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第1章 半导体物理基础 1

1.1 晶体学基础 1

1.2 硅晶体结构及特点 4

1.3 半导体的能带结构 5

1.4 半导体的基本器件 7

第2章 晶体生长 12

2.1 晶体生长理论 12

2.2 硅材料 12

2.3 晶体的提拉制程 13

2.4 材料特征 17

2.5 仿真基础 21

第3章 氧化/扩散工艺 31

3.1 扩散原理 31

3.2 热氧化 32

3.3 扩散 37

3.4 仿真 44

第4章 光刻工艺 53

4.1 涂胶工艺 53

4.2 曝光工艺 57

4.3 显影工艺 62

4.4 湿法刻蚀 64

4.5 湿法刻蚀仿真 65

第5章 薄膜淀积 68

5.1 化学气相淀积 68

5.2 物理气相淀积 77

5.3 外延生长 83

5.4 仿真基础 85

第6章 等离子体工艺 91

6.1 等离子体 91

6.2 离子注入系统 93

6.3 离子分布与阻滞 96

6.4 离子注入损伤与退火 98

6.5 离子注入工艺 100

6.6 离子刻蚀 101

6.7 等离子体刻蚀工艺 102

6.8 仿真基础 104

第7章 工艺整合 119

7.1 净化室 119

7.2 微电子工艺流程简介 120

7.3 晶体管制造技术 123

7.4 金属化工艺 125

7.5 钝化工艺 125

7.6 PN结 125

7.7 双极型晶体管 129

7.8 CMOS电路 133

第8章 太阳能电池 142

8.1 工作原理 142

8.2 影响太阳能电池效率的因素 143

8.3 多晶体硅太阳能电池工艺 145

8.4 黑硅太阳能电池制备 153

8.5 太阳能电池仿真 160

参考文献 164