图书介绍
半导体器件的数值分析pdf电子书版本下载
- (日)仓田卫著;张光华译 著
- 出版社: 北京:电子工业出版社
- ISBN:15290·141
- 出版时间:1985
- 标注页数:272页
- 文件大小:7MB
- 文件页数:288页
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图书目录
1.1 器件模型化的定义 1
第一章 一般概念 1
1-1 器件模型化的概念 2
1-2 晶体管中各分区的杂质分布 3
1.2 器件分析中局部法的历史 3
1.3 当代器件模型化的发展 4
第二章 器件模型化的物理基础 8
2.1 本征和非本征半导体 8
2.2 载流子迁移率 9
2.3 载流子输运方程 10
2-1 迁移率参数 10
2.4 连续性方程 载流子复合和产生 12
2-2 电离率参数 14
2.6 半导体器件的基本方程 14
2.5 泊松(Poisson)方程 14
2.7 过量载流子密度及其积分 15
3.1 p-n结的基本分析 18
第三章 数值分析引论 18
3-1 线性缓变结 19
3-2 ψ、φp和φn的分布 20
3.2 线性缓变p-n结的数值解 22
3-3 计算得到的几个迭代次数的势 25
3-1 起始的势梯度与迭代次数的关系 26
3-4 三对角矩阵的解算法 29
第四章 p-n二极管 31
4.1 基本考虑 31
4-1 p n二极管的基本结构 31
4.2 直流稳态分析 35
4-2 用于直流分析的分割点 36
4-3 数值解程序的流程图 45
4.3 瞬态计算 46
4-4 基于前步解之上的试探性势 46
4-5 瞬态分析的分割点 47
4.4 简化型的瞬态计算 50
4.5 计算举例1:基本的二极管恢复过程 54
4-6 考虑中的二极管的掺杂剖面分布 55
4-7 二极管反向恢复的基本电路 56
4-8 恢复过程中的载流子分布 60
4-9 恢复过程中的电场分布 60
4-10 直流和瞬态条件下的Qexc对V作图的轨迹 62
4-11 二极管电流的波形 63
4.6 计算举例2:功率限幅二极管特性 63
4-12 並联二极管限幅器的基本电路 64
4-13 计算的二极管电压(a)和电流(b) 65
4-14 电场的瞬时分布(a)和过量载流子的瞬时分布(b)v1=1μm,Vm=100V 67
4-15 电场的瞬时分布(a)和过量载流子的瞬时分布(b),w1=1μm,Vm=900V 69
4-16 电场的瞬时分布(a)和过量载流子的瞬时分布(b),w1=2μm,Vm=900V 71
4-18 NB=2×1014、1015、5×1015cm-3的二极管的电压波形 72
4-17 wI=0.5、1、2μm的二极管的电压波形 72
第五章 晶体管 74
5.1 基本考虑 74
5-1 晶体管的基本结构(a)和掺杂剖面分布(b) 75
5.2 基本方程和边界条件 75
5.3 矩阵-矢量方程 77
5-2 基极电流的概略图:(a)真实的情形(b)和一维近似 79
5.4 大信号瞬态计算 81
5-3 基于先前解之上的试探性势 81
5.5 p-n-p晶体管的程序转换 82
5-4 四种不同的一维模型间的相互关系 82
5.6 计算用的输入数据 84
5-5 晶体管的掺杂函数 86
5-1 图5-5中所示晶体管的分割点方案 87
5.7 计算结果的输出数据表 88
5-2 (VBE,VBC)=(0.8,-1)V情形下计算的结果 90
5.8 计算结果:器件内部的现象 101
5-6 VBC=-1 V时的载流子分布 102
5-7 VBC=-1 V时的电场分布,(a)发射区、(b)基区、(C)集电区、 104
5-8 VBC=-10 V时的载流子分布 106
5-9 VBC=-10 V时的电场分布,(a)基区(b)集电区 107
5-10 VBE=-1 V时的载流子分布 108
5-11 BE=-1 V时的电场分布 109
5.9 计算结果:端特性 110
5-12 正向和反向输入IV特性 110
5-13 正向和反向共发射极电流放大系数 111
5-14 输出IV特性 112
5.10 晶体管的大信号等效电路 113
5-15 电容~电压特性 114
5-16 晶体管的等效电路 115
6.1 基本考虑 117
第六章 晶闸管 117
6-1 基本的晶闸管结构(a)和IV特性(b) 118
6.2 按照电压控制型模型进行晶闸管计算 119
6-1 考虑中的晶闸管的分割点方案 120
6-2 晶闸管(a)和假定的二极管(b)的概略的掺杂分布 122
6.3 计算结果 122
6-3 载流子分布 123
6-4 电场分布 124
6-5 I—V特性 125
6.4 二极管/晶闸管模型化中电流控制型公式 127
6-6 电流控制型公式的边界位置 132
6.5 矢量模数限制法 133
6.6 计算结果 135
6-2 晶闸管的分割点方案 136
6-7 均匀寿命情形的IV特性 137
6-8 类似突变寿命分布的IV特性 137
6-9 维持电流与寿命关系的特性(A)均匀的T,(B)类似突变的T 138
6-10 类似突变的寿命分布 139
第七章 二维模型 141
