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目录 1

第一章　半导体上金属薄膜间的相互作用 1

1.1 引言 1

1.2　金属薄层的性质 2

1.3　固态扩散 16

1.4　多元相互作用过程 32

1.5　扩散阻挡层 41

1.6　电迁徙 49

1.7　分析和深度剖析技术 59

1.8　总结，未来趋势和结论 89

第二章　硅化物形成的机理和界面层 90

2.1 引言 90

2.2　硅化物形成概述 92

2.3　硅化铂系统 96

2.4　硅化物的性质 108

2.5　合金和双层硅化物 117

2.6　离子混杂和激光退火 122

2.7　电学性质 126

第三章　砷化镓和磷化铟上金属薄膜的相互扩散 131

3.1 引言 131

3.2　欧姆接触 133

3.3 肖特基势垒金属化 150

3.4　结论 169

第四章　硅器件及集成电路的可靠性与退化 172

4.1 引言 172

4.2　与体内和表面相关的现象 178

4.3　金属化 188

4.4　超大规模集成电路可靠性的趋向 197

4.5　与封装相关的效应 210

4.6　结论 214

第五章　有源Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的可靠性与退化 215

5.1 引言 215

5.2　小信号GaAs FET的可靠性评定 216

5.3　功率GaAs FET的可靠性评定 225

5.4　致命性失效 241

5.5　辐射效应 248

5.6　恶劣环境效应 256

5.7　其它GaAs器件的可靠性 259

5.8　与材料相关的问题 269

5.9　总结 275

第六章　激光器和发光二极管的可靠性与退化 282

6.1 引言 282

6.2　器件的劣化与寿命试验方法 292

6.3　GaAs和GaAlAs高电流密度光源的退化 300

6.4　其它半导体光源 330

6.5　结论 337

第七章　微波集成电路的可靠性与退化 339

7.1 引言 339

7.2　平面传输线 340

7.3　与材料和工艺相关的精度 358

7.4　衬底-薄层结构的稳定性 381

7.5　微波集成电路的组装 402

参考文献 415