微电子器件工艺pdf电子书版本下载

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微电子加工环境 6

环境污染对成品率的影响 6

超净空间环境 7

超纯水 8

超纯气体及化学试剂 8

衬底材料 9

IC发展与硅材料的关系 9

大直径单晶的制备 11

单晶材料中的原生缺陷与有害杂质 16

对单晶材料的基本要求及其完美化工艺 18

衬底制备 20

单晶棒的整形与定向 21

晶片加工 23

练习与思考 27

参考文献 27

固态扩散 28

固态扩散的基本模式 28

粒子流密度 29

扩散系数 30

硅中常用杂质的扩散系数 33

输运方程和低浓度下的杂质浓度分布 34

恒定高表面浓度扩散 39

载流子浓度与杂质浓度的关系 41

硅中高浓度磷扩散 43

氧化性气氛对扩散的影响 45

扩散的相互作用及横向扩散 46

工艺指南与系统 48

扩散方法与工艺 51

金扩散 55

砷化镓中杂质的扩散行为 56

砷化镓中的扩散技术 58

离子注入掺杂 61

注入离子的能量损失机构 61

注入深度 64

注入离子在非晶靶中的浓度分布 68

单晶靶和双层靶中的离子浓度分布 72

离子注入设备 76

注入工艺 78

注入损伤 80

退火特性 82

合金法 85

合金pn结的制作原理 85

合金条件的考虑 86

练习与思考 87

参考文献 88

同质硅化学气相外延 89

外延的物理化学原理 89

生长动力学原理 91

反应器中的工作状态 95

外延掺杂 99

堆垛层错 100

原位气相腐蚀抛光 102

埋层图形漂移、畸变与塌边 103

杂质的固态对流扩散 104

自掺杂及外延层中杂质浓度分布 107

低压外延 109

气相硅外延系统与工艺 112

其它外延技术 115

选择外延与SOS外延 115

砷化镓外延 116

分子束外延 121

热生长二氧化硅膜 122

二氧化硅膜的结构和性质 123

热生长氧化膜的制备 125

热氧化生长动力学原理 126

二氧化硅的扩散掩蔽作用和硅的局部氧化 131

氧化层错 133

薄膜的化学气相淀积（CVD） 135

供微电子器件和工艺用CVD膜 135

常压化学气相淀积法 138

低压化学气相淀积法 142

等离子增强化学气相淀积法 144

光化学气相淀积法的基本原理 145

介质膜的其它制备方法 147

阳极氧化法 147

等离子体阳极氧化法 149

聚酰亚胺钝化膜 149

金属类薄膜的物理气相淀积 150

物理气相淀积的基本要素 151

物理气相淀积的实施 152

练习与思考 155

参考文献 156

抗蚀剂和掩模材料 157

光致抗蚀剂 157

电子束抗蚀剂 159

X射线抗蚀剂 160

掩模材料 161

计算机辅助掩模图形发生 164

原图数据的产生 164

图形的发生 166

掩模版图形的形成 169

光学制版 169

电子束制版 172

晶片上抗蚀膜图形的形成 174

光学曝光 175

电子束曝光 176

X射线曝光 178

其它曝光方法 180

小结 183

晶片表面图形的形成 184

图形转换 184

湿法腐蚀 185

干法腐蚀 186

砷化镓的腐蚀 189

微细图形缺陷分析与控制 190

图形缺陷与成品率的关系 190

缺陷的种类与危害 191

缺陷的产生与控制 191

缺陷的检查与修补 193

练习与思考 194

参考文献 195

工艺模拟的基础 196

一般介绍 196

杂质流输运方程 197

模型方程的数值计算方法 198

工艺模型 198

离子注入模型 199

氧化模型 200

扩散模型 201

外延模型 203

腐蚀与淀积模型 203

光刻模型 205

多晶硅淀积模型 207

氮化硅氧化模型 208

电学参数 208

SUPREM工艺模拟软件简介 208

SUPREMⅡ简介 208

SUPREMⅢ简介 210

微电子测试图形 210

测试图形的作用与布局 210

几种常见的测试图形 211

微电子工艺评价 217

工艺评价 217

在线监测 221

练习与思考 225

参考文献 225

欧姆接触 226

欧姆接触的基本原理 226

形成欧姆接触的基本方法 227

布线技术 227

金属化方法 227

布线工艺 231

键合 233

芯片分割 233

键合引线材料 234

键合 235

封装 236

金属封装 236

塑料封装 237

陶瓷封装 238

表面安装技术 240

基板材料 240

安装元件 240

表面安装方法 241

练习与思考 242

参考文献 242

MOS型集成工艺 243

CMOS工艺设计 243

n-MOS工艺设计 247

双极型集成工艺设计 249

场介质隔离TTL工艺 249

STTL工艺设计 251

砷化镓集成电路工艺 252

工艺流程设计 252

主要工艺参数选取 252

练习与思考 253

参考文献 253