集成电子学 模拟、数字电路和系统 上pdf电子书版本下载

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目录 1

译者的话 1

作者前言 1

第一章 固体中的能带 1

1-1 带电粒子 1

1-2 场强、电位、能量 2

1-3 能量的电子伏特（eV）单位 5

1-4 原子的性质 6

1-5 原子的能级 8

1-6 元素的电子结构 12

1-7 晶体的能带理论 15

1-8 绝缘体、半导体和金属 17

复习题 19

参考书刊 20

习题 20

第二章 半导体中的迁移现象 25

2-1 迁移率和导电率 25

2-2 本征半导体中的电子和空穴 28

2-3 施主杂质和受主杂质 31

2-4 半导体中的电荷密度 33

2-5 锗和硅的电性质 34

2-6 霍耳效应 37

2-7 导电率的调制 39

2-8 电荷的生成和复合 42

2-9 扩散 45

2-10 连续性方程 47

2-11 注入的少数载流子 48

2-12 递变掺杂的半导体内的电位变化 51

2-13 小结 54

复习题 55

参考书刊 56

习题 57

第三章 结型二极管的特性 60

3-1 开路的pn结 60

3-2 作为整流器的pn结 63

3-3 pn结二极管的各个电流分量 66

3-4 伏安特性曲线 69

3-5 伏安特性与温度的关系 73

3-6 二极管的电阻 74

3-7 空间电荷层电容（或过渡层电容）CT 75

3-8 二极管的电荷控制描述式 80

3-9 扩散电容 82

3-10 结型二极管的开关时间 84

3-11 击穿二极管 87

3-12 隧道二极管 90

3-13 半导体光电二极管 93

3-14 光伏特效应 95

3-15 发光二极管 97

复习题 98

参考书刊 100

习题 101

第四章 二极管电路 107

4-1 作为电路元件的二极管 107

4-2 负载线的概念 109

4-3 二极管的分段线性化模型 110

4-4 削波（限幅）电路 114

4-5 两个不同电平处的削波作用 117

4-6 比较器 120

4-7 取样门 121

4-8 整流器 124

4-9 其它的全波整流电路 130

4-10 电容滤波器 131

4-11 其它的二极管电路 136

复习题 138

习题 140

参考书刊 140

第五章 晶体管的特性曲线 149

5-1 结型晶体管 149

5-2 晶体管的各个电流分量 152

5-3 作为放大器的晶体管 155

5-4 晶体管的构造 156

5-5 共基极电路 158

5-6 共发射极电路 163

5-7 共发射极的截止区 167

5-8 共发射极的饱和区 169

5-9 晶体管结电压的典型数值 172

5-10 共发射极电流增益 177

5-11 共集电极电路 178

5-12 晶体管特性曲线的解析表示式 179

5-13 最高额定电压 183

5-14 光电晶体管 186

复习题 187

参考书刊 189

习题 190

第六章 数字电路 198

6-1 数字（二进制）系统的运用 198

6-2 “或”门 201

6-3 “与”门 204

6-4 “非”电路或“反相器”电路 206

6-5 晶体管的开关时间 210

6-6 “禁止”（选通）运算 213

6-7 异或电路 214

6-8 狄·莫根定律 216

6-9 “与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑（DTL）门 219

6-10 改进型（集成电路型） 224

DTL门 224

6-11 高阈逻辑（HTL）门 230

6-12 晶体管-晶体管逻辑（TTL）门 231

6-13 输出级 233

6-14 电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DGTL） 236

6-15 各种逻辑族的比较 240

复习题 242

参考书刊 244

习题 244

第七章 集成电路的制造和特性 257

7-1 集成电路的工艺 257

7-2 基本的单片集成电路 258

7-3 外延生长 263

7-4 掩模和刻蚀 264

7-5 杂质的扩散 265

7-6 单片电路中的晶体管 270

7-7 单片二极管 276

7-8 集成电阻 278

7-9 集成电容和电感 281

7-10 集成电路的布局 283

7-11 其它的隔离方法 287

7-12 大规模集成（LSI）和中规模集成（MSI） 290

7-13 金属-半导体接触 291

复习题 293

参考书刊 295

习题 296

第八章 晶体管的低频运用 301

8-1 共发射极接法的图解分析 301

8-2 二端口器件及h参数模型 305

8-3 晶体管的h参数模型 307

8-4 h参数 309

8-5 晶体管三种接法的h参数变换公式 312

8-6 用h参数分析晶体管放大电路 314

8-7 戴维宁定理和诺顿定理及其推论 319

8-8 射极跟随器 321

8-9 晶体管放大器三种接法的比较 322

8-10 晶体管电路的线性分析 325

8-11 密勒定理及其对偶定理 325

8-12 晶体管级联放大器 329

8-13 简化的共发射极h参数模型 334

8-14 共集电极接法的简化计算 336

8-15 有发射极电阻的共发射极放大器 340

8-16 高输入电阻的晶体管电路 345

复习题 351

参考书刊 353

习题 354

第九章 晶体管的偏置和热稳定性 368

9-1 工作点 368

9-2 偏置的稳定性 371

9-3 自偏置或发射极偏置 373

9-4 对ICO、VBE和β变化采取的稳定措施 376

9-5 关于集电极电流稳定的一般说明 382

9-6 偏置的补偿 388

9-7 线性集成电路的偏置技术 390

9-8 热敏电阻型和感温电阻型补偿 392

9-9 热失控 393

9-10 热稳定 395

复习题 398

参考书刊 399

习题 399

第十章 场效应晶体管 405

10-1 结型场效应晶体管 406

10-2 夹断电压VP 410

10-3 结型场效应晶体管的伏安特性 411

10-4 场效应晶体管的小信号模型 414

10-5 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 418

（MOSFET） 418

10-6 MOSFET数字电路 425

10-7 低频共源和共漏放大器 430

10-8 场效应晶体管的偏置 433

10-9 场效应晶体管作为压变电阻（VVR） 438

10-10 高频共源放大器 440

10-11 高频共漏极放大器 444

复习题 445

参考书刊 446

习题 447

附录A 458

附录B 459