微波半导体器件及其应用pdf电子书版本下载

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目录 2

译者说明 2

第一部分 导论 2

第一章 微波半导体器件的原理和功能 2

1.1 器件的分类与用途 2

1.2 器件的结构 7

1.3 晶体管技术在发展新型微波二极管中的作用 13

第二部分 半导体物理 16

第二章 薛定谔波动方程和原子的电子结构 16

2.1 薛定谔波动方程 16

2.2 自由粒子 20

2.3 定态 25

2.4 原子的电子结构和周期表 33

3.1 共价键和半导体晶体结构 38

第三章 半导体晶体 38

3.2 晶格振动 45

3.3 硅晶体 51

3.4 半导体晶体内的缺陷 55

第四章 半导体的电导 60

4.1 粒子在一维周期性位能中的运动 61

4.2 三维晶体中电子的能量 71

4.3 电子和空穴；施主和受主 76

4.4 迁移率和电阻率………………………………………………？4.5 非平衡载流子密度 88

第五章 p-n结理论 91

5.1 p-n结的能带图 92

5.2 空间电荷区的电位和电场分布 98

5.3 p-n结的伏-安特性 101

5.4 空间电荷层的电容 104

5.5 扩散电容和电荷储存 105

5.6 雪崩击穿 110

第六章 半导体表面状态及欧姆接触 120

6.1 空间电荷区理论 121

6.2 表面能态 129

6.3 表面的测量 130

6.4 硅-二氧化硅表面的某些性质 131

6.5 表面状态对器件影响 134

6.6 欧姆接触 136

第三部分 微波二极管和电路 140

第七章 变容二极管 140

7.1 变容管晶片电学参量的定义 140

7.2 优值 144

7.3 变容二极管特性 146

7.4 变容二极管晶片的电学参量 152

7.5 变容管特性的详细计算 162

7.6 电荷贮存电容和快反向二极管 176

7.7 毫米波变容二极管 179

8.1 曼利-罗功率关系式 185

第八章 变容管的应用 185

8.2 参量放大器 190

8.3 参量放大器的设计方案 209

8.4 谐波发生器 219

8.5 上变频器 247

第九章 p-i-n二极管 263

9.1 典型的p-i-n二极管 264

9.2 i层 265

9.3 等效网络 268

9.4 在反向偏压下的行为 270

9.5 在正向偏压下的行为 271

9.6 从一种偏压状态转向另一种偏压状态的开关作用 272

9.7 二极管阻抗的计算 274

9.8 p-i-n二极管的功率限制 281

9.9 材料和设计对二极管特性的影响 285

9.10 一种特殊的p-i-n二极管 288

第十章 微波开关、限幅器和移相器 292

10.1 微波二极管开关 293

10.2 开关的设计原理 300

10.3 固体微波限幅器 308

10.4 可变衰减器 316

10.5 微波移相器 318

第十一章 肖脱基势垒器件 332

11.1 肖脱基势垒的物理学 333

11.2 肖脱基势垒变阻管的设计和性能 343

11.3 肖脱基势垒变容管的设计和特性 352

11.4 MOS变容二极管 359

第十二章 检波二极管、混频二极管及电路 362

12.1 检波与混频二极管的特性 363

12.2 二极管封装 366

12.3 检波器 368

12.4 混频器原理 373

12.5 接收机的噪声指数 378

12.6 实际混频器的例子 380

第十三章 隧道二极管 388

13.1 隧道二极管伏-安特性 389

13.2 等效电路及其特性 398

13.3 隧道二极管结构 403

13.4 材料和器件的关系 409

第十四章 隧道二极管电路 414

14.1 隧道二极管稳定性的讨论 415

14.2 隧道二极管放大器的增益和带宽 431

14.3 隧道二极管的噪声性能 434

14.4 大信号效应 436

14.5 两种隧道二极管放大器的描述 438

14.6 隧道二极管振荡器 441

14.7 隧道二极管变频器 448

14.8 反向二极管检波器和混频器 450

第十五章 雪崩渡越时间微波二极管 454

15.1 小信号运用 455

15.2 大信号运用 472

15.3 噪声 479

15.4 展望 483

第十六章 体砷化镓器件 487

16.1 n型砷化镓的体内性质 488

16.2 小信号线性理论 495

16.3 非线性的大信号理论 502

16.4 样品的制备 513

16.5 放大器 517

16.6 振荡器 519

第四部分 微波晶体管和电路 530

第十七章 微波晶体管 530

17.1 一种特殊的微波晶体管 530

17.2 半导体晶片的设计 536

17.3 最佳化器件晶片的性能 549

17.4 工艺考虑 553

17.5 封装设计 561

17.6 性能与特性 562

第十八章 4千兆赫晶体管放大器 576

18.1 设计原理 576

18.2 设计细节和制造技术 579

第五部分 当前趋向 584

第十九章 当前微波半导体器件的趋向 584

19.1 性能 584

19.2 寿命和可靠性 592

附录 594

跗录A 若干半导体、金刚石和铜的物理特性 594

附录B 载流子速度分布及爱因斯坦关系 595

附录C 物理常数表 596