图书介绍
李志坚文集 上pdf电子书版本下载
- 李志坚著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030270908
- 出版时间：2010
- 标注页数：533页
- 文件大小：67MB
- 文件页数：553页
- 主题词：电子技术－文集
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图书目录
（上） 3
战略展望 3
微电子技术发展的回顾与展望 3
VLSI的极限和器件图形微细化 9
集成电路技术的进展与展望 15
器件物理 25
三硫化二锑多晶薄膜的光电导性 25
晶粒间层势垒在硫化铅多晶薄膜光电导中的作用 30
P型硅MOS结构C（t）不稳定性研究 36
用MIS结构C（t）特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命 45
绝缘衬底上硅膜的激光侧向外延 55
关于MOS结构深耗尽c（v）特性的转折现象 59
Si/SiO2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q（V）法 62
硅耗尽层少子产生率的强电场效应 73
瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究 85
硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱 92
MOS界面态电荷瞬态谱方法 102
FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析 114
MISIS结构的电特性和C（V）研究 123
MOS器件三维数值模拟 131
氮离子注入形成Si3N4埋层构成的SiO2/Si/Si3N4/Si多层结构的研究 138
对MOS器件与虚拟节点法的三维分析方程 146
零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定 162
注砷硅快速热退火过程研究 174
再结晶SOI中应力的拉曼谱特征 182
定域SOI区熔再结晶研究 187
通过增加硅层厚度的横向种子外延增强的区熔再结晶 195
一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型 199
高速区熔再结晶形成SiO2上的无缺陷硅单晶膜 205
亚微米MOSFET热载流子退变的二维计算机模拟和分析 216
考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析 223
用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理 228
快速热退火硅中微缺陷分析 235
漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究 240
不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究 246
77K NMOSFET沟道热载流子注入效应 253
BMHMT-Bi-MOS混合模式晶体管 258
BMHMT：器件与模型 265
77K Fowler-Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究 269
衬底正偏的MOSFET的近似模型 275
集成电路技术 283
MOS LSI自给衬偏电路的研究与改进 283
T－多值代数及其电路 292
用于实时专家系统的CMOS电流型高速模糊逻辑微处理器 295
用于二进制图像处理的浮栅模拟MOS管神经网络 305
具有神经网络结构的模糊控制器的芯片实现 314
基于模糊逻辑神经网络的智能学习控制研究 322
一种电流模式的汉明神经网络 328
基于本征晶体管特性和具有集合计算能力的物理系统 333
应用神经网络和模糊逻辑实现手写数字识别 337
基于模糊向量离散化和模糊逻辑的语音识别 344
用于孤立字识别的扇形矩阵向量离散化和模糊逻辑 351
用于模式识别的多端输入模糊处理器 359
一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路 363
基于自学模糊逻辑神经网络系统的智能控制器 370
模糊逻辑语音识别中两种隶属关系和多级因子函数的对比 377
具有不同阈值和多值权重的改进汉明神经网络 383
一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用 388
一种开关电容模糊控制器 395
系统集成技术 405
多晶硅应变膜压力传感器 405
一种压力传感器的新型结构 411
硅盒结构集成MOS环振式压力传感器 422
微型静电开关的制作工艺研究和它在V-F转换器中的应用 427
基于压阻单晶硅膜的触觉传感器阵列 432
微多晶硅梁开关振荡器 439
阵列式CMOS磁场传感器 446
一种结构改进了的硅基微静电马达 451
一种硅基集成微晃动马达 455
硅基微静电马达 459
微机械梁内应力测量方法的研究 464
微机电系统中薄膜机械特性的测量方法研究 473
微马达转速的片上检测 477
微加工中薄膜机械特性测量的新方法：梁牵引电压法和长梁挠曲法 484
压力传感器温度漂移补偿的一种新方法 496
一种硅基集成微马达 501
（100）硅KOH各向异性腐蚀中凸角补偿的新方法 506
应用纹膜技术的硅电容麦克风的设计与制作 512
纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究 526
（中） 537
战略展望 537
21世纪微电子技术发展展望 537
铁电-硅微集成系统 542
用于通信领域中的MEMS器件 550
硅基铁电信息存储技术 557
微麦克风的研究及展望 563
从微电子学到纳电子学——电子科学技术的又一次革命 568