7.1 基本公式 141
7-1 二维分析的网格点和边界条件 142
7.2 边界条件 145
7.3 牛顿方法和方程的线性化 147
7.4 边界条件的线性化 150
7.5 牛顿-SLOR法 152
7.6 几何结构、掺杂函数和网格点方案 153
7-2 晶体管的全部网格点方案 154
7-1 晶体管尺寸的数据 154
7-2 x和y方向网格点的间距 155
7-3 晶体管的掺杂函数 155
7.7 SLOR单元和线性方程的确定 156
7.8 开始进行牛顿迭代的试探性值 158
7-4 用于二维分析的试探性势 159
7.9 关于计算程序的几点注释 160
7-5 牛顿-SLOR方法的流程图 162
7.10 晶体管分析的实际计算时间 164
7-3 包括松弛参数值在内的工作条件一览表 165
7.11 快速求解法 166
7.12 检验计算结果的方法 166
7-4 (VBE,VBC)=(0.8-5)V条件下的计算结果 168
7.13 计算结果 172
7-5 端电流随牛顿-SLOR迭代次数增加的变化 172
7-6 对(VBE,VBC)=(0.6,-5)V条件计算得到的结果:载流子分布(a),发射区基区内的势分布(b),和集电区内的势分布(c) 175
7-7 对(VBE,VBC)=(0.8,-5)V条件计算得到的结果:载流子分布(a),发射区-基区内的势分布(b),和集电区内的势分布(c) 178
7-8 对(VBE,VBC)=(0.98,-5)V条件计算得到的结果:载流子分布(a),发射区-基区内的势分布( b),和集电区内的势分布(c) 181
7-9 对(VBE,VBC)=(2.3,-5)V条件计算得到的结果:载流子分布(a),发射区-基区内的势分布(b),和集电区内的势分布(c) 184
7-10 各电极上的电流分布:发射极(a),基极(b),和集电极(c) 187
7-11 IE~VBE特性 188
7-12 基区丙φPB的侧向分布 189
7-13 IB~VBE特性 190
7-14 hFE~Ic特性 191
8.1 近似形式的泊松方程 193
第八章 反向偏置p-n结的二维场分析 193
8-1 负倾斜(a)和正倾斜(b)的基本结构 194
8.2 边界条件 195
8-2 反向偏置p-n结的势分布 196
8.3 方程的线性化和牛顿迭代 197
8.4 有限元公式 198
8-3 用于有限元法的三角形元 200
8.5 线性矩阵-矢量方程组的解:Choleski-波前法 202
8-4 矩形分成三角形元 204
8-5 对应于图8-4的矩阵(a)和非零元素表(b) 204
8-1 Choleski-波前法计算过程中部分和的数据 206
8.6 计算结果 207
8-6 θ=20.56度负倾斜情形的电场分布 209
8-7 θ=59.04度负倾斜情形的电场分布 210
8-8 θ=45度正倾斜情形的电场分布 211
8-9 最大电场相对倾斜角的特性 211
第九章 混合二维模型 213
9.1 晶闸管模型的基本公式 213
9-1 具有外部电路的晶闸管芯片 215
9.2 非线性电路元件和线性化形式之间的函数关系 216
9-2 晶闸管五个分段的等效电路 216
9.3 节点方程的线性化 219
9-3 五段模型的矩阵-矢量方程 222
9.4 依据一维晶体管/晶闸管分析决定电路元件方程 226
9-4 发射区 基区内一维的势分布 227
9-1 JE~VBE和VBE特性的数据 228
9-5 n p n晶体管正常有源工作条件下?和VBE特性 229
9-6 p n p晶体管正常有源工作条件下?和VEB特性 230
9-7 晶闸管一维的势分布 231
9-2 J~V和Vn-基区的数据 232
9-8 具有模拟曲线的J~V特性 233
9-9 反向有源工作的n p n和p n p晶体管的J~V特性 234
9-10 正向有源工作的n p n晶体管的电流放大系数 235
9-11 反向有源工作的n p n晶体管的电流放大系数 236
9-13 反向有源工作的p n p晶体管的电流放大系数 237
9-12 正向有源工作的p n p晶体管的电流放大系数 237
9-14 n p n晶体管发射极电容~V BE特性 239
9-15 p n p晶体管发射极电容~V EB特性 240
9.5 计算结果 241
9-16 晶闸管芯片分割成五段 242
9-17 栅极电压波形 242
9-3 瞬态计算中选取的时间步长 243
9-4 模型随段数变化一览表 244
9-18 总的阳极电流和各段阳极电流的瞬态波形 244
9-19 以段数作参数画出的阳极电流波形 245
9-21 等离子扩展速度与阳极电流特性的关系 246
9-20 最大电流密度与第一段宽度的关系 246
附录A 与电流方程有关的矩阵非奇异性问题 248
附录B 矩阵和矢量元素表 251
附录C 偏导数 254
附录D 解三角块矩阵方程的递归法 259
附录E 用于电流控制型矩阵 矢量元素表的公式 261
附录F 解电流控制型矩阵 矢量方程的递归法 263
附录G 二维问题中的矩阵和矢量元素表 266
附录H SOR、SBOR和SLOR法 271