图书介绍
硅晶体制备及外延 译文集pdf电子书版本下载
- 中国科学技术情报研究所编辑 著
- 出版社： 北京：科学技术文献出版社
- ISBN：15176·27
- 出版时间：1974
- 标注页数：70页
- 文件大小：26MB
- 文件页数：74页
- 主题词：
PDF下载
点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]
温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页
直链下载[便捷但速度慢]
[在线试读本书]
[在线获取解压码]
下载说明
硅晶体制备及外延 译文集PDF格式电子书版下载
下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如 BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！
（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）
注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具
图书目录
目录 1
1．初始硅的质量 1
2．用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体 8
3．在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化 13
4．硅外延生长 18
5．在氮中外延淀积硅 24
6．在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅 28
7．外延硅层的高速化学蒸汽淀积 32
8．用热处理消除硅外延层中的堆垛层错 37
9．计算机控制外延生产系统 43
10．单晶氧化物衬底 49
11．结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜 55
12．硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响 58
13．半导体硅痕量分析方法的比较 62
14．切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量 68