离子注入物理pdf电子书版本下载

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出版说明 1

前言 1

第1章 离子注入装置 1

§1-1 装置的结构 1

目录 1

§1-2 基本工作原理 2

附录1-1 离子注入用主要气体源性质 8

附录1-2 几种天然元素及离子源工作物质的性质 10

§2-1 射程、投影射程及标准偏差 11

§2-2 入射离子在固体中的减速过程 11

第2章 注入离子的射程分布 11

§2-3 非晶靶的射程分布理论 19

§2-4 沟道运动及单晶靶中射程分布 28

§2-5 射程分布理论的应用 34

附录2-1 两粒子碰撞的散射角 37

附录2-2 Si靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 40

附录2-3 GaAs靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 41

附录2-4 SiO2靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 41

第3章 离子注入的损伤和退火效应 43

§3-1 离子注入引起的损伤 43

§3-2 离子注入损伤的分布 48

§3-3 热退火效应 51

§3-4 其他退火方式 55

§3-5 增强扩散 60

§3-6 反冲注入 62

第4章 化合物半导体中的离子注入 64

§4-1 注入损伤及其退火特性 64

§4-2 半绝缘GaAs中的离子注入 71

§4-3 GaAs中的质子注入和O+注入 73

§4-4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入 75

第5章 测量技术 77

§5-1 背散射测量 77

§5-2 放射性活化分析 82

§5-3 微分薄层电阻率法 85

§5-4 霍耳效应测量法 87

§5-5 电容-电压法 88

§5-6 椭偏光测量法 91

第6章 离子注入技术在器件中的应用 94

§6-1 离子注入技术特点 94

§6-2 在MOS器件中的应用 95

§6-3 在双极器件中的应用 102

§6-4 在其他硅器件中的应用 107

§6-4 在化合物半导体器件中的应用 108

§6-6 在其他工艺上的应用 110