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第一章 高Tc超导薄膜 2

1.1 高T氧化物超导薄膜的制造技术 2

1.1.1 制造工艺原理 2

1.1.2 YBaCuO超导薄膜的制造 5

1.1.3 BiSrCaCuO超导薄膜的制造 12

1.1.4 TlBaCaCuO超导薄膜的制造 13

1.2 高Tc超导薄膜的成分和结构 13

1.2.1 高Tc超导薄膜的成分 13

1.2.2 高Tc超导薄膜的结构 16

1.3 高Tc超导薄膜的性能 23

1.3.1 临界温度 23

1.3.2 临界电流密度 24

1.3.3 临界磁场 25

1.3.4 相干长度 26

1.3.5 穿透深度 26

1.3.6 稳定性 27

1.4 高Tc超导薄膜的应用 27

1.4.1 超导无源元件 28

1.4.2 超导有源器件 29

参考文献 33

第二章 导电薄膜 35

2.1 导电薄膜的制造技术 35

2.1.1 金属薄膜的制造 36

2.1.2 复合导电薄膜的制造 40

2.1.3 高熔点金属薄膜的制造 41

2.1.4 多晶硅薄膜 43

2.1.5 金属硅化物薄膜的制造 45

2.1.6 透明导电薄膜的制造 48

2.2 导电薄膜的组成和性质 51

2.2.1 铝及铝合金薄膜的组成和性质 51

2.2.2 复合导电薄膜的组成和性质 57

2.2.3 高熔点金属薄膜的组成和性质 63

2.2.4 多晶硅薄膜的组成和性质 69

2.2.5 金属硅化物薄膜的组成与性质 75

2.2.6 透明导电薄膜的组成和性质 80

2.3 导电薄膜的应用 87

2.3.1 导电薄膜在LSI中的应用 88

2.3.2 导电薄膜在混合集成电路中的应用 90

2.3.3 透明导电薄膜的应用 91

参考文献 94

第三章 电阻薄膜 97

3.1 碳膜 97

3.1.1 热分解碳膜的制备 97

3.1.2 热分解碳膜的结构 98

3.1.3 热分解碳膜的性能 98

3.1.4 硼碳膜和硅碳膜 99

3.2 金属氧化膜 102

3.2.1 金属氧化膜的制备 102

3.2.2 金属氧化膜的结构和性能 103

3.3 金属和合金膜 104

3.3.1 金属膜的结构和性能特点 104

3.3.2 铬、钽金属膜 108

3.3.3 镍铬合金膜 112

3.4 金属陶瓷膜 116

3.4.1 金属陶瓷膜的制备 116

3.4.2 金属陶瓷膜的结构和性能特点 118

3.4.3 同时淀积导电相和介质相的金属陶瓷膜 119

3.4.4 合金膜部分氧化得到的金属陶瓷膜 121

参考文献 125

第四章 半导电薄膜 128

4.1 硅薄膜 128

4.1.1 单晶硅薄膜 128

4.1.2 多晶硅薄膜 138

4.1.3 非晶硅薄膜 145

4.2.1 概述 151

4.2 锗薄膜 151

4.2.2 单晶锗薄膜 152

4.2.3 多晶锗薄膜 154

4.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜 156

4.3.1 概述 156

4.3.2 砷化镓薄膜 156

4.3.3 磷化镓薄膜 160

4.3.4 多元固溶体薄膜 162

4.4.2 含汞化合物薄膜 166

4.4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜 166

4.4.1 概述 166

4.4.3 无汞化合物薄膜 170

4.5 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体薄膜 175

4.5.1 铅的硫属化合物薄膜 175

4.5.2 碲锡铅薄膜 178

参考文献 180

5.1 介质薄膜的制造技术、组成与性质 183

5.1.1 一氧化硅薄膜 183

第五章 介质薄膜 183

5.1.2 二氧化硅薄膜 186

5.1.3 钽基介质薄膜 197

5.1.4 氮化硅薄膜 210

5.1.5 A12O3介质薄膜 219

5.1.6 多元金属氧化物薄膜 221

5.1.7 其他介质薄膜 228

5.2 介质薄膜的应用 230

5.2.1 用作电容器介质 230

5.2.2 用作隔离和掩模层 231

5.2.3 表面钝化膜 233

5.2.4 多层布线绝缘膜 237

参考文献 238

第六章 磁性薄膜 240

6.1 稀土-过渡金属（RE-TM）磁光膜 240

6.1.1 磁光克尔效应 241

6.1.2 制备工艺对薄膜性能的影响 242

6.2 氧化物及锰铋系磁光薄膜 248

6.2.1 Bi和A1代石榴石磁光膜的制备和性能 249

6.2.2 Bi,Ga代DyIG薄膜的制备和性能 250

6.2.3 石榴石薄膜晶体结构及离子取代规律 253

6.2.4 石榴石型薄膜磁光盘 254

6.3 多层调制磁光薄膜 255

6.4 磁阻薄膜 256

6.4.1 结构和尺寸对磁阻薄膜性能的影响 257

6.4.2 影响磁阻薄膜性能的工艺因素 258

6.4.3 磁阻薄膜的磁化特性 262

6.5.1 多层膜巨磁阻特性 263

6.5 巨磁阻多层膜 263

6.5.2 影响多层膜磁阻性能的因素 264

6.5.3 磁阻薄膜传感器 267

6.6 磁记录薄膜 268

6.6.1 化学镀法 269

6.6.2 反应溅射和真空蒸发法 270

参考文献 277

第七章 压电薄膜 280

7.1 压电薄膜的制造技术 280

7.1.1 ZnO压电薄膜的制造 281

7.1.2 AlN压电薄膜的制造 284

7.1.3 Ta2O5压电薄膜的制造 286

7.1.4 钛酸盐系等压电薄膜的制造 286

7.1.5 ZnO/AlN复合压电薄膜的制造 287

7.2 压电薄膜的成分和结构 288

7.2.1 压电薄膜的分析方法 288

7.2.2 压电薄膜的成分 288

7.2.3 压电薄膜的结构 292

7.2.4 制造工艺对薄膜结构的影响 297

7.3 压电薄膜的性能 300

7.3.1 物化性能 300

7.3.2 介电性能 301

7.3.3 压电性能 304

7.4 压电薄膜的应用 311

7.4.1 体声波器件 311

7.4.2 表声波器件 312

7.4.3 声光器件 314

参考文献 315

第八章 热电薄膜 318

8.1 热释电薄膜的制备技术 318

8.1.1 PbTiO3系薄膜的溅射法制备 318

8.1.2 PbTiO3系薄膜的CVD法制备 319

8.1.3 PbTiO3系薄膜的溶胶-凝胶法制备 320

8.2 热释电薄膜的组成和性质 322

8.3 热释电薄膜的应用 326

参考文献 328