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第一部分　半导体元件之特性（Semiconductor Device Characteristics） 1

第一章　半导体（Semiconductors） 1

1-1 荷电粒子 1

1-2 电场强度与电位能 2

1-3 能量之eV单位 6

1-4 迁移率与导电系数 7

1-5 本质半导体中之电子与电洞 11

1-6 施体与受体杂质 15

1-7 半导体之电荷密度 17

1-8　锗与矽之电性质 19

1-9 霍尔效应 22

1-10　热阻器与热敏器 24

1-11　扩散 25

1-12　渐变半导体内之电压变化 27

1-13　摘要 29

参考资料 30

复习题 31

第二章　接面二极体特性（Junction-Diode Characteristics） 33

2-1 断路P-N接面 33

2-2 作为整流器用P-N接面 36

2-3 伏特－安培特性曲线 40

2-4 V/I特性曲线之温度关系 44

2-5 二极体电阻 45

2-6 空间电荷电容，或过度电容 47

2-7 二极体之少数载体储存 52

2-8 扩散电容 56

2-9 崩溃二极体 57

2-10　作为电路元件之二极体 60

2 11　负载线之观念 62

2-12　二极体之分段线性模型 63

2-13　接面二极体之交换时间 66

参考资料 69

复习题 69

3-1 接面电晶体 72

第三章　双极性电晶体之特性（Bipolar Transistor Characteristics） 72

3-2 电晶体之电流成分 75

3-3 电晶体作放大器用 79

3-4　电晶体构造 80

3-5　共基极组态 82

3-6　共射极组态 86

3-7 共射极之截止电流 92

3-8 共射极饱和区 94

3-9 典型电晶体－接面电压值 98

3-10　共射极电流增益 102

3-11　操作之反模式 104

3-12　电晶体之额定值 104

3-13　其他电晶体特性 108

3-14　电晶体转换时间 108

参考资料 112

复习题 113

4-1 积体电路（微电子）技术 117

第四章　积体电路：制造与特性（Integrated Circuits:Fabrication and Characteristics） 117

4-2 基本之单石积体电路 120

4-3 磊晶生长 125

4-4 面罩与蚀刻 126

4-5 杂质扩散 128

4-6 单石电路之电晶体 129

4-7　单石二极体 134

4-8 金属－半导体接触 137

4-9　积体电阻器 139

4-10　积体电容器 144

4-11　积体元件之特性 145

4-12　单石电路设计图 146

4-13　其他之隔离法 150

参考资料 151

复习题 152

第二部分　数位电路与系统（Digital Circuits and Systems） 155

第五章　数位电路（Digital Circuits） 155

5-1 系统之数位（二进位操作） 155

5-2 OR闸 158

5-3 AND闸 161

5-4 NOT（反相器）电路 164

5-5 禁止（授权操作） 168

5-6 EXCLUSIVE-OR电路 169

5-7 第莫根定律 172

5-8 NAND与NOR二极体电晶体逻辑（DTL）闸 174

5-9 修正之（积体电路）DTL闸 179

5-10　高临限逻辑（HTL）闸 185

5-11　电晶体－电晶体逻辑 186

5-12　输出级 190

5-13　电阻电晶体逻辑（RTL）与直接耦合电晶体逻辑（DCTL） 194

5-14　射极耦合逻辑 199

5-15　逻辑族之比较 207

参考资料 211

复习题 212

6-1 标准闸之组合 216

第六章　组合数位系统（Combinational Digital Systems） 216

6-2 二进位加法器 220

6-3　算数函数 228

6-4　数位比较器 231

6-5 同位核对器／产生器 235

6-6　解码器／解复器 237

6-7 资讯选择器／复合器 243

6-8 编码器 247

6-9 仅读记忆（ROM） 254

6-10 ROM，二维空间之位址 258

6-11 ROM之应用 261

参考资料 266

复习题 267

第七章　序向数位系统（Sequential Digital Systems） 270

7-1 1数元记忆 270

7-2 时序S-R正反电路 274

7-3 J-K型，T型及D型正反电路 276

7-4 移位置数器 283

7-5 涟波（不同步）计数器 291

7-6 同步计数器 297

7-7 计数器之应用 302

参考资料 305

复习题 306

第八章　场效电晶体（Field-Effect Transistors） 309

8-1 接面场效电晶体 310

8-2 JFET之伏特－安培特性曲线 312

8-3 JFET之制造 317

8-4 增强型金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET） 319

8-5 空乏型MOSFET 326

8-6 技术之改进 327

8-7 MOSFET反相器 333

8-8 MOSFET逻辑闸 341

8-9 互补式MOSFETs 345

参考资料 351

复习题 352

9-1 动态MOS移位置数器 355

第九章　大型积体电路系统（Large-Scale Integration Systems） 355

9-2 无比率移位置数器级 360

9-3 MOS仅读记忆器 364

9-4 可抹除规划程式之仅读记忆器 367

9-5 方程式计划之逻辑排列（PLA） 373

9-6 随机出入记忆装置（RAM） 376

9-7 读／写记忆单元 382

9-8 电荷耦合元件（CCD） 390

9-9 CCD的构造 395

9-10　CCD记忆组成 402

9-11　微处理机与微计算机 407

9-12　积体入射逻辑（I2L） 411

9-13　入射逻辑电路 417

参考资料 422

复习题 426

习题 431

部份习题解答 511