MOS集成电路工艺与制造技术pdf电子书版本下载

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第1章 硅衬底与清洗 1

1.1硅晶圆 1

1.2 P型硅衬底 5

1.3 N型硅衬底 7

1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底 10

1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底 13

1.6硅片激光编号 16

1.7硅片清洗分类及其步骤 18

1.8硅片各种清洗液及其清洗 20

第2章 热氧化 27

2.1硅表面热氧化 27

2.2初始氧化（Init-Ox） 30

2.3基底氧化（Pad-Ox） 33

2.4预氧化（Pre-Ox） 36

2.5场区氧化（F-Ox） 39

2.6预栅氧化（Pre-Gox） 43

2.7栅氧化（G-Ox） 46

2.8 Poly氧化（Poly-Ox） 50

2.9硅化物氧化 53

2.10源漏区氧化（S/D-Ox ） 55

第3章 热扩散 59

3.1杂质热扩散 59

3.2硼的固态源（BN）扩散 62

3.3硼的液态源[B （CH3O） 3]扩散 66

3.4硼的气态源扩散 70

3.5磷、砷、锑的固态源扩散 71

3.6磷的液态源扩散 72

3.7磷、砷的气态源扩散 77

3.8 Poly的液态源磷掺杂 77

第4章 离子注入及其退火 81

4.1离子注入掺杂 81

4.2埋层BLN+区锑离子注入与推进 85

4.3埋层BLP+区硼离子注入与推进 89

4.4 P-Well或深P-区硼离子注入与推进 93

4.5 N-Well或深N-区磷离子注入与推进 97

4.6双阱（Twin-Well）的硼/磷离子注入与推进 101

4.7 P场区硼离子注入 105

4.8 N场区砷或磷离子注入 108

4.9基区（Pb）硼离子注入与推进 110

4.10基区（Nb ）磷离子注入与推进 114

4.11 P沟道区离子注入与退火 117

4.12 N沟道区离子注入与退火 121

4.13 Poly的磷或砷离子注入与退火 124

4.14 NLDD区磷或砷离子注入 128

4.15 PLDD区硼离子注入 132

4.16 Halo区注入 134

4.17 N+区磷或砷离子注入 137

4.18 P+区硼或二氟化硼离子注入与退火 140

4.19快速热处理 144

第5章 硅外延 147

5.1硅外延生长 147

5.2 P+衬底生长P型外延层 149

5.3 N+衬底生长N型外延层 153

5.4 P衬底生长P型外延层 156

5.5 P型衬底生长N型外延层 159

第6章 化学气相淀积 163

6.1 CVD技术及其类型 163

6.2 LPCVD淀积Si3N4薄膜 165

6.3 LPCVD淀积Poly薄膜 168

6.4 LPCVD淀积LTO薄膜 170

6.5 LPCVD淀积TEOS薄膜 173

6.6 APCVD淀积PSG薄膜 176

6.7 APCVD淀积BPSG/LTO（或BPSG）薄膜 179

6.8 TEOS、PSG、BPSG/LTO、LTO致密（或增密） 182

6.9 BPSG/LTO流动/注入退火 185

6.10 HDPCVD淀积SiO2薄膜 188

第7章 光刻 192

7.1微细加工技术 192

7.2硅衬底表面处理 195

7.3涂负性光刻胶 196

7.4涂正性光刻胶 198

7.5对准与曝光 201

7.6显影/坚膜 203

第8章 腐蚀和刻蚀 208

8.1选择性腐蚀和刻蚀 208

8.2坚膜（或固胶） 210

8.3去底膜 212

8.4无胶SiO2膜漂蚀 214

8.5腐蚀SiO2膜（有胶） 217

8.6硅衬底正面三层或四层腐蚀 220

8.7硅衬底背面四层腐蚀 224

8.8 PSG/SiO2或PSG腐蚀 227

8.9 BPSG/LTO/SiO2或BPSG腐蚀 230

8.10 TEOS/SiO2或TEOS腐蚀 233

8.11铝膜腐蚀 235

8.12 LTO/PSG钝化膜腐蚀 238

8.13 Si3N4刻蚀 241

8.14 Poly或硅化物（WSi2， TiSi2）/Poly刻蚀 245

8.15 Si衬底沟槽刻蚀 249

8.16 SiO2刻蚀 252

8.17 TEOS或Si3N4侧墙刻蚀 255

8.18金属膜刻蚀 258

8.19 PECVDSi3N4/PSG钝化膜刻蚀 262

8.20去胶 264

第9章 金属化 267

9.1金属互连 267

9.2铝及其合金薄膜 269

9.3铝加热合金 272

9.4阻挡层金属 275

9.5硅化物形成 278

9.6钨（W） 282

9.7铜互连 285

9.8平坦化及其光刻胶反向刻蚀 289

9.9 SOG反向刻蚀平坦化 292

9.10化学机械抛光（CMP） 295

9.11铝多层金属化 298

9.12铜多层金属化 302

9.13硅衬底背面蒸发金膜 306

第10章 表面钝化 309

10.1钝化技术 309

10.2 PECVD SiO2钝化膜淀积 311

10.3 PECVD PSG钝化膜淀积 314

10.4 PECVD Si3N4钝化膜淀积 316

10.5 PECVD SiO2/PSG钝化膜淀积 319

10.6 PECVD Si3N4/PSG钝化膜淀积 321

10.7硅衬底背面减薄 324

第11章CMOs工艺集成 327

11.1集成电路中的隔离技术 327

11.2集成电路的工艺集成 328

11.3铝栅P-Well CMOS（薄场） 330

11.4铝栅P-Well CMOS（厚场） 334

11.5 P-Well CMOS 337

11.6 N-Well CMOS 346

11.7 Twin-Well CMOS 350

11.8逆向Twin-Well CMOS 355

11.9 LV/HV兼容P-Well CMOS 360

11.10 LV/HV兼容N-Well CMOS（A） 369

11.11 LV/HV兼容N-Well CMOS（B） 374

11.12 LV/HV兼容 Twin-Well CMOS 380

第12章BiCMOS工艺集成 387

12.1 P-Well BiCMOS[C] 387

12.2 P-Well BiCMOS[B] 391

12.3 N-Well BiCMOS[B] 398

12.4 Twin-Well BiCMOS[B] 407

12.5 LV/HV兼容P-Well BiCMOS[C] 413

12.6 LV/HV兼容P-Well BiCMOS[B] 417

12.7LV/HV兼容N-Well BiCMOS[B] 424

12.8 LV/HV兼容Twin-Well BiCMOS[B] 430

第13章BCD工艺集成 442

13.1 LV/HV兼容P-Well BCD[C] 442

13.2 LV/HV兼容N-Well BCD[C] 446

13.3 LV/HV兼容P-Well BCD[B]-（A） 451

13.4 LV/HV兼容P-Well BCD[B]-（B） 462

13.5 LV/HV兼容Twin-Well BCD[B] 468

附录1工艺规范目录表 475

附录2术语缩写对照 478

附录3简要叙述 482

附录4 P-Well BiCMOS[B]工艺制程 483

参考文献 489