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电子工业生产技术手册  2  电子元件卷
  • 《电子工业生产技术手册》编委会编 著
  • 出版社: 北京:国防工业出版社
  • ISBN:7118002135
  • 出版时间:1991
  • 标注页数:832页
  • 文件大小:30MB
  • 文件页数:848页
  • 主题词:

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图书目录

目录 1

第9篇 电子陶瓷材料及器件 1

1.1 电子陶瓷材料的类别 3

第1章 电子陶瓷材料及器件的应用与发展 3

1.3.1 电子陶瓷材料展望 6

1.3 电子陶瓷材料及器件展望 6

1.2 电子陶瓷材料的组成和组织结构 6

1.3.2 电子陶瓷元器件的发展 7

2.1.3 长石 8

2.1.2 石英 8

第2章 电子陶瓷原材料及配方 8

2.1 电子陶瓷用矿物原材料 8

2.1.1 菱镁矿 8

2.1.7 粘土 9

2.1.6 滑石 9

2.1.4 方解石 9

2.1.5 萤石 9

2.2.1 二氧化钛 10

2.2 电子陶瓷用化工材料 10

2.2.3 氧化镧 11

2.2.2 二氧化锆 11

2.2.6 五氧化二铌 12

2.2.5 二氧化锡 12

2.2.4 氧化铝 12

2.2.9 碳酸钙 13

2.2.8 三氧化二铋 13

2.2.7 氧化铅 13

2.3.1 电阻基体用陶瓷 14

2.3 装置瓷组成与性能 14

2.2.10 碳酸锶 14

2.2.11 碳酸钡 14

2.3.2 氧化铝瓷 15

2.3.3 高导热系数陶瓷 16

2.3.5 滑石类低介瓷 18

2.3.4 氮化硅瓷 18

2.4.2 金红石瓷(TiO2) 19

2.4.1 一些金属氧化物及其盐类 19

2.4 电容器介质陶瓷 19

2.4.6 硅钛钙系瓷 20

2.4.5 钛酸镁-钛酸钙瓷 20

2.4.3 钛酸钙瓷 20

2.4.4 钛酸镁瓷(MgTiO3) 20

2.4.7 镁镧钛系瓷 21

2.4.8 钛酸镍-二氧化钛瓷 22

2.4.10 铌酸钙瓷 23

2.4.9 氧化锆-氧化钛系瓷 23

2.4.13 锆酸钙-钛酸钙系瓷 24

2.4.12 钛酸钡-钛酸铋(镧、铈)瓷 24

2.4.11 钛酸钙-钛酸锶-钛酸铋瓷 24

2.4.16 锡酸钙-钛酸钙瓷 25

2.4.15 锆酸锶-钛酸钙瓷 25

2.4.14 锆酸钙-铌酸钙-钛酸钙(钛酸锶)系瓷 25

2.4.17 钡钛钕系瓷 26

2.5.2 钛酸钡-锡酸盐系瓷 27

2.5.1 钛酸钡-钛酸盐瓷 27

2.4.18 微波陶瓷 27

2.5 高介铁电瓷 27

2.5.4 钛酸钡-多种盐系瓷 28

2.5.3 钛酸钡-锆酸盐系瓷 28

2.6.2 铌铋镁系瓷(MgO-Bi2O3-Nb2O5) 29

2.6.1 铌铋锌系瓷(ZnO-Bi2O3-Nb2O5) 29

2.6 低温烧结独石电容器瓷 29

2.6.5 铌镁酸铅-铌铁酸铅系瓷 30

2.6.4 钨镁酸铅-钨镉酸铅系瓷 30

2.6.3 钨镁酸铅系瓷〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕 30

2.8 边界层陶瓷介质(BL介质) 31

2.7 电容器介质用微晶玻璃 31

2.9 压电陶瓷材料 33

2.10电致伸缩陶瓷材料 35

3.1.1 矿物和化工原料的制备 36

3.1 陶瓷坯料的制备 36

第3章 瓷件制造方法 36

3.1.2 烧块的合成 38

3.1.3 坯料的细磨 39

3.1.4 除铁、过筛、搅拌、压滤、干燥 42

3.1.5 陶瓷粉料特性 44

3.2 坯件成型 45

3.2.1 挤压成型 47

3.2.2 注塑成型 50

3.2.3 旋坯成型和整挤一次成型 51

3.2.5 轧膜成型 56

3.2.6 挤膜成型 59

3.2.7 流延成型 62

3.2.4 注浆成型 63

3.2.9 热压铸成型 68

