图书介绍

半导体器件物理与工艺 基础版pdf电子书版本下载

半导体器件物理与工艺  基础版
  • (美)施敏著;赵鹤鸣,钱敏,黄秋萍译;赵鹤鸣,王子欧改编 著
  • 出版社: 苏州:苏州大学出版社
  • ISBN:9787811373080
  • 出版时间:2009
  • 标注页数:224页
  • 文件大小:95MB
  • 文件页数:232页
  • 主题词:半导体器件-半导体物理;半导体器件-半导体工艺

PDF下载


点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快] 温馨提示:(请使用BT下载软件FDM进行下载)软件下载地址页 直链下载[便捷但速度慢]   [在线试读本书]   [在线获取解压码]

下载说明

半导体器件物理与工艺 基础版PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台)。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如 BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用!后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载!

(文件页数 要大于 标注页数,上中下等多册电子书除外)

注意:本站所有压缩包均有解压码: 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第1章 简介 1

1.1 半导体器件 1

1.2 半导体工艺技术 6

总结 10

参考文献 11

第1部分 半导体物理 14

第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 14

2.1 半导体材料 14

2.2 基本晶体结构 17

2.3 基本晶体生长技术 20

2.4 共价健 22

2.5 能带 23

2.6 本征载流子浓度 26

2.7 施主与受主 28

总结 33

参考文献 34

习题 34

第3章 载流子输运现象 37

3.1 载流子漂移 37

3.2 载流子扩散 44

3.3 产生与复合过程 46

3.4 连续性方程式 50

3.5 热电子发射过程 52

3.6 隧穿过程 53

3.7 强电场效应 54

总结 57

参考文献 57

习题 58

第2部分 半导体器件 61

第4章 p-n结 61

4.1 基本工艺步骤 61

4.2 热平衡状态 63

4.3 耗尽区 65

4.4 耗尽层势垒电容 69

4.5 电流-电压特性 70

4.6 电荷储存与暂态响应 76

4.7 结击穿 78

总结 81

参考文献 82

习题 82

第5章 双极型晶体管及相关器件 85

5.1 晶体管的工作原理 85

5.2 双极型晶体管的静态特性 90

5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 97

5.4 异质结及相关器件 101

5.5 可控硅器件及相关功率器件 103

总结 105

参考文献 106

习题 106

第6章 MOSFET及相关器件 109

6.1 MOS二极管 109

6.2 MOSFET基本原理 118

6.3 小尺寸MOSFET 126

6.4 CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 127

6.5 绝缘层上MOSFET(SOI) 129

6.6 MOS存储器结构 130

6.7 功率MOSFET 133

总结 134

参考文献 135

习题 135

第7章 光电器件 137

7.1 辐射跃迁与光的吸收 137

7.2 发光二极管 139

7.3 半导体激光 142

7.4 光探测器 143

7.5 太阳能电池 145

总结 151

参考文献 152

习题 152

第8章 其他半导体器件 155

8.1 金半接触 155

8.2 MESFET 162

8.3 MODFET的基本原理 168

8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件 168

总结 176

参考文献 177

习题 178

第3部分 半导体工艺 180

第9章 集成电路工艺 180

9.1 基本半导体工艺技术 180

9.2 集成工艺 186

9.3 微机电系统 204

9.4 微电子器件的挑战 208

总结 212

参考文献 213

习题 214

习题参考答案 216

附录A 符号表 218

附录B 国际单位制(SI Units) 220

附录C 单位词头 221

附录D 物理常数 222

附录E 300 K时重要半导体材料的特性 223

附录F 300 K时硅和砷化镓的特性 224

精品推荐