图书介绍
半导体器件工艺原理pdf电子书版本下载
- 黄汉尧著 著
- 出版社： 北京：国防工业出版社
- ISBN：15034·2059
- 出版时间：1980
- 标注页数：302页
- 文件大小：16MB
- 文件页数：308页
- 主题词：
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图书目录
绪论 1
第一章 衬底制备 4
1-1 衬底材料 4
一、晶体缺陷和非掺杂杂质的影响 4
二、杂质分布不均匀的影响 8
三、杂质补偿的影响 8
1-2 单晶切割 9
一、单晶定向 9
二、单晶切割 15
1-3 单晶片研磨 16
一、研磨原理 17
二、研磨方法 18
一、抛光方法 19
1-4 单晶片抛光 19
二、抛光质量的检验 22
第二章 外延 24
2-1 硅外延的基本原理 24
一、外延生长过程和热力学原理 25
二、生长动力学原理 28
三、气相质量转移 31
四、堆垛层错 35
五、氯化氢气相抛光 37
六、外延层中的掺杂 39
七、外延过程中的杂质再分布和自掺杂效应 42
八、外延条件的选择和克服自掺杂的途径 45
一、电阻率的检验 49
2-2 外延层性能的检验 49
二、杂质浓度分布的检验 50
三、外延层厚度的检验 52
四、夹层的检验 53
五、表面缺陷的检验 53
2-3 在蓝宝石、尖晶石上的硅外延 55
一、绝缘衬底的选择 55
二、SOS外延生长 57
三、SOS外延层的质量讨论 58
2-4 砷化镓外延 59
一、三氯化砷气相外延 59
二、液相外延 62
三、分子束外延 63
一、热生长氧化法 65
第三章 氧化 65
3-1 二氧化硅膜的制备及其原理 65
二、热氧化生长动力学 68
三、热分解淀积氧化膜法 71
四、其它氧化方法 73
3-2 二氧化硅膜的结构 74
3-3 二氧化硅膜的性质 76
一、二氧化硅的物理性质 76
二、二氧化硅的化学性质 78
3-4 二氧化硅-硅界面的物理性质 79
一、热氧化时杂质在界面上的再分布 79
3-5 二氧化硅膜质量的检验 80
一、氧化层膜厚的测定 80
二、反型层现象 80
二、氧化膜缺陷的检验 83
第四章 扩散 84
4-1 扩散原理 84
一、扩散的本质 84
二、扩散系数 85
三、扩散机构 87
4-2 扩散方程 88
一、扩散方程的建立 88
二、扩散方程解的物理意义 89
三、实际分布与理论分布存在差异的讨论 93
4-3 扩散方法 97
一、液态源扩散 98
二、箱法扩散 100
三、固态氮化硼扩散 100
四、氧化物源扩散 101
五、二氧化硅乳胶源涂层扩散 103
4-4 扩散层的质量分析与检验 103
一、结深(xf) 103
二、薄层电阻 107
三、表面杂质浓度 110
四、击穿电压 112
五、β值 114
4-5 离子注入掺杂技术 115
一、离子注入的基本原理 116
三、离子注入的沟道渗透效应 117
二、离子注入的杂质分布 117
四、离子注入的退火处理 118
五、离子注入的掩蔽技术 118
六、离子注入的主要设备 118
第五章 隔离 121
5-1 pn结隔离 121
一、pn结隔离的原理 121
二、几种常见的pn结隔离特性的分析 125
三、pn结隔离的优缺点 126
四、改进的pn结隔离 126
5-2 介质隔离 128
一、二氧化硅介质隔离 128
二、V型糟介质隔离 132
一、等平面隔离 134
5-3 pn结-介质混合隔离 134
二、多孔硅氧化隔离 135
三、V型槽隔离 137
第六章 光刻 138
6-1 光致抗蚀剂 138
一、光致抗蚀剂的结构性质 138
二、光致抗蚀剂的种类和感光机理 139
三、对光致抗蚀剂性能的要求 142
四、光刻胶的配制 144
