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第一章 固体中的离子射程 1

1.1 核阻止和电子阻止 1

1.2 射程和离散 10

1.3 注入离子的侧向分布 18

1.4 双层靶中离子的浓度分布 23

第二章 沟道效应 27

2.1 沟道现象和实验 27

2.2 沟道理论 31

2.3 晶体内离子射程分布的实验测量 38

2.4 辐射增强扩散 47

第三章 辐射损伤 50

3.1 定性描述 50

3.2 离子注入产生的辐射损伤 56

3.3 缺陷的移动和退火 76

第四章 离子注入装置 78

4.1 概述 78

4.2 离子源 79

4.3 离子流的引出和加速 95

4.4 质量分析系统 97

4.5 离子束聚焦和扫描系统 98

4.6 靶室系统 102

4.7 真空系统 105

4.8 国内外离子注入机类型 109

第五章 元素半导体中的离子注入 114

5.1 离子注入Si、Ge中的分布 114

5.2 注入层的性能和退火 123

5.3 晶格损伤 132

5.4 注入离子的位置 140

第六章 化合物半导体中的离子注入 147

6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的离子注入 148

6.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入 168

6.3 其它化合物半导体中的离子注入 170

6.4 退火及保护膜 177

6.5 双注入 185

第七章 离子注入参数的测量 188

7.1 离子微探针法 188

7.2 中子活化分析法 190

7.3 核反应分析 191

7.4 离子感生X射线 194

7.5 Rutherford背散射 196

7.6 沟道效应 200

7.7 电子自旋共振法 203

7.8 Raman散射 207

7.9 反射和透射电子衍射 213

7.10 光学反射率法 214

7.11 椭圆偏振光法 217

7.12 场离子显微镜 219

第八章 应用 221

8.1 离子注入在半导体中的应用 221

8.2 金属中的离子注入 253

8.3 磁性材料中的离子注入 256

8.4 绝缘材料中的离子注入 258

8.5 离子注入在超导材料中的应用 260

附录 266

参考文献 308