器件物理 577
深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计 577
超薄氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中GIDL效应的研究 583
SOI MOSFET自加热效应的建模 589
多晶提升源漏的MOSFET的优化 592
一种新型的全抑制浮体和自加热效应的DSOI结构 595
深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计 601
包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型 607
包含自加热效应的短沟道SOI MOSFET直流模型 614
MOSFET反型层迁移率的普适性讨论 620
深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析 626
量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响 633
亚微米及深亚微米常规和LDD MOSFET性能研究 638
亚0.1μm栅衬互连体硅MOSFET特性研究 644
MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正 651
MOS结构有效态密度方法的量子力学校正 656
基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型 669
应用变分方法的统一MOSFET短沟道因数 674
MOS结构反型层中量子力学效应的简化研究方法 681
一种新的MOS结构量子化效应修正模型 687
利用不均匀网格的比例变换方法求解薛定谔方程 695
MOS结构反型层和积累层建模中三角电势阱近似的正确性与适用性 701
MOS反型层中基于空间电荷电容的电荷电压解析模型 709
包含全部量子力学效应的现代MOSFET综合解析电荷控制和I-V模型 717
pMOSFET量子力学效应阈值漂移的表征与建模 725
一种包含量子力学效应的MOS结构反型层电荷新模型 735
MOS结构中量子化反型层的简并 746
MOS结构阈值区域的量子力学效应的综合分析 754
硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究 766
钛酸铅铁电薄膜研究 772
MOS结构反型层中载流子分布和栅电容的表征与建模 776
充分考虑量子力学效应的亚微米和深亚微米MOSFET解析电荷控制和I-V模型 792
硅薄膜晶格热导率分析 807
硅基铁电薄膜的电性能研究 812
集成电路技术 819
一种用于模式识别的多输入模糊处理器 819
一种面向VLSI实现的手写体数字识别系统 824
单体模糊神经网络：在智能控制中的应用及VLSI实现 834
双MOS晶体管等效电阻 839
可编程模糊逻辑控制器芯片的设计 845
纹膜结构微麦克风的动态特性：使用EDA/CAD工具进行Top-down设计 852
多值模糊最小最大神经网络分类器的递归算法 861
系统集成技术 871
单芯片纹膜微型硅电容麦克风的理论和实验研究 871
集成流体系统的单芯片制作 883
清华大学MEMS技术的研究发展 894
三维MEMS结构的单芯片制作新技术 903
微流量泵与微流量传感器的系统集成 908
新型双轴电容式微加速度传感器优化设计研究 912
利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术 918
硅集成微型泵系统的优化设计和兼容工艺研究 923
铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究 929
具有多晶固定轴承的晃动马达制作工艺 934
改进微静电马达的摩擦与磨损 939
用于坡莫合金微结构阵列电沉积的等离子干法刻蚀的P型硅微模 944
一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究 950
一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究 955
一种新型集成微麦克风和扬声器的设计 961
基于微电子机械系统技术的高灵敏度电容式微传声器的研制 966
集成MOS力敏运放压力传感器 975
一种新的FET型铁电非挥发存储器的单元和阵列结构 980
一种改进的铁电电容行为模型 987
Bi2Ti2O7基金属-铁电-半导体FET研究 992
微机械平面螺旋电感的Q值分析与结构优化 996
硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究 1002
用于微声学器件的新型单芯片纹膜的动态特性 1007
其他 1017
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 1017
（下） 1025
战略展望 1025
关于摩尔定律延伸的探讨 1025
微电子技术发展与物理学 1033
GMR生物传感器研究进展 1046
从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展 1053
器件物理 1077
溶胶凝胶法制备的Mn掺杂BST薄膜的XPS特性 1077
用于MEMS的（100）取向PZT薄膜的制备 1084
溶胶凝胶法制备的硅基BST薄膜的特性 1091
用于集成器件的硅基压电薄膜的制备和刻蚀 1098
薄膜体声波谐振器的建模和仿真 1105
厚度均匀的BST铁电厚膜及其在射频MEMS器件中的应用 1112
氧注入制作的SOI中埋氧热导率的测量 1121
Mn掺杂BST薄膜的制备与表征 1126
溶胶凝胶法制备的Mn掺杂BST薄膜的特性 1132
局部注氧隔离制作的新型DSOI MOSFET的热学特性研究 1137