3.2.8 陶瓷薄膜的其它成型方法 68

3.2.10 干压成型 73

3.2.11 静水压成型工艺 74

3.2.12 干坯加工成型 76

3.3.1 陶瓷坯件的干燥过程 81

3.3 陶瓷坯件的干燥 81

3.3.2 影响干燥速度的因素及干燥规范 82

3.3.4 干燥缺陷及产生原因 83

3.3.3 坯件干燥法 83

3.4.1 烧成过程及影响因素 85

3.4 陶瓷烧成 85

3.4.2 烧成用设备及仪表 94

3.4.3 常规烧成工艺 97

3.4.4 热压烧结 99

3.4.5 等静热压烧结 103

3.4.6 气氛烧结法 105

3.5.1 研磨加工 107

3.5 陶瓷烧后加工 107

3.5.2 超声波加工 112

3.5.3 激光加工 114

3.5.5 电解加热加工 116

3.5.4 放电加工 116

3.5.6 电子束加工 117

4.1.1 烧渗法 119

4.1 金属化工艺 119

第4章 器件制造方法 119

4.1.2 化学沉积法 122

4.2.2 结构陶瓷零件制造中应注意事项 125

4.2.1 结构陶瓷零件的种类及用途 125

4.2 结构陶瓷零件的制造 125

4.3.1 固定陶瓷电容器的制造 127

4.3 陶瓷电容器的制造 127

4.3.2 半导体陶瓷电容器的制造 130

4.3.3 独石电容器的制造 141

4.3.4 微调电容器的制造 149

4.4.1 压电陶瓷谐振子的制造 153

4.4 压电陶瓷滤波器的制造 153

4.4.2 压电陶瓷滤波器的制造 160

4.5.1 压电陶瓷换能器的类别 171

4.5 压电陶瓷换能器 171

4.5.2 其它元器件 173

5.1.1 物理参数 179

5.1 陶瓷材料性能参数的测量 179

第5章 参数测量 179

5.1.2 电气参数 182

5.1.3 压电与铁电参数 186

5.1.4 热学参数 193

5.1.5 化学性能 195

5.1.6 热电性能 196

5.2.1 陶瓷电容器的参数 198

5.2 元器件性能参数的测量 198

5.2.2 陶瓷滤波器的性能 199

5.2.3 压电陶瓷换能器的性能 202

6.1.1 冰冻干燥法 203

6.1 超细粉末 203

第6章 新技术 203

6.1.2 溶剂法 204

6.2 多孔技术 205

6.1.4 气相沉积法 205

6.1.3 水热法 205

6.2.2 多孔结构 206

6.2.1 造孔方法 206

6.2.3 多孔结构的控制 207

6.3.1 拓扑反应织构化 208

6.3 织构技术 208

6.3.2 热加工织构化 209

6.3.3 定向生长织构化 210

6.4 复合技术 211

6.4.1 陶瓷-陶瓷复合 212

6.4.2 陶瓷-聚合物复合 213

6.4.4 陶瓷-金属复合 214

6.4.3 陶瓷-玻璃复合 214

6.5.2 材料设计原则 215

6.5.1 材料设计程序 215

6.5 材料设计 215

6.5.3 材料设计方法 216

1.1.2 工艺流程 221

1.1.1 永磁铁氧体的一般特性 221

第10篇 磁性材料及器件 221

第1章 永磁材料及磁路 221

1.1 铁氧体永磁材料 221

1.1.3 制备工艺 224

1.1.4 利用拓扑反应制备永磁铁氧体 231

1.1.6 非磁场取向制备各向异性永磁铁氧体 232

1.1.5 钙铁氧体 232

1.1.7 永磁铁氧体发展趋势简介 233

1.2.1 各种金属永磁材料的特性 235

1.2 金属永磁材料 235

1.2.2 脆性永磁体工艺 236

1.2.3 韧性永磁体工艺 239

1.2.4 稀土永磁体工艺 241

1.2.5 永磁体加工 244

1.3.1 塑性粘结永磁性能 245

1.3 塑性粘结永磁体 245

1.2.6 金属永磁的发展趋势 245

1.3.2 塑性粘结永磁工艺 246

1.3.3 塑性粘结永磁的发展 248

1.4 永磁体的稳定化处理 249

1.5.3 面极式和隐极式 251

1.5.2 径向磁化和轴向磁化 251

