碳化硅宽带隙半导体技术pdf电子书版本下载

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第一章 SiC半导体材料及其性质 1

1．1 应用潜力巨大的极端电子学材料 1

1．2 SiC的基本性质 6

1．3 SiC多型的结构 14

1．4 电子有效质量各向异性对霍尔因子的影响 19

1．5 4H-SiC中电子的有效质量 24

1．6 SiC多型的基态性质 27

参考文献 29

第二章 SiC单晶体的生长 31

2．1 AchesOn法和Lely法 31

2．2 可控的同质多型现象及同质多型的选择性 41

2．3 SiC单晶的质量评价与缺陷 49

参考文献 70

第三章 SiC薄膜的生长及其机理 72

3．1 SiC-Si的异质外延生长 72

3．2 SiC-Si异质外延生长的模拟与实验 75

3．3 CVD法生长SiC的热动力学相图 85

3．4 SiC的同质外延生长 103

3．5 6H-SiC分步外延的生长机理 107

3．6 蓝宝石复合衬底上的异质外延 115

3．7 各种衬底上SiC外延薄膜的比较 130

3．8 薄膜缺陷 135

参考文献 140

第四章 品质因数与宽带隙半导体的应用 143

4．1 半导体器件的物理极限与品质因数 144

4．2 用于电力器件的6H-SiC、3C-SiC和Si的比较 153

4．3 4H-SiC、GaAs和Si的射频MESFET功率器件的比较 167

4．4 金刚石及SiC在微波及毫米波功率器件中的应用 171

4．5 SiC光电器件与传感器 183

4．6 SiC紫外线光电二极管 190

参考文献 196

第五章 SiC器件工艺 199

5．1 局部外延 200

5．2 氧化/钝化 202

5．3 刻蚀 217

5．4 掺杂 228

5．5 互连、接触与隔离 233

参考文献 249

第六章 GaN基Ⅲ-V族氮化物宽带隙半导体 251

6．1 Ⅲ-V氮化物的基本性质和结构的多型性 251

6．2 氮化物晶体薄膜的生长 252

6．3 氮化物器件工艺技术 257

6．4 氮化物合金的性质 260

6．5 Ⅲ-V氮化物的作用 262

6．6 碳化硅-氮化铝结构 266

参考文献 267

附录 碳化硅的主要数据 269