半导体器件制造工艺pdf电子书版本下载

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目录 1

出版说明 1

前言 1

概述 1

第一章 半导体材料与衬底制备 9

第一节 概述 9

第二节 硅单晶的制备 11

第三节 硅单晶的质量检验 17

第四节 衬底的制备 26

第二章 外延 35

第一节 外延生长原理 35

第二节 外延生长工艺 38

第三节 外延层的质量分析 43

第四节 外延层的质量检验 47

第三章 制版 51

第一节 制版的光学基础 51

第二节 制版工艺 54

第三节 超微粒干版的制备 60

第四节 铬版与氧化铁版的制备 67

第四章 氧化 71

第一节 二氧化硅的结构与性质 71

第二节 二氧化硅在器件生产中的应用 75

第三节 二氧化硅膜的制备与原理 78

第四节 二氧化硅的质量分析与检验 87

第五章 掺杂 93

第一节 合金法 93

第二节 扩散原理 96

第三节 扩散方法 110

第四节 扩散层的质量分析与检验 123

第五节 离子注入 133

第六章 光刻 138

第一节 光刻胶 138

第二节 光刻工艺 142

第三节 光刻质量分析 150

第四节 其它光刻技术 152

第七章 电极制备及引线封装 157

第一节 欧姆接触 157

第二节 蒸发工艺 159

第三节 合金与烧结 167

第四节 键合与封装 171

第八章 隔离技术 179

第一节 pn结隔离 179

第二节 介质隔离 185

第三节 pn结—介质混合隔离 191

第九章 表面钝化技术 194

第一节 硅—二氧化硅界面特性对器件性能的影响 194

第二节 氮化硅钝化 198

第三节 磷硅玻璃钝化 202

第四节 三氧化二铝钝化 206

第五节 其它钝化方法 210

第十章 半导体器件的可靠性 215

第一节 可靠性的概念及简单计算 215

第二节 可靠性试验 217

第三节 半导体器件失效分析 223

第四节 提高器件可靠性的措施 227

总附录 232

附录一 室温（300°K）下锗、硅、砷化镓的物理性质 232

附录二 常用杂质、金属与合金的主要物理性质 233

附录三 热电偶种类及使用的温度范围 234

附录四 余误差函数（erfcz）表 234