半导体工艺原理 下pdf电子书版本下载

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目录 1

第六章 外延 1

§6-1 四氯化硅氢还原法外延生长原理 1

§6-2 四氯化硅氢还原法外延生长条件 5

§6-3 外延层中杂质浓度的分布 8

§6-4 硅烷热分解法外延技术简介 14

§6-5 外延层中的缺陷 18

§6-6 外延层的检测 22

第七章 光刻 32

§7-1 光刻胶（光致抗蚀剂） 33

§7-2 光刻工艺 35

§7-3 光刻中的常见问题 40

§7-4 提高光刻技术的-些措施 42

第八章 电极系统 55

§8-1 金属-半导体接触 55

§8-2 欧姆接触 60

§8-3 金属电极材料 62

§8-4 金属电极系统的失效机理 64

§8-5 GaAs的欧姆接触 74

第九章 表面钝化技术 78

§9-1 硅-二氧化硅界面特性及其对器件性能的影响 78

§9-2 MOS C-V分析 88

§9-3 低温钝化（LTP）技术 103

§9-4 磷硅玻璃（P2O5·SiO2）钝化 107

§9-5 氮化硅钝化 111

§9-6 三氧化二铝钝化 119

§9-7 化学钝化 125

§9-8 氮氢烘焙 129

第十章 半导体器件的可靠性 131

§10-1 可靠性基础知识 131

§10-2 器件的失效规律和常用的寿命分布 137

§10-3 可靠性试验 143

§10-4 失效机理 147

§10-5 提高器件可靠性的措施 154