砷化镓半导体材料 译文集pdf电子书版本下载

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目录 1

前言 1

Ⅰ．总论 1

1．GaAs和InP材料的研究 1

Ⅱ．制备——合成、提纯及晶体生长 45

2．InP和GaAs的制备和电学性质 45

3．砷化镓单晶的制备及其性质 52

4．砷化镓浮区提纯设备 59

5．InAs单晶和GaAs单晶的制备 68

6．生长砷化镓单晶的设备 71

7．含挥发组元材料的注射筒式单晶炉 73

8．砷化镓拉晶炉 75

9．砷化镓晶体生长中沾染的原因 84

10．论高纯度砷化镓的制备 97

11．合成砷化镓用的AIN容器 101

12．GaAs晶体在〈111〉极性方向的生长 109

13．用化学方法制备InAs,InP,GaAs及GaP 111

14．汽相生长的砷化镓晶体 114

15．从汽相中生长GaP和GaAs晶体的方法 118

16．在Ge单晶上外延汽相生长GaAs 125

17．外延砷化镓的生长速率 127

Ⅲ．腐蚀和晶体缺陷 129

18．砷化镓的腐蚀试验 129

19．砷化镓中的腐蚀坑 137

20．用腐蚀法显示砷化镓（111）面上的位错 141

21．一种适用于Ⅲ-Ⅴ族半导体的抛光腐蚀剂 143

22．砷化镓单晶的极性 145

Ⅳ．化学性质和物理性质 149

23．In-As,Ga-As和In-P体系的P-T-x相图 149

24．金属间化合物的氧化性—Ⅲ∶Ⅲ-Ⅴ族化合物的室温氧化性 161

25．GaAs的热氧化性 168

26．砷化镓和砷化铟在熔化区和液态时某些物理性质的研究 170

27．砷化镓的某些性质 176

28．砷化镓中的价带内跃迁 180

29．n型砷化镓中的红外吸收和电子有效质量 183

30．GaAs的光吸收限及其对电场的依赖关系 191

31．简并的p型GaAs的吸收限 198

32．砷化镓的晶格吸收 204

33．砷化镓的一些电学物理性质 212

34．GaAs低温电学性质 221

35．p型和n型砷化镓晶体中的杂带 234

36．n型砷化镓杂带中的导电 241

37．n型砷化镓的电学性质 244

38．强简井砷化镓的载流子散射 259

39．砷化镓中的能斯脱-厄廷好森效应 267

40．砷化镓中的光谱能量和载流子散射 271

41．n型GaAs中的能斯脱效应 283

42．GaAs的高温霍耳系数 287

43．GaAs的能带结构和电子输运 290

44．砷化镓中的能带 317

45．砷化镓半绝缘体 327

46．半绝缘GaAs的性质 331

47．高阻GaAs的制备和性质 339

48．高阻晶体的光电子分析（a）GaAs（b）Sb2S3 350

49．扩散铜补偿高阻砷化镓的性质 366

50．半绝缘砷化镓中的光电导性 394

51．半绝缘砷化镓中的Dember效应和光电磁效应 402

52．GaAs中的少数载流子寿命 406

53．GaAs中的载流子寿命 414

54．GaAs中的直接复合和半导体三极管设计中的一些推论 419

55．由砷化镓发射出的复合辐射 428

56．GaAs中的复合辐射 431

57．锌在砷化镓中的扩散 436

Ⅴ．热处理、杂质扩散及其行为 436

58．锌和镉在砷化镓中的扩散 446

59．铜在砷化镓中的扩散，溶解度和电学行为 454

60．用铜扩散制备p型GaAs的性质 462

61．砷化镓中铜的沉积 471

62．砷化镓的热处理 473

63．n型GaAs中的热转变 479

64．用辐射能对n型GaAs进行热处理 481

65．n型GaAs的辐射效应及退火 485

66．p型GaAs中的杂质能级和迁移率 489

67．p型GaAs中杂质的测量 493

68．砷化镓中镁电离能的测量 511

69．砷化镓中Li的电学性质 515

70．GaAs中锰的行为 519

71．硅在砷化镓中的影响 522

72．砷化镓中锗的行为 525

73．砷化镓中硒的行为 528

74．砷化镓中杂质的分配系数 536

附录　砷化镓的主要性质和腐蚀剂 547

补充参考文献 554