1.5 永磁回路的基本类型 251

1.5.1 串联磁路和并联磁路 251

1.5.5 整体式和拼块式 252

1.5.4 内磁式与外磁式 252

1.5.6 简单磁路和复合磁路 253

第2章 软磁材料及磁芯 254

2.1 软磁铁氧体制造工艺 255

2.1.1 主要软磁铁氧体材料的配方及性能 256

2.1.2 氧化物工艺的粉料制备 258

2.1.3 共沉工艺的粉料制备 259

2.1.4 预烧 260

2.1.5 球磨 262

2.1.6 造粒 263

2.1.7 成型 264

2.1.8 烧结 266

2.1.9 铁氧体的磨加工 271

2.2 软磁铁氧体生产线介绍 272

2.2.2 各工序的质量检测 276

2.2.1 工艺流程及说明 276

2.3.1 纯铁 277

2.3 金属软磁材料制造工艺 277

2.3.2 硅钢片 278

2.3.3 铁镍合金 279

2.5 磁介质生产工艺 283

2.4.2 热处理 283

2.4 非晶金属软磁材料的制造工艺 283

2.4.1 母合金的制作 283

2.6 磁芯 284

2.7 磁性液体 285

2.7.3 组成 286

2.7.2 应用 286

2.7.1 理化特性 286

2.7.4 制备工艺 287

2.8 发展趋势 290

第3章 磁记录材料、介质及器件 291

3.1.2 磁带 292

3.1.1 磁记录介质的一般要求 292

3.1 磁记录介质 292

3.1.4 磁鼓 294

3.1.3 磁盘 294

3.2 磁记录介质材料(磁粉) 295

3.1.5 磁性卡片 295

3.2.1 磁粉的一般要求 296

3.2.2 γ-Fe2O3 297

3.2.3 包钴的γ-Fe2O3 299

3.2.4 CrO2 300

3.2.6 金属合金微粉 301

3.2.5 BaFe12O19和SrFe12O19 301

3.2.7 磁粉的检测 302

3.3.1 涂布型磁带的制备工艺 304

3.3 涂布型磁记录介质的制备工艺 304

3.3.2 涂布型磁盘的制备工艺 309

3.4 连续薄膜型磁记录介质的制备工艺 313

3.4.1 Co-γ-Fe2O3薄膜介质 314

3.4.2 用电镀法和化学镀法制备钴系合金薄膜介质 315

3.4.3 真空蒸镀的金属薄膜磁带 317

3.5 磁头 318

3.5.1 磁头的分类及基本结构 319

3.5.2 磁头的设计 323

3.5.3 磁头的制造工艺 324

3.5.4 磁头的检测 327

3.6.2 磁头材料的特性 329

3.6.1 磁头材料的一般要求 329

3.6 磁头材料 329

3.6.3 磁头材料的制备工艺 330

3.7 磁记录的发展趋势 333

3.6.4 磁头材料的检测 333

第4章 磁存储材料及器件 336

4.1.1 矩磁磁芯制备工艺 337

4.1 矩磁铁氧体磁芯 337

4.2 磁泡材料 339

4.1.2 质量检验 339

4.2.1 GGG晶体生长 340

4.2.2 晶体加工 344

4.2.3 液相外延(LPE)膜制备 345

4.2.4 离子注入抑制硬泡 349

4.3.1 测量内容及方法 350

4.3 磁泡材料测量 350

4.3.2 测量技术 351

4.4 磁泡存储器件 354

4.4.2 芯片制备 357

4.4.1 芯片设计 357

4.4.3 器件封装 358

4.4.4 器件测量 359

5.1.1 多晶石榴石铁氧体 364

5.1 微波多晶铁氧体材料 364

第5章 微波铁氧体材料及器件 364

5.1.2 尖晶石铁氧体 367

5.1.3 磁铅石铁氧体 368

5.1.4 微波多晶铁氧体的制备工艺 369

5.2.1 微波单晶铁氧体的特性 372

5.2 微波单晶铁氧体材料 372

5.2.2 单晶铁氧体的生长方法 373

5.3.2 球形样品加工 381

5.3.1 片状、棒状样品加工 381

5.3 晶体的加工 381

5.4.1 隔离器 384

5.4 微波多晶铁氧体器件 384

5.4.2 微波铁氧体移相器 387