6-2 光刻工艺原理 145
一、涂胶 145
二、前烘 145
三、曝光 146
四、显影 146
六、腐蚀 147
五、坚膜 147
七、去胶 153
6-3 光刻缺陷 154
一、浮胶 154
二、毛刺和钻蚀 155
三、针孔 155
四、小岛 155
6-4 其它曝光技术简介 156
一、光学曝光方法的改进 156
二、电子束曝光和X射线曝光 157
7-1 制版工艺的光学基础 163
一、成象原理 163
第七章 制版 163
二、照相物镜的特性 164
三、图形的反差与过渡区 165
7-2 超微粒干版的制备与显象原理 166
一、超微粒干版的制备 166
二、超微粒干版的显象原理 170
三、“PD”版 174
7-3 制版工艺 176
一、原图绘制 177
二、初缩 178
三、精缩兼分步重复 178
四、复印 179
7-4 自动制版简介 182
一、光学图形发生器 182
二、电子束图形发生器 183
三、激光图形发生器 185
第八章 表面钝化 187
8-1 二氧化硅-硅系统中的电荷 187
一、可动正离子 187
二、固定电荷 188
三、界面态 190
四、陷阱缺陷 193
五、氧化物外表面电荷 193
六、SiO2-Si系统中的电荷综述 194
8-2 氯化氢氧化工艺 195
一、氯化氢氧化的作用 196
二、氯化氢氧化工艺 197
一、磷硅玻璃膜的作用 198
8-3 磷硅玻璃钝化工艺 198
二、PSG膜的制备 200
8-4 氮化硅钝化工艺 200
一、氮化硅膜的性质 200
二、氮化硅膜的制备 202
8-5 三氧化二铝钝化工艺 204
一、三氧化二铝的主要性质 204
二、三氧化二铝钝化膜的制备 205
8-6 低温钝化技术及半绝缘多晶硅钝化膜 208
一、低温钝化技术 208
二、半绝缘多晶硅钝化膜 208
第九章 电极制备及封装 211
9-1 欧姆接触 211
一、欧姆接触的原理 211
二、欧姆接触的制备方法 213
9-2 蒸发与溅射 215
一、真空蒸发 216
二、电子束蒸发 222
三、溅射 224
9-3 多层电极与多层布线 226
一、多层电极 226
二、多层布线 229
9-4 键合与封装 232
一、键合 232
二、封装 234
第十章 可靠性基本原理 236
10-1 可靠性的定义与基本参量 236
一、可靠度 236
四、瞬时失效率 237
五、平均寿命 237
二、累积失效率 237
三、失效密度 237
10-2 半导体器件的失效规律与常用寿命分布 238
一、半导体器件的失效规律 238
二、常用寿命分布 239
10-3 可靠性试验数据处理原理 242
一、威布尔概率纸 243
二、正态概率纸 245
三、对数正态概率纸 245
10-4 加速寿命试验原理 247
一、加速寿命试验的理论基础 247
二、加速寿命试验 250
10-5 抽样试验原理 252
一、单式抽样 253
二、寿命试验的抽样计算 254
10-6 工艺筛选原理 255
一、筛选条件的选择 255
二、筛选试验的种类与工作原理 256
第十一章 失效分析 262
11-1 失效模式 262
11-2 失效机理 262
一、概述 262
二、表面劣化失效 263
三、金属化系统的失效 266
四、二次击穿失效 269
五、与设计有关的失效 269
六、MOS电路和LSI电路的特殊失效 271
七、辐射引起的失效 272
11-3 失效分析法 273
一、分析过程 273
二、基本电测试分析 274
三、理化分析 278
第十二章 质量控制 282
12-1 环境控制 282
一、污染来源与环境净化 282
二、环境监控 283
12-2 工艺控制 288
一、镜检 288
二、微电子测试图 292
三、质量控制图 300