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超大规模集成电路设计方法学导论
  • 杨之廉编著 著
  • 出版社: 北京:清华大学出版社
  • ISBN:7302006849
  • 出版时间:1990
  • 标注页数:206页
  • 文件大小:9MB
  • 文件页数:211页
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图书目录

第一章 设计方法分类和计算机辅助的作用 1

§1.1 集成电路的设计要求 1

§1.2 集成电路的设计流程 3

§1.3 设计方法分类 4

§1.4 专用集成电路与设计方法 6

§1.5 各设计阶段计算机辅助的应用 7

§1.6 设计系统与设计软件 9

§2.2 符号法版图设计 11

§2.1 全定制版图设计方法 11

第二章 全定制、定制和半定制设计方法 11

§2.3 门阵列设计方法 13

§2.4 标准单元法 22

§2.5 通用单元法 26

§2.6 PLD方法 26

§2.7 不同设计方法的比较 32

§2.8 混合模式设计方法 32

§2.9 层次式设计概念 34

§3.1 概述 39

§3.2 硅编译器与语言编译的比较 39

第三章 硅编译器 39

§3.3 硅编译器的输入描述语言 40

§3.4 硅编译器的内部组成 42

§3.5 软件环境与设计步骤 45

§3.6 简单实例——随机逻辑编译器 46

§3.7硅编译器的优点与限制 51

第四章 逻辑模拟 52

§4.1 逻辑模拟程序分类 52

§4.2 逻辑模拟的一些基本概念 53

4.3.1 编译方式 56

§4.3 逻辑模拟的方法 56

4.3.2 表格驱动和面向事件方式 58

4.3.3 硬件加速方式 62

§4.4 SPLICE模拟程序及其应用 63

§4.5 SPLICE使用举例 65

第五章 时序分析 67

§5.1 时序分析的目的 67

§5.2 时序分析的方法 68

§5.3 MOTIS-C时序分析程序及其应用 74

§5.4 MOTIS-C使用举例 76

§6.1 电路分析的作用 78

§6.2 SPICE电路模拟程序及其应用 78

第六章 电路模拟 78

§6.3 SPICE使用举例 80

§6.4 器件模型及各参数的意义 82

6.4.1 二极管模型 82

6.4.2 双极型晶体管模型 83

6.4.3 结型场效应晶体管模型 89

6.4.4 MOS场效应晶体管模型 90

6.4.5 砷化?MESFET场效应管模型 102

§6.5 模型参数的提取 102

§7.1 电路模拟程序的基本组成 108

第七章 电路模拟程序的内部结构和求解过程 108

§7.2 电路模拟程序的流程 109

§7.3 输入处理 110

§7.4 建立电路方程 118

§7.5 求解方法和过程 123

7.5.1 线性电路的直流分析 123

7.5.2 非线性电路的直流分析 126

7.5.3 交流分析 128

7.5.4 瞬态分析 129

§7.6 牛顿迭代解的收敛性改进 136

§8.1 器件模拟的目的 139

第八章 器件模拟 139

§8.2 器件模拟的内容 140

§8.3 器件模拟的求解方法 141

§8.4 物理参数的模型 149

§8.5 SEDANⅡ器件模拟程序及其应用 151

§8.6 SEDANⅡ程序应用举例 155

第九章 工艺模拟 157

§9.1 工艺模拟的作用 157

§9.2 工艺模拟的求解方法 158

§9.3 SUPREMⅡ工艺模拟程序及其应用 162

§9.4 SUPREMⅡ工艺模拟程序应用举例 164

§9.5 SUPREMⅡ中的工艺模型 167

第十章 计算机辅助版图设计 179

§10.1 版图设计系统的构成 179

§10.2 版图编辑器 180

§10.3 版图的生成与编辑 182

§10.4 版图验证和分析 185

§10.5 图形发生器文件 189

§10.6 格式的交换 189

附录Ⅰ 算法基础 191

附录Ⅱ CIF格式 201

参考文献 204

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