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符号表 1

第一章 绪论 3

第一节 引言 3

第二节 场效应和半导体界面空间电荷区 3

1.场效应 3

2.空间电荷区 5

第三节 半导体界面 MOS C-V 特性 10

1.理想 MOS 结构的 C-V 特性 10

2.真实 MOS 结构 12

第四节 空间电荷区的量子效应 13

第二章 二维电子气的基本特性 18

第一节 二维布里渊区和二维电子气的状态密度 18

第二节 极化和屏蔽 20

第三节 等离激元(Plasmon) 26

第四节 束缚态、局域化和杂质带 28

第五节 多体效应 31

1.量子电子流体 31

2.经典电子流体 36

第六节 二维系统中输运的一般特点 38

第三章 能级和波函数 40

第一节 次能带结构 40

1.硅空间电荷层中电子的哈特利近似 40

2.自洽计算和结果 45

3.近似能量和波函数 48

第二节 多体效应 52

第三节 界面过渡区的影响 58

第四节 液氦上的电子 61

第一节 引言 62

第四章 次能带光谱 62

第二节 影响次能带光谱的各种因素 63

第三节 远红外光谱 69

第四节 在磁场中的次能带和光学跃迁 75

第五节 喇曼散射光谱 80

第五章 扩展态输运 83

第一节 输运的测量 83

第二节 实验结果 88

1.简介 88

2.300K 范围 90

3.4.2K 范围 91

4.4.2K～90K 96

5.其他表面——n 沟道 97

1.库仑散射 98

第三节 低温的散射机构 98

6.噪声 98

2.表面粗糙度散射 102

3.多个次能带输运 109

第四节 高温下的声子散射 113

第五节 热电子效应 117

第六章 激活态输运 123

第一节 阈值附近的激活电导 123

1.简介 123

2.安德森转变 124

3.“非理想”的激活电导 127

4.衬底偏压 129

5.霍耳效应 132

6.其他实验 133

7.小结 134

第二节 低温下的对数电导 135

第三节 二维杂质带 140

第七章 强磁场中的输运 148

第一节 简介 148

第二节 二维系统中的量子输运理论 149

1.静态输运 149

2.动力学电导率 158

第三节 反型层中的磁输运和量子霍耳效应 161

1.强磁场的情况 161

2.整数量子霍耳效应和分数量子霍耳效应 164

3.弱磁场中的磁致电阻(Shubnikov-de Haas)振荡 169

4.自旋和能谷分裂 171

第四节 回旋共振 176

1.回旋共振的特点 176

2.回旋有效质量 179

3.等离激元和磁等离激元吸收 182

第五节 强磁场中的电子局域化 185

第八章 其他电子结构问题 189

第一节 能谷分裂——超越有效质量近似 189

1.能谷分裂的机制 189

2.Si(100)面上的能谷分裂 199

3.Si(100)近邻面小的微小能隙 204

第二节 能谷简并和应力效应 209

1.Si(111)和(110)面上的能谷简并 209

2.Si(100)上的应力效应 211

3.凯利(Kelly)-法利可夫(Falicov)理论 215

4.其余的发展 220

第三节 电子晶格 222

1.简介 222

2.二维电子晶体 224

3.磁场中的电子晶体 227

第九章 硅 n 沟道以外的系统 231

第一节 硅 P 沟道界面层 231

第二节 Ⅲ-V 族化合物及其他化合物 235

1.能级结构 235

2.InSb 239

3.InAs 240

4.InP 242

5.Hg?-xCdxTe 242

第三节 其他材料上的空间电荷层 243

1.Ge 243

2.Te 245

3.PbTe 246

1.结构 247

4.ZnO 247

第四节 异质结、量子势阱、超晶格 247

2.能级 249

3.光学性质 250

4.输运性质和高电子迁移率晶体管(HEMT) 251

5.磁输运 258

第五节 薄膜 259

第六节 层状化合物和插层石墨 260

第七节 电子空穴系统 260

第八节 在浓氦表面上的电子 261

第九节 金属中磁场感应的表面态 266

结束语 266

附录 特征的度量值 266

参考书目 271