图书介绍
模拟CMOS集成电路设计pdf电子书版本下载
- （美）毕查德·拉扎维（Behzad Razavi）著；陈贵灿等译（西安交通大学） 著
- 出版社： 西安：西安交通大学出版社
- ISBN：7560516068
- 出版时间：2003
- 标注页数：562页
- 文件大小：48MB
- 文件页数：580页
- 主题词：
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图书目录
第1章 模拟电路设计绪论 1
1.1研究模拟电路的重要性 1
1.2研究模拟集成电路的重要性 5
1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性 5
1.4本书的特点 6
1.5电路设计的一般概念 6
1.5.1抽象级别 6
1.5.2鲁棒模拟电路设计 7
1.5.3符号 7
第2章 MOS器件物理基础 9
2.1基本概念 9
2.1.1 MOSFET开关 9
2.1.2 MOSFET的结构 9
2.1.3 MOS符号 11
2.2 MOS的I/V特性 11
2.2.1阈值电压 12
2.2.2 I/V特性的推导 13
2.3二级效应 20
2.4 MOS器件模型 24
2.4.1 MOS器件版图 24
2.4.2 MOS器件电容 25
2.4.3 MOS小信号模型 28
2.4.4 MOS SPICE模型 31
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较 32
2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较 33
附录A：用作电容器的MOS器件的特性 33
习题 34
第3章 单级放大器 40
3.1基本概念 40
3.2共源级 41
3.2.1采用电阻负载的共源级 41
3.2.2采用二极管连接的负载的共源级 45
3.2.3采用电流源负载的共源级 49
3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级 50
3.2.5带源极负反馈的共源级 50
3.3源跟随器 57
3.4共栅级 64
3.5共源共栅级 70
3.5.1折叠式共源共栅 75
3.6器件模型的选择 77
习题 78
第4章 差动放大器 84
4.1单端与差动的工作方式 84
4.2基本差动对 86
4.2.1定性分析 87
4.2.2定量分析 90
4.3共模响应 98
4.4 MOS为负载的差动对 103
4.5吉尔伯特单元 105
习题 108
第5章 无源与有源电流镜 113
5.1基本电流镜 113
5.2共源共栅电流镜 116
5.3有源电流镜 121
5.3.1大信号分析 124
5.3.2小信号分析 125
5.3.3共模特性 128
习题 131
第6章 放大器的频率特性 138
6.1概述 138
6.1.1密勒效应 138
6.1.2极点与结点的关联 141
6.2共源极 143
6.3源跟随器 147
6.4共栅级 151
6.5共源共栅级 153
6.6差动对 155
附录A：密勒定理的对偶 159
习题 161
第7章 噪声 165
7.1噪声的统计特性 165
7.1.1噪声谱 167
7.1.2幅值分布 170
7.1.3相关噪声源和非相关噪声源 171
7.2噪声类型 172
7.2.1热噪声 172
7.2.2闪烁噪声 176
7.3电路中的噪声表示 179
7.4单级放大器中的噪声 184
7.4.1共源级 185
7.4.2共栅级 187
7.4.3源跟随器 190
7.4.4共源共栅级 191
7.5差动对中的噪声 192
7.6噪声带宽 196
习题 197
第8章 反馈 202
8.1概述 202
8.1.1反馈电路的特性 203
8.1.2放大器的种类 208
8.1.3检测和返回机制 210
8.2反馈结构 212
8.2.1电压-电压反馈 212
8.2.2电流-电压反馈 216
8.2.3电压-电流反馈 218
8.2.4电流-电流反馈 221
8.3负载的影响 221
8.3.1二端口网络模型 221
8.3.2电压-电压反馈中的负载 223
8.3.3电流-电压反馈中的负载 226
8.3.4电压-电流反馈中的负载 228
8.3.5电流-电流反馈中的负载 230
8.3.6负载影响小结 232
8.4反馈对噪声的影响 233
习题 234
第9章 运算放大器 239
9.1概述 239
9.1.1性能参数 240
9.2一级运放 243
9.3两级运放 252
9.4增益的提高 254
