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半导体器件物理与工艺 基础版pdf电子书版本下载

半导体器件物理与工艺  基础版
  • (美)施敏著;赵鹤鸣,钱敏,黄秋萍译;赵鹤鸣,王子欧改编 著
  • 出版社: 苏州:苏州大学出版社
  • ISBN:9787811373080
  • 出版时间:2009
  • 标注页数:224页
  • 文件大小:95MB
  • 文件页数:232页
  • 主题词:半导体器件-半导体物理;半导体器件-半导体工艺

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图书目录

第1章 简介 1

1.1 半导体器件 1

1.2 半导体工艺技术 6

总结 10

参考文献 11

第1部分 半导体物理 14

第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 14

2.1 半导体材料 14

2.2 基本晶体结构 17

2.3 基本晶体生长技术 20

2.4 共价健 22

2.5 能带 23

2.6 本征载流子浓度 26

2.7 施主与受主 28

总结 33

参考文献 34

习题 34

第3章 载流子输运现象 37

3.1 载流子漂移 37

3.2 载流子扩散 44

3.3 产生与复合过程 46

3.4 连续性方程式 50

3.5 热电子发射过程 52

3.6 隧穿过程 53

3.7 强电场效应 54

总结 57

参考文献 57

习题 58

第2部分 半导体器件 61

第4章 p-n结 61

4.1 基本工艺步骤 61

4.2 热平衡状态 63

4.3 耗尽区 65

4.4 耗尽层势垒电容 69

4.5 电流-电压特性 70

4.6 电荷储存与暂态响应 76

4.7 结击穿 78

总结 81

参考文献 82

习题 82

第5章 双极型晶体管及相关器件 85

5.1 晶体管的工作原理 85

5.2 双极型晶体管的静态特性 90

5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 97

5.4 异质结及相关器件 101

5.5 可控硅器件及相关功率器件 103

总结 105

参考文献 106

习题 106

第6章 MOSFET及相关器件 109

6.1 MOS二极管 109

6.2 MOSFET基本原理 118

6.3 小尺寸MOSFET 126

6.4 CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 127

6.5 绝缘层上MOSFET(SOI) 129

6.6 MOS存储器结构 130

6.7 功率MOSFET 133

总结 134

参考文献 135

习题 135

第7章 光电器件 137

7.1 辐射跃迁与光的吸收 137

7.2 发光二极管 139

7.3 半导体激光 142

7.4 光探测器 143

7.5 太阳能电池 145

总结 151

参考文献 152

习题 152

第8章 其他半导体器件 155

8.1 金半接触 155

8.2 MESFET 162

8.3 MODFET的基本原理 168

8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件 168

总结 176

参考文献 177

习题 178

第3部分 半导体工艺 180

第9章 集成电路工艺 180

9.1 基本半导体工艺技术 180

9.2 集成工艺 186

9.3 微机电系统 204

9.4 微电子器件的挑战 208

总结 212

参考文献 213

习题 214

习题参考答案 216

附录A 符号表 218

附录B 国际单位制(SI Units) 220

附录C 单位词头 221

附录D 物理常数 222

附录E 300 K时重要半导体材料的特性 223

附录F 300 K时硅和砷化镓的特性 224

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