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目录 1

序言 1

导论 1

第一章 晶体生长和晶片的制备 9

1.1 引言 9

1.2 电子纯硅 10

1.3 切克劳斯基（Czochralski）晶体生长 14

1.4 硅的整形 34

1.5 工艺考虑 46

1.6 小结与展望 50

参考文献 51

习题 53

第二章 外延 55

2.1 引言 55

2.2 汽相外延 56

2.3 分子束外延 81

2.4 绝缘体上硅 88

2.5 外延层的评价 92

2.6 小结与展望 96

参考文献 98

习题 101

第三章 介质和多晶硅薄膜的淀积 102

3.1 引言 102

3.2 淀积工艺 104

3.3 多晶硅 108

3.4 二氧化硅 117

3.5 氮化硅 130

3.6 等离子体淀积 132

3.7 其他材料 136

3.8 小结与展望 137

参考文献 139

习题 141

第四章 氧化 143

4.1 引言 143

4.2 生长机制和动力学 144

4.3 氧化技术和氧化系统 163

4.4 氧化层特性 167

4.5 掺杂元素在界面上的再分布 172

4.6 多晶硅氧化 175

4.7 氧化诱发缺陷 176

4.8 小结与展望 179

参考文献 181

习题 183

第五章 扩散 184

5.1 引言 184

5.2 固体中的扩散模型 185

5.3 菲克一维扩散模型 187

5.4 原子扩散机理 193

5.5 测量技术 200

5.6 硼、磷、砷及锑的扩散率 209

5.7 二氧化硅中的扩散 222

5.8 硅中的快扩散杂质 225

5.9 多晶硅中的扩散 225

5.10 扩散的增强与阻滞 228

5.11 小结与展望 233

参考文献 235

习题 237

第六章 离子注入 239

6.1 引言 239

6.2 离子注入系统和剂量控制 240

6.3 离子射程 245

6.4 无序的产生 258

6.5 注入掺杂剂的退火 263

6.6 浅结（As，BF2） 276

6.7 少数载流子效应 277

6.8 吸杂 278

6.9 超大规模集成电路工艺中的效应 282

6.10 小结与展望 283

参考文献 285

习题 288

7.1 引言 291

第七章 刻蚀 291

7.2 刻蚀工艺 292

7.3 光学刻蚀 300

7.4 电子束刻蚀 307

7.5 X射线刻蚀 315

7.6 其他刻蚀技术 323

7.7 小结与展望 327

参考文献 329

习题 330

8.1 引言 332

第八章 干腐蚀 332

8.2 图形转换 334

8.3 低压气体放电 342

8.4 等离子体腐蚀技术 348

8.5 腐蚀速率和选择性控制 353

8.6 边缘剖面的控制 364

8.7 副作用 369

8.8 超大规模集成电路技术的干法腐蚀工艺 371

8.9 小结与展望 377

参考文献 379

习题 380

第九章 金属化 383

9.1 引言 383

9.2 物理气相淀积方法 391

9.3 金属化中遇到的问题 399

9.4 金属化失效 405

9.5 栅和互连用的硅化物 412

9.6 侵蚀与键合 420

9.7 展望 421

参考文献 423

习题 425

第十章 工艺模拟 427

10.1 引言 427

10.2 外延 428

10.3 离子注入 433

10.4 扩散和氧化 440

10.5 刻蚀 452

10.6 腐蚀与淀积 475

10.7 器件模拟 484

10.8 小结与展望 488

参考文献 489

习题 491

第十一章 超大规模集成电路工艺汇总 493

11.1 引言 493

11.2 集成电路工艺的基本问题 494

11.3 双极集成电路技术 497

11.4 NMOS集成电路技术 511

11.5 CMOS集成电路技术 530

11.6 超大规模集成电路的小型化 544

11.7 现代集成电路的制造 551

11.8 小结与展望 554

参考文献 556

习题 559

第十二章 诊断技术 563

12.1 引言 563

12.2 形貌测定 564

12.3 化学分析 576

12.4 晶体结构和力学性质 591

12.5 电学测绘 599

12.6 小结与展望 605

参考文献 607

习题 609

第十三章 组装技术和封装 611

13.1 引言 611

13.2 大圆片的切割与分类 612

13.3 芯片互连 613

13.4 封装类型和制造工艺 632

13.5 关于封装的特殊问题 645

13.6 封装应用方面的问题 648

13.7 小结与展望 659

参考文献 661

习题 663

第十四章 成品率及可靠性 665

14.1 引言 665

14.2 超大规模集成电路中成品率下降的机理 666

14.3 成品率下降机理的模型分析 670

14.4 超大规模集成电路的可靠性要求 680

14.5 失效分布、可靠性及失效率的数学表示 682

14.6 通用的分布函数 685

14.7 加速试验 694

14.8 失效机理 702

14.9 小结与展望 706

参考文献 707

习题 708

附录 711

A．硅的特性 711

B．符号表 712

C．国际单位制 714

D．物理常数 714

索引 716

编后记 737