集成电路器件电子学pdf电子书版本下载

点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快] 温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页 直链下载[便捷但速度慢]   [在线试读本书]   [在线获取解压码]

集成电路器件电子学PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如 BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

目录 1

第一章　电子学和工艺学 1

1.1　半导体材料物理 2

1.2　晶体中的自由载流子 24

1.3　半导体工艺学 36

1.4　器件：集成电路电阻 61

小结 68

习题 70

第二章　金属-半导体接触 76

2.1 电子系统中的平衡 76

2.2　理想化的金属-半导体结 80

2.3　电流-电压特性 91

2.4　非整流（欧姆）接触 100

2.5　表面效应 106

2.6　金属-半导体器件：肖特基二极管 112

小结 116

习题 117

第三章　pn结 123

3.1　缓变杂质分布 124

3.2　pn结 130

3.3　反向偏置pn结 144

3.4　结击穿 150

3.5　器件：结型场效应晶体管 160

小结 169

习题 171

第四章　pn结电流 177

4.1　连续性方程 177

4.2　产生与复合 180

4.3　pn结的电流-电压特性 192

4.4 电荷存贮和二极管瞬变过程 209

4.5　器件：集成电路二极管 220

小结 227

习题 228

第五章　双极晶体管Ⅰ：基本操作原理 236

5.1　晶体管作用 237

5.2　有效偏压 246

5.3　晶体管开关 257

5.4　埃伯斯-莫尔模型 263

5.5　器件：平面双极放大和开关晶体管 270

小结 277

习题 279

第六章　双极晶体管Ⅱ：局限性和模型 284

6.1　集电极偏压变化效应（厄尔利效应） 285

6.2　低、高发射极偏压效应 290

6.3　基极渡越时间 307

6.4　电荷控制模型 311

6.5　小信号晶体管模型 326

6.6　计算机模拟双极晶体管模型 335

6.7　器件：pnp晶体管 341

小结 350

习题 352

第七章　氧化物-硅系统的特性 361

7.1　MOS结构 362

7.2　MOS系统的电容 371

7.3　MOS电子学 375

7.4　氧化物和界面电荷 383

7.5　pn结的表面效应 390

7.6　MOS电容器和电荷耦合器件（CCD） 395

小结 401

习题 404

第八章　绝缘栅场效应晶体管 409

8.1 电流-电压特性 411

8.2　IGFET参数 424

8.3　MOS集成电路 434

8.4　二级近似考虑 441

8.5 器件：离子注入IGFET 450

小结 457

习题 460