MOS集成电路的分析与设计pdf电子书版本下载

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§1-1 最基本的单元——倒相器 1

第一章 MOS-IC的单元基础 1

§1-2 倒相器的工作原理 3

§1-2-1 饱和负载倒相器的转移特性 3

§1-2-2 非饱和负载倒相器的转移特性 5

§1-2-3 自举倒相器 8

§1-2-4 耗尽型负载倒相器的转移特性 9

§1-2-5 互补型负载倒相器的转移特性 12

§1-3 倒相器的静态参数 14

§1-4 倒相器的瞬态特性 16

§1-4-1 饱和负载 17

§1-4-2 非饱和负载 19

§1-4-3 耗尽型负载(E／D MOS) 19

§1-4-4 互补型负载(CMOS) 21

§1-5-1 单沟道“与非”“或非”逻辑门 23

§1-5 基本逻辑门 23

§1-5-2 CMOS“与非”“或非”门 28

§1-6 传输门 32

§1-6-1 单沟道传输门 33

§1-6-2 CMOS传输门 36

§2-2-3 四相动态无比电路 37

§1-7 传输门逻辑及实现逻辑 38

§1-7-1 传输门逻辑 38

§1-7-2 用传输门实现的同或／异或逻辑 39

§1-8 输出驱动电路 42

§1-8-1 输出电路的驱动能力 42

§1-8-2 CMOS输出缓冲门 44

§1-8-3 单沟道输出驱动门 45

§1-8-4 三态输出电路 46

§2-1-1 R-S触发器 48

§2-1 静态触发器 48

第二章 M0S触发器和动态逻辑 48

§2-1-2 R-S-T触发器 51

§2-1-3 J-K触发器 56

§2-1-4 D型触发器 58

§2-2 动态MOS电路 60

§2-2-1 两相动态有比电路 61

§2-2-2 两相动态无比电路 65

§2-2-4 准静态D型触发器 68

§2-3 动态逻辑 71

§2-4 多米诺(DOMINO)电路 74

§2-5 施密特触发器 75

§2-5-1 NMOS施密特触发器 75

§2-5-2 CMOS施密特触发器 76

§2-6 加法器 77

§2-7 乘法器 83

§2-8 算术运算中的移位器 84

第三章 IC设计中的材料与工艺 87

§3-1 M0S晶体管的阈值电压V_T 87

§3-1-1 金属与半导体接触电势差 87

§3-1-2 氧化层和耗尽层电荷 88

§3-1-3 阈值电压V_T值的实例 89

§3-1-4 体效应对V_T值的影响 90

§3-2 VLSI中的接触与互连技术 91

§3-2-1 MOS管中的接触结构 91

§3-2-2 毗连接触与埋孔接触 93

§3-2-3 多层互连技术 94

§3-2-4 铜互连布线及其镶嵌技术 99

§3-3 版图设计规则 104

§3-3-1 层次 104

§3-3-2 工业界设计规则 107

§3-4 按比例缩小规则 112

第四章 MOS集成电路中的器件 115

§4-1 硅栅MOS结构 115

§4-1-1 硅栅MOS工艺的特点 115

§4-1-2 场区、有源区和等平面工艺 116

§4-2 E／D MOS倒相器的结构与版图 117

§4-2-1 E/D MOS倒相器版图设计和流程 117

§4-2-2 E／D MOS倒相器的工艺要求 119

§4-3 CMOS基本工艺结构与版图 122

§4-3-1 CMOS IC的基本流程 122

§4-3-2 CMOS电路中的阱 124

§4-3-3 CMOS电路中的闩锁效应(Latchup) 127

§4-4 BiCMOS 129

§4-4-1 BiCMOS倒相器 130

§4-4-2 BiCMOS倒相器的瞬态特性 131

§4-4-3 BiCMOS门电路 131

§4-4-4 BiCMOS工艺结构 132

§4-4-5 BiCMOS的版图 135

§4-4-6 BiCMOS的应用 135

第五章 通用VLSI电路的设计与分析 138

§5-1 只读存贮器的结构与设计(ROM) 138

§5-1-1 掩膜ROM(Mask—ROM) 138

§5-1-2 PROM(可编程只读存贮器) 142

§5-1-3 可擦除可编程的ROM(EPROM) 142

§5-1-4 电可擦除电可编程ROM(EEPROM) 143

§5-2 静态随机存取存贮器(SRAM) 149

§5-2-1 六管SRAM单元 149

§5-2-2 CMOS-SRAM结构与操作 150

§5-3-1 三管DRAM 154

§5-3 动态随机存取存贮器(DRAM) 154

§5-3-2 单管DRAM 155

第六章 MOS集成电路的计算机辅助设计 161

§6-1 定制设计步骤 162

§6-1-1 行为级综合及HDL 162

§6-1-2 逻辑综合和逻辑模拟 176

§6-1-3 电路模拟 177

§6-1-4 版图设计与验证 190

§6-2 电路模拟软件中的MOS器件模型 194

§6-2-1 基本模型 194

§6-2-2 短沟道模型 198

§6-2-3 MOS的器件模拟程序简介 201

§6-3 器件模型参数及其提取 203

§6-3-1 基本的器件模型参数 203

§6-3-2 MOSFET模型参数提取简介 207

§6-4-1 MOSFET阈值电压的提取 214

§6-4 几个重要的MOS模型参数的提取 214

§6-4-2 MOSFET有效沟道长度的提取 217

§6-4-3 MOSFET沟道载流子迁移率的提取 221

§6-4-4 MOSFET源漏串联电阻的提取 223

第七章 门阵列和可编程逻辑器件 226

§7-1 门阵列 226

§7-2 可编程逻辑器件(PLD) 228

§7-2-1 PLD原理 228

§7-2-2 PLD的编程技术与现场可编程器件 230

附录一 MOS材料中有关的物理常数 235

附录二 300 K时硅的物理常数 236

附录三 SiO_2和Si_3N_4(300 K时)的性质 237

附录四 HSPICE中的主要语句 238

附录五 参数提取的算法基础 243

参考文献 245