5.4.3 带线结环行器 391

5.4.4 微带环行器 396

5.4.5 集总元件环行器 398

5.4.6 铁氧体开关 400

5.4.7 微波高功率器件 402

5.4.8 微波多晶铁氧体器件测量 404

5.5.1 旋磁单晶振子 407

5.5 微波单晶铁氧体器件 407

5.5.2 旋磁调谐滤波器 411

5.5.3 旋磁调谐振荡器 419

5.5.4 微波铁氧体器件的发展 424

6.1.1 饱和磁化强度Ms 428

6.1 基本磁性参量的测量 428

第6章 磁测量技术 428

6.1.2 居里温度 431

6.1.3 磁各向异性常数 432

6.1.4 磁致伸缩 434

6.1.5 直流电阻率 435

6.2.1 试样准备 436

6.2 软磁参数的测量 436

6.2.2 初始磁化曲线和饱和磁滞回线 437

6.2.3 交变磁场下软磁参量的测量 441

6.2.4 脉冲状态下的磁特性 451

6.3.1 开关时间τs和开关系数Sw的测量 454

6.3 矩磁参数测量 454

6.3.2 感应信号与抗打扰性能的测量 455

6.3.3 主要测量仪器和测量条件 456

6.4.1 磁化装置和对试样的要求 457

6.4 永磁参量的测量 457

6.4.2 磁通量密度与磁场强度的测量 458

6.4.3 退磁曲线的测量 459

6.4.5 回复线和回复磁导率的测量 461

6.4.4 最大磁能积(BH)max的确定 461

6.4.6 高矫顽力永磁材料的磁化与测量 462

6.5 旋磁参数测量 463

6.5.1 铁磁共振线宽△H和有效g因子的测量 464

6.5.2 自旋波共振线宽△Hk的测量 467

6.5.3 有效线宽△Heff的测量 470

6.5.4 复介电常数εr的测量 473

1.1 对声表面波材料的基本要求 479

第1章 声表面波器件用的压电材料 479

第11篇 声表面波与声光材料及器件 479

1.2.2 铌酸锂 480

1.2.1 水晶 480

1.2 压电晶体的性能 480

1.2.3 钽酸锂 483

1.2.4 锗酸铋 485

1.3.1 提拉法生长铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋的工艺条件及设备 486

1.3 压电晶体的生长(提拉法) 486

1.3.2 配料 488

1.3.3 拉晶 490

1.3.4 晶体退火 491

1.3.5 铁电晶体的极化 492

1.4.1 晶体定向 494

1.4 压电晶体的加工 494

1.4.2 晶体切割 500

1.4.3 晶体的研磨和抛光 503

1.5.1 压电薄膜材料 504

1.5 无机压电薄膜 504

1.5.2 压电薄膜制备 509

1.5.3 压电薄膜特性及测量 512

1.6 声表面波用压电陶瓷材料 515

1.5.4 薄膜厚度测量及监控 515

2.1 声表面波器件的特点 518

第2章 声表面波器件的制造技术 518

2.3.1 具有对称通带的声表面波带通滤波器的设计计算 519

2.3 声表面波器件的设计计算 519

2.2 声表面波器件制造的基本工艺流程及特点 519

2.2.1 基本工艺流程 519

2.2.2 工艺特点 519

2.3.2 具有非对称通带的声表面波带通滤波器的设计计算 522

2.4.1 光掩模版制备 523

2.4 声表面波器件的主要工艺 523

2.4.2 基片清洗及真空镀膜 526

2.4.3 光刻 528

2.4.4 引线焊接及器件封装 530

2.5.1 离子束刻蚀技术的用途 531

2.5 离子束刻蚀技术 531

2.5.3 沟槽反射栅阵刻蚀工艺 532

2.5.2 离子束刻蚀设备 532

2.6.1 频率修正原理 534

2.6 等离子体频率修正刻蚀 534

2.5.4 刻蚀深度加权程序 534

2.6.3 频率修正刻蚀工艺 536

2..6.2 等离子体频率修正刻蚀设备 536

3.1.1 幅频特性测试 539

3.1 声表面波滤波器主要电性能参数测试 539

第3章 声表面波器件电性能参数测试 539

