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第1章 沙盒 1

1.1IC概述 1

1.2在显微镜下观测 2

1.3基本工艺 4

1.4掩膜版 9

1.5CMOS层次 10

1.6工艺增强 10

1.7完全不同的规模 12

1.8MOS晶体管 13

1.9SPICE模型 15

1.10局限性 16

1.11优点 19

第2章 代工厂和制备工艺 25

2.1不同的代工厂，不同的使命 25

2.2样片试验服务 28

2.2.1MOSIS 28

2.2.2Europractice 29

2.3高技术、高成本 30

2.4实用的沙盒技术 31

第3章 经济成本 35

3.1芯片费用和良率 36

3.2经济实例 39

3.3测试和晶圆检测 44

3.4小批量生产 45

3.5MLM小结 46

3.6晶圆定价 47

3.7设计工具和时间 48

第4章 设计工具 49

4.1原理图工具 50

4.2版图工具 52

4.3设计规则检查 56

4.4提取 60

4.5版图与原理图对比 63

4.6SPICE工具 64

4.7逻辑仿真器 66

4.8布局和布线工具 67

4.9逻辑综合工具 68

第5章 标准单元设计 71

5.1沙盒规则集 71

5.2设计规则的构建 73

5.3绘制及导出的层次 75

5.4简单单元 76

5.5标准单元设计问题 77

5.6将单元整合到一个恒定高度 82

5.7自动布线 83

5.8标准单元库 84

5.9标准单元的传输延迟 89

5.10Verilog模型 92

第6章 外围电路 99

6.1体电阻和方块电阻 100

6.2绝缘体的介电常数 101

6.3半导体 103

6.4二极管结 104

6.5齐纳二极管 104

6.6双极型晶体管 105

6.7MOSFET 105

6.8静电释放 106

6.9焊盘及密封环 107

6.10保护器件 109

6.11闩锁效应 111

6.12横向双极型器件 112

6.13负阻现象 113

6.14少数载流子注入衬底 114

6.15电源箝位和电源线电导率 115

6.16焊盘保护的设计 117

6.17低频干扰的焊盘设计 118

第7章 特殊逻辑结构和存储器 121

7.1定制存储器 123

7.2存储器核心——SRAM 123

7.3存储器的I／O部分 125

7.4字线译码器 128

7.5控制“边角” 132

7.6只读存储器 134

7.7动态存储器 136

7.8差分DRAM 137

7.8.1读出放大器的统计偏移量 140

7.8.2软错误 141

7.9DRAM时序 142

7.10其他存储器 145

7.11实验的非易失性结构 146

第8章 逻辑、二进制数学与处理 151

8.1逻辑入门 151

8.2移位寄存器 157

8.3同步时钟 158

8.4计数器 158

8.5二进制编码系统 161

8.6饱和限制 163

8.7超前进位产生 164

8.8乘法器 165

8.9数字滤波 166

8.10FIR滤波器 167

8.11IIR滤波器 169

8.12处理器 174

8.13二进制小数点 175

8.14简化辅助处理电路 177

8.15LOG和EXP 178

8.16同步 180

8.17波形的生成 181

8.18伪随机噪声 182

8.19串行接口 182

8.20调制编码 183

8.21脉冲宽度调制输出电路 185

8.22数字滞后 187

第9章 模拟电路和放大器 189

9.1MOSFET的工作区域 189

9.2体效应 194

9.3MOS结构电容 195

9.4温度效应 196

9.5电流源和电流宿 197

9.6偏置源 200

9.7CMOS放大器 201

9.7.1差分放大器 204

9.7.2电流镜放大器 209

9.7.3折叠式级联放大器 212

9.8根据电流密度确定器件尺寸 213

9.9MOSFET的噪声 215

9.10闭环稳定性 219

9.11驱动电阻性负载 224

9.12宽频带放大器 225

第10章 带隙基准源 227

10.1带隙基准1——基础原理 229

10.2带隙基准设计2 230

10.3带隙基准设计3 232

10.4带隙基准设计4 234

10.5半带隙 237

10.6带隙电源预调整 238

10.7温度感应器 240

第11章 振荡器、锁相环和射频导论 243

11.1LC振荡器 243

11.2RC振荡器 244

11.3锁相环 249

11.4锁相环仿真注意事项 256

11.5射频本地振荡器和预分频器 257

11.6四象电路和混频器 260

第12章 转换器和开关电容技术 263

12.1阶梯型DAC 263

12.2ADC转换器 267

12.2.1逐次逼近型ADC 267

12.2.2闪烁型转换器 269

12.2.3低速率ADC转换器 272

12.2.4平均转换器 274

12.3开关电容转换器 277

12.3.1差分开关电容结构 279

12.3.2高级别的Δ-Σ转换器 284

12.3.3开关电容噪声 291

12.3.4过采样转换器的后处理 292

12.3.5多相时钟 293

第13章 封装和测试 297

13.1概述 297

13.2首次流水的硅片和样品封装 303

13.3产品测试 305

13.4测试矢量 307

第14章 总结及补充 309

14.1GND和VDD分布 311

14.2中间电源 313

14.3衬底连接和敏感电路 313

14.4电源提升电路 314

14.5施密特触发器 315

14.6ASIC产品的测试 315

14.7传感器 317

14.7.1光学传感器 318

14.7.2CMOS照相机 320

14.8霍尔传感器和应变传感器 321

14.9电源升压电路 322

14.10我的电路，你的电路 323

14.11小结 324