9.5性能比较 257
9.6共模反馈 258
9.7输入范围限制 266
9.8转换速率 268
9.9电源抑制 275
9.10运放的噪声 276
习题 279
第10章 稳定性与频率补偿 284
10.1概述 284
10.2多极点系统 287
10.3相位裕度 289
10.4频率补偿 292
10.5两级运放的补偿 297
10.5.1两级运放中的转换 301
10.6其它补偿技术 302
习题 306
第11章 带隙基准 309
11.1概述 309
11.2与电源无关的偏置 310
11.3与温度无关的基准 312
11.3.1负温度系数电压 313
11.3.2正温度系数电压 314
11.3.3带隙基准 314
11.4 PTAT电流的产生 319
11.5恒定Gm偏置 320
11.6速度与噪声问题 321
11.7实例分析 324
习题 327
第12章 开关电容电路 330
12.1概述 330
12.2采样开关 334
12.2.1 MOSFETs开关 334
12.2.2速度问题 338
12.2.3精度问题 341
12.2.4电荷注入抵消 343
12.3开关电容放大器 345
12.3.1单位增益采样器/缓冲器 345
12.3.2同相放大器 351
12.3.3精确乘2电路 356
12.4开关电容积分器 357
12.5开关电容共模反馈 359
习题 360
第13章 非线性与不匹配 364
13.1非线性 364
13.1.1概述 364
13.1.2差动电路的非线性 367
13.1.3负反馈对非线性的影响 369
13.1.4电容器的非线性 371
13.1.5线性化技术 372
13.2不匹配 376
13.2.1失调消除技术 382
13.2.2用失调消除来降低噪声 386
13.2.3 CMRR的另一种定义 388
习题 389
第14章 振荡器 391
14.1概述 391
14.2环形振荡器 393
14.3 LC振荡器 402
14.3.1交叉耦合振荡器 404
14.3.2科尔皮兹振荡器 406
14.3.3单端口振荡器 409
14.4压控振荡器 413
14.4.1环形振荡器调节 415
14.4.2 LC振荡器的调节 423
14.5 VCO的数学模型 426
习题 430
第15章 锁相环 432
15.1简单的锁相环 432
15.1.1鉴相器 432
15.1.2基本的PLL结构 434
15.1.3简单锁相环的动态特性 441
15.2电荷泵锁相环 447
15.2.1锁定捕获的问题 447
15.2.2鉴相/鉴频器和电荷泵 448
15.2.3基本的电荷泵锁相环 452
15.3锁相环中的非理想效应 458
15.3.1 PFD/CP的非理想性 458
15.3.2锁相环中的抖动现象 462
15.4延迟锁相环 464
15.5应用 466
15.5.1频率倍增和合成 467
15.5.2歪斜的减小 469
15.5.3抖动的减小 470
习题 470
第16章 短沟道效应与器件模型 473
16.1按比例缩小理论 473
16.2短沟道效应 477
16.2.1阈值电压的变化 477
16.2.2垂直电场引起的迁移率退化 479
16.2.3速度饱和 479
16.2.4热载流子效应 481
16.2.5漏-源电压引起的输出阻抗的变化 481
16.3 MOS器件模型 483
16.3.1 Level 1模型 483
16.3.2 Level 2模型 484
16.3.3 Level 3模型 486
16.3.4 BSIM系列模型 487
16.3.5其它模型 488
16.3.6电荷和电容模型 488
16.3.7温度特性 489
16.4工艺角 489
16.5数字世界中的模拟设计 490
习题 491
第17章 CMOS工艺技术 494
17.1概述 494
17.2晶片工艺 495
17.3光刻 496
17.4氧化 497
17.5离子注入 498
17.6淀积与刻蚀 500
17.7器件制造 500
17.7.1有源器件 501
17.7.2无源器件 504
17.7.3互连 511
17.8闩锁效应 513
习题 514
第18章 版图与封装 517
18.1版图概述 517
18.1.1设计规则 518
18.1.2天线效应 520
18.2模拟电路的版图技术 521
18.2.1叉指晶体管 521
18.2.2对称性 523
18.2.3参考源的分布 527
18.2.4无源器件 528
18.2.5连线 535
18.2.6焊盘与静电放电保护 538
18.3衬底耦合 540
18.4封装 545
习题 552
英中词汇对照 555