3.1.2 时域特性测试 542

3.1.3 阻抗测试 543

3.2.2 延迟时间测试 544

3.2.1 中心频率、3dB带宽和插入损耗测试 544

3.2 声表面波延迟线主要电性能参数测试 544

3.3.1 中心频率和色散带宽测试 545

3.3 声表面波色散延迟线主要电性能参数测试 545

3.3.3 色散时间测试 547

3.3.2 插入损耗测试 547

3.3.4 主旁瓣比和—4dB处主瓣宽度测试 548

3.4.2 频率温度稳定度测试 549

3.4.1 瞬时频率稳定度测试 549

3.4 声表面波振荡器性能参数测试 549

3.4.4 输出电平和波形测试 550

3.4.3 长期频率稳定度测试 550

4.1 对声光材料的基本要求 552

第4章 声光材料 552

4.2 声光材料的种类 553

4.3.1 二氧化碲声光单晶材料 554

4.3 声光晶体材料 554

4.3.2 钼酸铅声光单晶材料 558

4.4 声光玻璃材料 561

5.1.3 晶体的清洗 563

5.1.2 对晶体加工要求 563

第5章 声光器件的制造技术及其性能参数测试 563

5.1 声光器件的制造 563

5.1.1 声光器件制造工艺流程 563

5.1.4 压电换能器的设计 564

5.1.5 压电换能器与声光介质的键合方法 570

5.1.6 压电换能器厚度减薄方法 576

5.1.7 焊接层厚度的监控 578

5.2.1 声光调制器 579

5.2 声光器件设计 579

5.2.2 声光偏转器 582

5.2.3 其它声光器件 588

5.3.1 声光偏转器主要性能参数测试方法 592

5.3 声光器件主要性能参数的测试方法 592

5.3.2 声光调制器主要性能参数测试方法 594

5.3.3 声光器件静态透过率的测量 595

5.3.4 测量误差 596

1.1.2 激光工作晶体分类 599

1.1.1 对激光工作晶体的要求 599

第12篇 激光与红外器件 599

第1章 激光晶体 599

1.1 激光工作晶体 599

1.1.4 主要激光工作晶体激光特性 601

1.1.3 主要激光工作晶体物化特性 601

1.2.1 主要生长方法分类 602

1.2 激光工作晶体生长技术 602

1.3.1 生长设备 603

1.3 提拉法晶体生长 603

1.2.2 激光工作晶体制造总工艺流程 603

1.3.2 生长控制方法 606

1.3.4 生长工艺 608

1.3.3 原料制备 608

1.3.6 提拉法晶体生长工艺技术发展 612

1.3.5 激光工作晶体提拉法生长工艺参数 612

1.4.1 坩埚下降法 613

1.4 其他生长方法 613

1.4.2 焰熔法 615

1.4.3 高温溶液法 618

1.5.2 工艺要点 620

1.5.1 工艺流程 620

1.5 晶体退火与选棒工艺 620

1.6.1 晶体光学加工要求 624

1.6 晶体光学性能检测 624

1.6.2 光学性能检测方法 625

1.7.1 测试条件 626

1.7 晶体激光性能测试 626

1.7.2 激光阈值测量 627

1.7.3 单程损耗测量 628

1.7.4 斜率效率测量 629

1.8 非线性光学晶体 630

1.7.5 测量误差 630

1.8.1 对非线性光学晶体的要求 631

1.8.2 溶液法晶体生长 632

1.8.3 DKDP晶体溶液降温法生长工艺 635

2.1.2 主要工艺流程 638

2.1.1 基本结构 638

第2章 固体激光器 638

2.1 中小型固体激光器的基本结构及主要工艺流程 638

2.2.1 三种主要激光工作物质的性能 639

2.2 固体激光工作物质及其加工 639

2.2.2 对工作物质几何尺寸的要求 641

2.3 泵浦光源 642

2.2.3 加封套管 642

2.3.3 电极 643

2.3.2 生产工艺流程 643

2.3.1 惰性气体放电灯的结构 643

2.3.4 灯管 645

2.3.6 排气、充气 646

2.3.5 封接 646

