半导体物理与器件 第4版pdf电子书版本下载

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绪论半导体和集成电路 1

历史 1

集成电路（IC） 1

制造 2

参考文献 4

第一部分 半导体材料属性 6

第1章 固体晶格结构 6

1.0概述 6

1.1 半导体材料 6

1.2 固体类型 7

1.3 空间晶格 7

1.4 金刚石结构 12

1.5 原子价键 13

1.6 固体中的缺陷和杂质 15

1.7 半导体材料的生长 16

1.8 小结 18

重要术语解释 18

知识点 19

复习题 19

习题 19

参考文献 21

第2章 量子力学初步 22

2.0概述 22

2.1 量子力学的基本原理 22

2.2 薛定谔波动方程 26

2.3 薛定谔波动方程的应用 29

2.4 原子波动理论的延伸 37

2.5 小结 40

重要术语解释 40

知识点 41

复习题 41

习题 41

参考文献 44

第3章 固体量子理论初步 45

3.0概述 45

3.1 允带与禁带 45

3.2 固体中电的传导 54

3.3 三维扩展 61

3.4 状态密度函数 63

3.5 统计力学 66

3.6 小结 72

重要术语解释 72

知识点 73

复习题 73

习题 73

参考文献 76

第4章 平衡半导体 78

4.0概述 78

4.1 半导体中的载流子 78

4.2 掺杂原子与能级 86

4.3 非本征半导体 89

4.4 施主和受主的统计学分布 94

4.5 电中性状态 98

4.6 费米能级的位置 102

4.7 小结 107

重要术语解释 107

知识点 108

复习题 108

习题 108

参考文献 112

第5章 载流子输运现象 113

5.0概述 113

5.1 载流子的漂移运动 113

5.2 载流子扩散 124

5.3 杂质梯度分布 127

5.4 霍尔效应 129

5.5 小结 131

重要术语解释 132

知识点 132

复习题 132

习题 133

参考文献 137

第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 139

6.0概述 139

6.1 载流子的产生与复合 139

6.2 过剩载流子的性质 143

6.3 双极输运 145

6.4 准费米能级 157

6.5 过剩载流子的寿命 158

6.6 表面效应 162

6.7 小结 165

重要术语解释 165

知识点 166

复习题 166

习题 166

参考文献 171

第二部分 半导体器件基础 174

第7章 pn结 174

7.0概述 174

7.1 pn结的基本结构 174

7.2 零偏 175

7.3 反偏 180

7.4 结击穿 186

7.5 非均匀掺杂pn结 189

7.6 小结 192

重要术语解释 193

知识点 193

复习题 194

习题 194

参考文献 198

第8章 pn结二极管 199

8.0概述 199

8.1 pn结电流 199

8.2 产生-复合电流和大注入 212

8.3 pn结的小信号模型 219

8.4 电荷存储与二极管瞬态 226

8.5 隧道二极管 228

8.6 小结 230

重要术语解释 231

知识点 231

复习题 231

习题 232

参考文献 236

第9章 金属半导体和半导体异质结 238

9.0概述 238

9.1 肖特基势垒二极管 238

9.2 金属-半导体的欧姆接触 250

9.3 异质结 253

9.4 小结 260

重要术语解释 261

知识点 261

复习题 261

习题 262

参考文献 265

第10章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 266

10.0概述 266

10.1 双端MOS结构 266

10.2 电容-电压特性 280

10.3 MOSFET基本工作原理 287

10.4 频率限制特性 300

10.5 CMOS技术 303

10.6 小结 305

重要术语解释 305

知识点 306

复习题 306

习题 307

参考文献 313

第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管：概念的深入 314

11.0概述 314

11.1 非理想效应 314

11.2 MOSFET按比例缩小理论 321

11.3 阈值电压的修正 323

11.4 附加电学特性 328

11.5 辐射和热电子效应 334

11.6 小结 338

重要术语解释 339

知识点 339

复习题 340

习题 340

参考文献 344

第12章 双极晶体管 346

12.0概述 346

12.1 双极晶体管的工作原理 346

12.2 少子的分布 352

12.3 低频共基极电流增益 358

12.4 非理想效应 367

12.5 等效电路模型 377

12.6 频率上限 382

12.7 大信号开关 386

12.8 其他的双极晶体管结构 388

12.9 小结 391

重要术语解释 392

知识点 393

复习题 393

习题 393

参考文献 399

第13章 结型场效应晶体管 401

13.0概述 401

13.1 JFET概念 401

13.2 器件的特性 405

13.3 非理想因素 416

13.4 等效电路和频率限制 418

13.5 高电子迁移率晶体管 421

13.6 小结 426

重要术语解释 427

知识点 427

复习题 427

习题 428

参考文献 431

第三部分 专用半导体器件 434

第14章 光器件 434

14.0概述 434

14.1 光学吸收 434

14.2 太阳能电池 437

14.3 光电探测器 443

14.4 光致发光和电致发光 451

14.5 发光二极管 454

14.6 激光二极管 458

14.7 小结 463

重要术语解释 464

知识点 464

复习题 465

习题 465

参考文献 468

第15章 半导体微波器件与功率器件 469

15.0概述 469

15.1 隧道二极管 469

15.2 耿氏二极管 470

15.3 雪崩二极管 472

15.4 功率双极晶体管 473

15.5 功率MOSFET 478

15.6 半导体闸流管 483

15.7 小结 491

重要术语解释 491

知识点 492

复习题 492

习题 493

参考文献 494

附录A 部分参数符号列表 496

附录B 单位制、单位换算和通用常数 502

附录C 元素周期表 505

附录D 能量单位——电子伏特 506

附录E 薛定谔波动方程的推导 508

附录F 有效质量概念 509

附录G 误差函数 513

附录H 部分习题参考答案 514

索引 521