体单晶有机材料的兴趣 54

25.4提纯预生长 56

25.5晶体生长 60

25.6有机半导体单晶的质量 68

25.7有机单晶场效应晶体管 69

25.8结论 70

参考文献 71

26卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物 75

26.1生长化学和热力学 75

26.2 HVPE生长设备 78

26.3体材料GaN的生长衬底和模版 81

26.4衬底除去技术 85

26.5 HVPE中GaN的掺杂方法 88

26.6缺陷密度、位错和残留杂质 89

26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能 93

26.8通过HVPE生长AIN：一些初步的结论 94

26.9通过HVPE生长InN：一些初步的结论 96

参考文献 97

27半导体单晶的气相生长 103

27.1气相生长分类 105

27.2化学气相传输——传输动力学 107

27.3热力学讨论 111

27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长 118

27.5纳米材料的气相生长 122

27.6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2化合物生长 123

27.7 VPE法生长氮化镓 131

27.8结论 135

参考文献 136

Part E 外延生长和薄膜 145

28化学气相沉积的碳化硅外延生长 145

28.1碳化硅极化类型 147

28.2碳化硅的缺陷 148

28.3碳化硅外延生长 150

28.4图形衬底上的外延生长 158

28.5结论 167

参考文献 167

29半导体的液相电外延 173

29.1背景 173

29.2早期理论和模型的研究 177

29.3二维连续模型 183

29.4静态磁场下的LPEE生长法 184

29.5三维仿真 187

29.6 LPEE的高生长率：电磁场下迁移率 198

参考文献 202

30半导体的外延横向增生 205

30.1概述 206

30.2液相外延横向增生的机制 208

30.3 ELO层中的位错 217

30.4 ELO层张力 222

30.5半导体结构横向增生的最新进展 232

30.6结语 240

参考文献 241

31新材料的液相外延 247

31.1 LPE的发展历史 248

31.2 LPE的基础和溶液生长 248

31.3液相外延的要求 250

31.4新材料研究：外延淀积法的选择 250

31.5高温超导体的LPE法 252

31.6锗酸钙镓的LEP 261

31.7氮化物的液相外延 265

31.8结论 269

参考文献 270

32分子束外延的HgCdTe生长 275

32.1综述 276

32.2 MBE生长理论 279

32.3衬底材料 282

32.4生长硬件的设计 294

32.5监测和控制生长的原位表征工具 296

32.6成核和生长过程 307

32.7掺杂和掺杂激活 310

32.8 MBE法生长的HgCdTe外延层的特性 313

32.9 HgTe/CdTe超晶格 318

32.10先进红外探测器的结构 321

32.11红外焦平面阵列（FPAs） 324

32.12结论 325

参考文献 327

33稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点 339

33.1 MOVPE原则 339

33.2稀释氮化物InGaAsN量子阱 343

33.3 InAs/GaAs量子点 348

33.4结语 354

参考文献 354

34锗硅异质结的形成及其特性 359

34.1背景 359

34.2 Si/Ge异质结的能带结构 360

34.3生长技术 362

34.4表面隔离 363

34.5临界厚度 367

34.6应力松弛机理 369

34.7松弛SiGe层的形成 371

34.8量子阱的形成、超晶格、量子线 379

34.9点形成 383

34.10结语与展望 390

参考文献 390

35脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积 399

35.1薄膜淀积的能量聚集 399

35.2 PLD和PED技术 400

35.3 PLD和PED中的原子能转换 401

35.4薄膜生长的等离子体熔体的优化 410

35.5结论 414

参考文献 415