2.4.1 转换效率 647

2.4 聚光腔 647

2.4.2 金属聚光腔 648

2.4.3 玻璃聚光腔 649

2.5.2 调整架 650

2.5.1 底座及支撑件 650

2.4.4 其它注意事项 650

2.5 机械构件和密封工艺 650

2.6 光学元件 652

2.5.3 密封 652

2.6.2 纵向电场电光Q开关晶本盒 653

2.6.1 方解石格兰棱镜偏振镜 653

2.6.4 声光Q开关 655

2.6.3 横向电场电光Q开关晶体盒 655

2.6.5 染料Q开关 657

2.7.1 液体冷却 659

2.7 冷却 659

2.7.2 气体冷却 661

2.7.4 半导体冷却 662

2.7.3 传导冷却 662

2.9.1 尖峰结构 663

2.9 输出特性及测量 663

2.8 谐振腔的调整 663

2.9.3 激光发散角 664

2.9.2 激光模式 664

2.9.4 发射能量、功率及效率 666

2.9.5 激光能量、功率测量 669

2.10.1 激光辐射危害 672

2.10 激光防护 672

2.10.3 防护 673

2.10.2 电气危害 673

3.1 气体激光器的结构形式 674

第3章 气体激光器 674

3.3.1 纵向放电型 675

3.3 放电型气体激光器放电管的制造 675

3.2 制造气体激光器的典型工艺流程 675

3.3.2 横向放电型 679

3.3.3 波导管型 680

3.3.4 电泳型 683

3.3.5 空心阴极型 684

3.3.6 射频放电型 685

3.4.1 内腔式激光器放电管管端研磨 686

3.4 放电管的管端研磨 686

3.4.2 布儒斯特角窗口的研磨 688

3.5.1 全反射镜 689

3.5 反射镜加工及其材料的选择 689

3.5.3 光栅反射镜 690

3.5.2 输出反射镜 690

3.6.1 镜片粘结 691

3.6 镜片与管体组装 691

3.6.3 稳定腔长的措施 692

3.6.2 光栅的安装 692

3.7.2 气体成分及其比例 693

3.7.1 总气压 693

3.7 放电管气体参数 693

3.8.1 提高氦氖激光器寿命的措施 695

3.8 提高气体激光器寿命的工艺措施 695

3.8.3 提高CO2激光器寿命的措施 697

3.8.2 提高氩离子激光器寿命的措施 697

3.9.1 检漏 698

3.9 排气和充气 698

3.8.4 提高CO激光器寿命的措施 698

3.10 气体激光器电源 699

3.9.3 充气、装调和封离 699

3.9.2 除气和老炼 699

3.10.3 脉冲气体激光器电源 700

3.10.2 频率稳定的气体激光器电源 700

3.10.1 功率稳定的气体激光器电源 700

3.11.1 闭合循环气体激光器 701

3.11 其他几种气体激光器 701

3.11.2 快速脉冲放电气体激光器 702

3.11.3 光泵远红外气体激光器 704

3.11.5 气动激光器 707

3.11.4 光分解气体激光器 707

4.1.1 染料激光器特性 710

4.1 染料激光器特性及典型工艺流程 710

第4章 染料激光器 710

4.2 闪光灯泵浦染料激光器 711

4.1.2 染料激光器典型工艺流程 711

4.2.2 直管闪光灯泵浦染料激光器 712

4.2.1 同轴闪光灯泵浦染料激光器 712

4.2.4 闪光灯激励电源 714

4.2.3 涡流稳定闪光灯泵浦染料激光器 714

4.3 激光泵浦染料激光器 715

4.3.1 连续波激光泵浦染料激光器 716

4.3.2 脉冲激光泵浦染料激光器 718

4.5 染料循环冷却与控温系统 721

4.4 其他类型的染料激光器 721

4.6 激光染料 722

4.7 调谐技术 723

5.1 探测器种类和特点 724

第5章 红外光子探测器 724

5.1.3 探测器的特点 725

5.1.2 光伏探测器 725

5.1.1 光导探测器 725

5.2.1 硫化铅探测器 726

5.2 薄膜型探测器制造工艺 726

