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第1章 前言 1

1.1 研究背景 1

1.1.1 技术概况 2

1.1.2 产业现状 6

1.1.3 行业需求 13

1.2 研究对象和方法 17

1.2.1 数据检索 17

1.2.2 查全查准率评估 21

1.2.3 相关事项约定 21

第2章 新型高密度随机存取存储器 25

2.1 新型高密度随机存取存储器技术概况 25

2.2 MRAM专利分析 28

2.2.1 MRAM技术概况 28

2.2.2 全球专利申请状况 29

2.2.3 中国专利申请状况 33

2.2.4 关键技术分析 39

2.2.5 重要申请人分析 68

2.2.6 小结 74

2.3 RRAM专利分析 76

2.3.1 RRAM技术概况 76

2.3.2 全球专利申请状况 76

2.3.3 中国专利申请状况 80

2.3.4 小结 83

2.4 FRAM专利分析 84

2.4.1 全球专利申请状况 84

2.4.2 中国专利申请状况 87

2.4.3 小结 89

2.5 PRAM专利分析 90

2.5.1 技术概况 90

2.5.2 全球专利申请状况 91

2.5.3 中国专利申请状况 93

2.5.4 小结 96

2.6 本章小结 96

第3章 16nm/14nm技术专利分析 98

3.1 技术概况 98

3.1.1 FinFET 99

3.1.2 EUV光刻技术 100

3.1.3 3D集成技术 101

3.1.4 3D集成热管理技术 104

3.2 FinFET 105

3.2.1 全球专利申请态势分析 105

3.2.2 中国专利申请态势分析 108

3.2.3 FinFET技术路线 112

3.2.4 英特尔与中芯国际的技术比较 115

3.2.5 小结 120

3.3 EUV光刻技术 121

3.3.1 全球专利申请态势分析 121

3.3.2 中国专利申请态势分析 129

3.3.3 EUV技术路线 133

3.3.4 小结 135

3.4 3D集成技术 137

3.4.1 全球专利申请态势分析 138

3.4.2 中国专利申请态势分布 142

3.4.3 3D集成TSV技术分析 147

3.4.4 小结 160

3.5 3D集成热管理技术 161

3.5.1 热管理技术概况 161

3.5.2 全球专利申请态势分析 162

3.5.3 中国专利申请态势分析 164

3.5.4 国际专利技术发展路线分析 167

3.5.5 中国专利技术发展路线分析 176

3.5.6 小结 177

3.6 本章小结 178

第4章 CPU指令系统专利分析 179

4.1 CPU指令系统综述 179

4.1.1 技术发展现状 179

4.1.2 产业链位置 181

4.1.3 小结 182

4.2 全球专利申请态势分析 182

4.2.1 总体申请趋势分析 182

4.2.2 区域分布分析 183

4.2.3 原创分布分析 183

4.2.4 申请流向分析 184

4.2.5 主要申请人分析 184

4.3 中国专利申请态势分析 185

4.3.1 总体申请态势分析 185

4.3.2 技术构成分析 185

4.3.3 国别分析 186

4.3.4 主要申请人分析 187

4.3.5 区域分布分析 187

4.4 英特尔 188

4.4.1 申请态势分析 188

4.4.2 重点技术主题分析 189

4.4.3 法律状态分析 199

4.4.4 发明人分析 200

4.4.5 技术发展路线分析 201

4.4.6 专利申请热点分析 212

4.4.7 重点专利分析 216

4.5 ARM 217

4.5.1 申请态势分析 217

4.5.2 重点技术主题分析 218

4.5.3 地域分布分析 221

4.5.4 技术发展路线分析 221

4.5.5 专利申请热点分析 227

4.5.6 重点专利分析 231

4.6 小结 232

第5章 结论和建议 235

5.1 新型高密度存储器领域 235

5.1.1 MRAM 235

5.1.2 RRAM 237

5.1.3 FRAM 238

5.1.4 PRAM 238

5.2 16nm/14nm技术领域 238

5.2.1 FinFET 239

5.2.2 EUV光刻技术 240

5.2.3 3D集成技术 240

5.2.4 3D集成热管理技术 244

5.3 CPU指令系统领域 244

5.3.1 专利申请态势 244

5.3.2 CPU指令系统未来的发展 244

图索引 247

表索引 252