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目录 1

引言 1

第Ⅰ篇　半导体物理学 1

第一章　半导体物理学和半导体性质概要 1

1.1 引言 1

1.2　晶体结构 1

1.3 能带 4

1.4　热平衡时的载流子浓度 7

1.5　载流子输运现象 16

1.6　半导体的声子谱以及光学、热学和高场性质 24

1.7　半导体器件工作的基本方程 32

2.2　基本器件工艺 41

2.1 引言 41

第二章 p-n结二极管 41

第Ⅱ篇　双极器件 41

2.3　耗尽区和耗尽电容 48

2.4 电流-电压特性 56

2.5　结的击穿 65

2.6　瞬变特性和噪声 74

2.7 端功能 77

2.8 异质结 84

第三章　双极晶体管 91

3.1 引言 91

3.2　静态特性 91

3.3　微波晶体管 108

3.4　功率晶体管 118

3.5　开关晶体管 122

3.6　相关的器件结构 126

第四章 晶体闸流管 133

4.1　引言 133

4.2　基本特性 133

4.3 肖克莱二极管和三端晶闸管 146

4.4　相关的功率晶闸管 155

4.5　二极管交流开关和三极管交流开关 159

4.6　单结晶体管和触发晶闸管 162

4.7　场控晶闸管 164

第Ⅲ篇　单极器件 169

第五章 金属-半导体接触 169

5.1 引言 169

5.2 能带关系 169

5.3 肖特基效应 172

5.4　电流输运过程 176

5.5　势垒高度的特征 187

5.6　器件结构 207

5.7 欧姆接触 213

第六章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管 220

6.1 引言 220

6.2　基本的器件特性 221

6.3　一般特性 229

6.4 微波特性 241

6.5　相关的场效应器件 248

第七章　MIS二极管和电荷耦合器件 256

7.1 引言 256

7.2　理想的MIS二极管 258

7.3　Si-SiO2MOS二极管 269

7.4　电荷耦合器件 289

8.1 引言 307

第八章　MOS场效应晶体管 307

8.2　基本的器件特性 308

8.3　非均匀掺杂和埋沟器件 325

8.4　短沟道效应 335

8.5 MOSFET结构 347

8.6 非易失性存储器 353

第Ⅳ篇　特殊微波器件 365

第九章　隧道器件 365

9.1　引言 365

9.2 隧道二极管 366

9.3　反向二极管 382

9.4 MIS隧道二极管 385

9.5　MIS开关二极管 392

9.6　MIM隧道二极管 395

9.7　隧道晶体管 400

第十章 IMPATT和相关的渡越时间二极管 406

10.1 引言 406

10.2　静态特性 407

10.3　动态特性 414

10.4　功率和效率 421

10.5 噪声特性 430

10.6 器件设计和性能 434

10.7 BARITT和DOVETT二极管 441

10.8 TRAPATT二极管 451

第十一章　转移电子器件 459

11.1 引言 459

11.2　转移电子效应 459

11.3 工作模式 469

11.4　器件特性 481

第Ⅴ篇　光子器 件 491

第十二章　发光二极管和半导体激光器 491

12.1 引言 491

12.2　辐射跃迁 492

12.3　发光二极管 496

12.4　半导体激光器物理 508

12.5　激光器工作特性 524

第十三章　光电探测器 540

13.1 引言 540

13.2　光电导体 540

13.3　光电二极管 544

13.4　雪崩光电二极管 557

13.5　光电晶体管 569

14.2 太阳辐射和理想的转换效率 575

14.1 引言 575

第十四章　太阳电池 575

14.3 p-n结太阳电池 582

14.4　异质结，界面和薄膜太阳电池 595

14.5　集光 605

附录 612

A．符号表 612

B．国际单位制 613

C．单位词头 614

D．希腊字母表 614

E．物理常数 615

F．晶格常数 615

G．重要半导体的性质 616

H．300K下Ge,Si和GaAs的性质 616

I．300K下SiO2和Si3N4的性质 617