硅基PLZT厚膜的制备和特性研究 1143
DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较 1150
用于FeFET的PZT基MFS结构 1157
剥离法制作高品质PZT厚膜 1164
用于MFSFET的硅基PLZT薄膜的制备和特性 1171
多层Ge量子点的光学特性和结构研究 1178
集成电路技术 1185
一种多分辨率组合的模糊神经网络分类器 1185
模拟神经元电路实现研究现状与进展 1197
一种基于超盒表示的规则提取方法 1215
用于规则模式分类的模糊Petri网 1225
使用学习样本构建的模糊控制系统在倒立摆中的应用 1234
用于MFSFET的硅基PZT薄膜的制备和特性 1239
一种模拟自适应模糊控制器的设计 1246
基于电荷泵实现的模糊控制器去模糊电路设计 1256
新结构重心法去模糊单元电路设计 1262
系统集成技术 1271
高灵敏度微机械薄膜的设计、模拟与优化 1271
梁式铁电－硅微麦克风和扬声器的设计优化 1281
超声波激励的（100）硅各向异性腐蚀研究 1288
具有高灵敏度圆形纹膜的单芯片电容式微麦克风 1297
硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响 1305
溶胶凝胶法铁电三明治结构的制备和表征 1312
硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的sol-gel新方法 1319
新型非平面振膜电容式换能器的比较研究 1326
用于FeRAM的高品质铁电电容 1335
一种新型的单FET铁电非挥发存储器的单元和阵列结构 1341
具有PZT薄膜驱动悬臂式微镜的新型微光学开关阵列 1346
硅微机械悬浮结构电感的设计与制作工艺研究 1353
使用DRIE和背面刻蚀技术的单芯片电容式微麦克风 1361
体声波滤波器的表面微加工 1373
PZT基射频滤波器的优化 1380
一种新型的铁电微麦克风 1387
大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性 1392
微电子应用中的压电和铁电薄膜 1398
用于射频通讯的PZT的高频特性 1407
基于硅基铁电薄膜的微麦克风 1413
三轴压电加速度计的设计 1419
局部注氧隔离制作的DSOI MOSFET的实验结果 1426
用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容 1435
基于高品质PZT的压电微麦克风的制作 1441
用于MEMS硅模技术制备的高品质PZT厚膜 1448
Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻性能的影响 1454
用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀D 1457
用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备 1461
热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响 1464
多孔硅作为牺牲层的镂空氧化物薄膜上平面线圈的制作 1472
通过控制Si的浓度实现具有均匀形状和大小的自组装SiGe岛 1481
高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究 1486
硅基微波和射频MEMS器件制作中的关键技术 1492
具有复合薄膜的压控电容研究 1501
利用新型建模方法进行线圈电感调谐的RF MEMS旁路开关设计 1509
用于铁电存储器的反应离子刻蚀和离子束刻蚀 1517
硅基铁电器件中的关键集成技术和问题 1523
铁电－硅集成微麦克风和扬声器研究 1533
三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作 1542
RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响 1545
氧化多孔硅上制作Cu电感的研究 1551
两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化 1557
高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究 1569
一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作 1578
斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究 1587
一种X波段RF MEMS开关的设计与制作研究 1593
高灵敏度简单自旋阀中GMR和NiFe层厚度的关系 1600
介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响 1607
高阻衬底上双层线圈大值电感研究 1614
旁路电容式RF MEMS开关的可靠性研究 1622
SP4T RF MEMS开关的键合封装 1630
低损耗衬底上的一种无源低通滤波器 1638
基于压电薄膜的微声学器件 1647
PZT基超声换能器性能一致性的改进 1657
应用于0～10GHz的介质桥膜型MEMS串联接触开关 1665
一种旁路电容式RF MEMS开关的动态特性研究 1672
应用改进结构的超薄单晶硅薄膜热导率的测量 1678
使用传统光刻和气体各向同性刻蚀的氮化硅纳米机械结构的制作 1685
多层复合结构应变硅材料的生长和特性 1692
一种新型三谐振点电容式RF MEMS开关 1700
PZT基微麦克风阵列的方向性优化 1706
退火温度对溅射法制备的PZT薄膜性能的影响 1715
一种SiON介质桥膜结构的串联接触MEMS开关的实现 1723