5.2.2 硒化铅探测器 729

5.3.1 材料参数 730

5.3 单晶型探测器材料参数及通用工艺 730

5.3.2 通用工艺 731

5.4.1 室温光导型 732

5.4 锑化铟探测器制造工艺 732

5.4.2 77K光伏型 733

5.5 碲镉汞探测器制造工艺 735

5.5.2 光伏型 736

5.5.1 光导型 736

5.6.1 碲化铅/碲锡铅液相外延层 738

5.6 碲锡铅探测器制造工艺 738

5.7.1 探测器参数 739

5.7 探测器参数及其测量 739

5.6.2 碲锡铅探测器 739

5.7.2 探测率(DBB*)的测量 741

5.7.3 光谱响应的测量 743

5.7.4 响应时间的测量 744

5.7.5 伏安特性的测量 745

5.7.6 小光点的测量 747

5.8 杜瓦瓶结构及制冷器 748

5.8.1 杜瓦瓶结构 749

5.8.2 探测器用制冷器 753

5.9 探测器用前置放大器 754

5.10 探测器工艺技术的发展趋势 755

6.1 概述 757

第6章 热释电探测器 757

6.2.1 典型工艺流程及设备要求 760

6.2 热释电探测器制作工艺 760

6.2.2 硫酸三甘肽及其同晶系探测器 761

6.2.3 钽酸锂热释电探测器 763

6.3 离子束刻蚀技术在热释电探测器工艺中的应用 764

6.2.4 铁电陶瓷热释电探测器 764

6.4.2 金黑吸收层工艺 766

6.4.1 铂黑吸收层工艺 766

6.4 热释电探测器的表面吸收层 766

6.4.3 炭黑及涂料 767

6.5 热释电组件工艺 768

6.5.1 组件工艺流程图 768

6.5.2 热释电组件前放线路 768

6.6 热释电探测器电参数及其测试 769

6.6.1 热释电探测器的主要电参数 769

6.6.2 参数测试 771

6.7 热释电探测器的发展趋势 772

第7章 光学零件镀膜 774

7.1 光学薄膜分类 774

7.2 淀膜方法 774

7.2.1 电阻加热蒸发法 774

7.2.2 电子束蒸发法 778

7.2.3 其他真空镀膜方法 780

7.3 光学薄膜厚度控制方法 780

7.3.1 极值法 780

7.3.2 波长扫描法 782

7.3.3 任意膜层厚度控制法 785

7.4 常用光学镀膜材料的特性 787

7.5 真空镀膜设备 791

7.6 光学零件真空镀膜工艺 792

7.6.1 光学镀膜工艺流程 792

7.6.2 镀膜前的准备工作 793

7.6.3 增透膜镀制工艺 794

7.6.4 反光膜镀制工艺 797

7.6.5 分光膜镀制工艺 799

7.6.6 窄带介质滤光片镀制工艺 800

7.7 光学薄膜光学性能测量 801

7.7.1 反射率测量 801

7.6.7 透明导电膜镀制工艺 801

7.7.2 透射率测量 803

7.8 膜料的毒性与防护 804

7.9.2 离子束辅助镀 805

7.9.1 离子镀 805

7.9.3 光学薄膜控制 805

7.9 光学薄膜工艺发展趋势 805

7.9.4 混合膜料的应用 806

8.1 晶体定向 807

8.1.1 偏光法 807

第8章 光学零件加工 807

8.1.2 X射线衍射法 810

8.2 晶体切割 814

8.2.1 外圆切割 814

8.2.2 金刚石内圆切割 816

8.2.3 超声切割 818

8.2.4 水线切割 819

8.3 晶体研磨 820

8.3.1 磨料 820

8.2.5 其它切割方法 820

8.3.2 磨盘材料 823

8.4 晶体抛光 824

8.4.1 工艺要求 824

8.3.3 研磨工艺要点 824

8.4.2 抛光粉 825

8.4.3 抛光模 827

8.4.4 抛光方法 827

8.5 安全防护 828

8.5.1 X射线的防护 828

8.5.2 毒性的防护 829

附录 常用晶体名称缩写 830

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