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集成电路制造技术 原理与工艺pdf电子书版本下载

集成电路制造技术  原理与工艺
  • 王蔚,田丽,任明远编著 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:9787121117510
  • 出版时间:2010
  • 标注页数:396页
  • 文件大小:63MB
  • 文件页数:404页
  • 主题词:集成电路工艺-高等学校-教材

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图书目录

第0章 绪论 1

0.1 何谓集成电路工艺 1

0.2 集成电路制造技术发展历程 3

0.3 集成电路制造技术特点 5

0.4 本书内容结构 7

第1单元 硅衬底 10

第1章 单晶硅特性 10

1.1 硅晶体的结构特点 10

1.2 硅晶体缺陷 15

1.3 硅晶体中的杂质 18

本章小结 23

第2章 硅片的制备 24

2.1 多晶硅的制备 24

2.2 单晶硅生长 25

2.3 切制硅片 33

本章小结 36

第3章 外延 37

3.1 概述 37

3.2 气相外延 40

3.3 分子束外延 53

3.4 其他外延方法 57

3.5 外延缺陷与外延层检测 60

本章小结 63

单元习题 64

第2单元 氧化与掺杂 66

第4章 热氧化 66

4.1 二氧化硅薄膜概述 66

4.2 硅的热氧化 71

4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 85

4.4 热氧化过程中杂质的再分布 86

4.5 氧化层的质量及检测 90

4.6 其他氧化方法 94

本章小结 97

第5章 扩散 98

5.1 扩散机构 98

5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 101

5.3 杂质的扩散掺杂 105

5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 110

5.5 扩散工艺条件与方法 116

5.6 扩散工艺质量与检测 121

5.7 扩散工艺的发展 125

本章小结 126

第6章 离子注入 127

6.1 概述 127

6.2 离子注入原理 128

6.3 注入离子在靶中的分布 134

6.4 注入损伤 142

6.5 退火 146

6.6 离子注入设备与工艺 153

6.7 离子注入的其他应用 156

6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 160

本章小结 163

单元习题 164

第3单元 薄膜制备 166

第7章 化学气相淀积 166

7.1 CVD概述 166

7.2 CVD工艺原理 167

7.3 CVD工艺方法 173

7.4 二氧化硅薄膜的淀积 183

7.5 氮化硅薄膜淀积 189

7.6 多晶硅薄膜的淀积 193

7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 197

本章小结 201

第8章 物理气相淀积 202

8.1 PVD概述 202

8.2 真空系统及真空的获得 203

8.3 真空蒸镀 207

8.4 溅射 215

8.5 PVD金属及化合物薄膜 225

本章小结 230

单元习题 231

第4单元 光刻 234

第9章 光刻工艺 234

9.1 概述 234

9.2 基本光刻工艺流程 235

9.3 光刻技术中的常见问题 242

本章小结 243

第10章 光刻技术 244

10.1 光刻掩膜版的制造 244

10.2 光刻胶 254

10.3 光学分辨率增强技术 258

10.4 紫外光曝光技术 267

10.5 其他曝光技术 271

10.6 光刻设备 279

本章小结 284

第11章 刻蚀技术 285

11.1 概述 285

11.2 湿法刻蚀 286

11.3 干法刻蚀 290

11.4 刻蚀技术新进展 302

本章小结 303

单元习题 304

第5单元 工艺集成与封装测试 306

第12章 工艺集成 306

12.1 金属化与多层互连 306

12.2 CMOS集成电路工艺 313

12.3 双极型集成电路工艺 322

本章小结 327

第13章 工艺监控 328

13.1 概述 328

13.2 实时监控 329

13.3 工艺检测片 329

13.4 集成结构测试图形 335

本章小结 342

第14章 封装与测试 343

14.1 芯片封装技术 343

14.2 集成电路测试技术 354

本章小结 366

单元习题 367

附录A 微电子器件制造生产实习 368

A.1 硅片电阻率测量 368

A.2 硅片清洗 371

A.3 一次氧化 373

A.4 氧化层厚度测量 374

A.5 光刻腐蚀基区 375

A.6 硼扩散 377

A.7 pn结结深测量 379

A.8 光刻腐蚀发射区 380

A.9 磷扩散 381

A.10 光刻引线孔 382

A.11 真空镀铝 382

A.12 反刻铝 383

A.13 合金化 384

A.14 中测 385

A.15 划片 385

A.16 上架烧结 386

A.17 压焊 386

A.18 封帽 387

A.19 晶体管电学特性测量 387

附录B SUPREM模拟 391

B.1 SUPREM软件简介 391

B.2 氧化工艺 392

B.3 扩散工艺 392

B.4 离子注入 393

参考文献 394

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