MOS VLSI分析与设计pdf电子书版本下载

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第1章 VLSI工艺技术 1

1．1 MOS工艺发展概况 1

1．2 NMOS工艺技术 3

1．3 CMOS工艺技术 4

第2章 MOS晶体管 10

2．1 MOS晶体管结构与工作原理 10

2．2 MOS器件电流电压方程 11

2．3 MOS晶体管器件参数 13

2．4 小尺寸MOS器件 18

2．5 MOS晶体管模型 24

2．6 等比例缩小原理 34

2．7 MOS晶体管限制 36

第3章 版图设计 40

3．1 设计规则 40

3．2 Stick图 43

3．3 版图设计 45

3．4 版图验证 49

第4章 数字电路设计基础 51

4．1 MOS反相器静态特性 51

4．2 MOS反相器瞬态分析 59

4．3 MOS反相器最佳设计 64

4．4 驱动大电容负载的最佳延迟时间 66

4．5 延迟模型 67

4．6 功牦估算 72

第5章 MOS数字电路 76

5．1 NMOS基本逻辑电路 76

5．2 CMOS基本逻辑电路 85

5．3 VLSICMOS逻辑组态 94

5．4 加法器和乘法器 99

5．5 规则逻辑结构 105

5．6 ROM 110

5．7 RAM 119

5．8 时钟电路 129

5．9 CPU电路 135

第6章 MOS模拟集成电路 141

6．1 MOS晶体管小信号模型及其等效电路 141

6．2 基本的MOS模拟电路 144

6．3 CMOS运算放大器 160

6．4 动态模拟电路 169

6．5 A/D转换器电路 173

6．6 开关电容滤波器 186

第7章 ASIC设计技术 200

7．1 VLSI与ASIC 200

7．2 门阵列设计技术 201

7．3 激光门阵列技术 209

7．4 标准单元设计技术 211

7．5 积木块设计技术 215

7．6 可编程逻辑器件(PLD) 218

7．7 片上系统集成(SOC)技术 227

8．1 VHDL和逻辑综合 231

第8章 IC CAD技术 231

8．2 逻辑模拟和电路模拟 233

8．3 版图设计与验证 237

8．4 ASIC EDA技术 239

8．5 单元库建库 244

第9章 可测性设计(DFT)技术 247

9．1 可测性设计的基本概念 247

9．2 分块测试技术 251

9．3 扫描测试技术 253

9．4 自测试技术 256

9．5 边界扫描技术 260

第10章 可靠性设计技术 263

10．1 可靠性设计物理 263

10．2 抗静电设计 266

10．3 提高电路可靠性的设计规则和设计方法 268

10．4 抗辐照设计技术 270

10．5 电路可靠性设计技术 274

10．6 容错设计技术 275