图书介绍
CMOS数字集成电路 分析与设计 第4版 英文版pdf电子书版本下载
- （美）康松默等著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121248047
- 出版时间：2015
- 标注页数：716页
- 文件大小：115MB
- 文件页数：742页
- 主题词：CMOS电路－电路分析－高等学校－教材－英文；CMOS电路－电路设计－高等学校－教材－英文
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图书目录
Chapter 1 概论 1
1.1 发展历史 1
1.2 本书的目标和结构 5
1.3 电路设计举例 8
1.4 VLSI设计方法综述 18
1.5 VLSI设计流程 20
1.6 设计分层 23
1.7 规范化、模块化和本地化的概念 26
1.8 VLSI的设计风格 28
1.9 设计质量 39
1.10 封装技术 41
1.11 计算机辅助设计技术 44
习题 46
Chapter 2 MOS场效应管的制造 49
2.1 概述 49
2.2 制造工艺的基本步骤 50
2.3 CMOS n阱工艺 60
2.4 CMOS技术的发展 67
2.5 版图设计规则 74
2.6 全定制掩膜版图设计 78
习题 82
Chapter 3 MOS晶体管 92
3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）结构 92
3.2 外部偏置下的MOS系统 96
3.3 MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用 99
3.4 MOSFET的电流-电压特性 109
3.5 MOSFET的收缩和小尺寸效应 120
3.6 MOSFET电容 151
习题 162
Chapter 4 用SPICE进行MOS管建模 167
4.1 概述 167
4.2 基本概念 168
4.3 一级模型方程 170
4.4 二级模型方程 174
4.5 三级模型方程 178
4.6 先进的MOSFET模型 179
4.7 电容模型 180
4.8 SPICE MOSFET模型的比较 184
附录 典型SPICE模型参数 186
习题 192
Chapter 5 MOS反相器的静态特性 194
5.1 概述 194
5.2 电阻负载型反相器 202
5.3 MOSFET负载反相器 211
5.4 CMOS反相器 221
附录 小几何尺寸器件中CMOS反相器尺寸的发展趋势 239
习题 241
Chapter 6 MOS反相器的开关特性和体效应 245
6.1 概述 245
6.2 延迟时间的定义 247
6.3 延迟时间的计算 249
6.4 延迟限制下的反相器设计 257
6.5 互连线电容的估算 267
6.6 互连线延迟的计算 280
6.7 CMOS反相器的开关功耗 288
附录 超级缓冲器的设计 297
习题 300
Chapter 7 组合MOS逻辑电路 305
7.1 概述 305
7.2 带伪nMOS（PMOS）负载的MOS逻辑电路 306
7.3 CMOS逻辑电路 319
7.4 复杂逻辑电路 326
7.5 CMOS传输门 339
习题 349
Chapter 8 时序MOS逻辑电路 356
8.1 概述 356
8.2 双稳态元件的特性 357
8.3 SR锁存电路 363
8.4 钟控锁存器和触发器电路 368
8.5 时钟存储器件的相关时序特性 376
8.6 CMOS的D锁存器和边沿触发器 378
8.7 以时钟存储器件为基础的脉冲锁存器 384
8.8 基于灵敏放大器的触发器电路 386
8.9 时钟存储器件中的逻辑嵌入 388
8.10 时钟系统的能耗及其节能措施 389
附录 391
习题 394
Chapter 9 动态逻辑电路 398
9.1 概述 398
9.2 传输晶体管电路的基本原理 400
9.3 电压自举技术 412
9.4 同步动态电路技术 416
9.5 动态CMOS电路技术 421
9.6 高性能动态逻辑CMOS电路 425
习题 442
Chapter 10 半导体存储器 447
10.1 概述 447
10.2 动态随机存储器（DRAM） 452
10.3 静态随机存储器（SRAM） 481
10.4 非易失存储器 497
10.5 闪存 510
10.6 铁电随机存储器（FRAM） 518
习题 521
Chapter 11 低功耗CMOS逻辑电路 527
11.1 概述 527
11.2 功耗综述 528
11.3 电压按比例降低的低功率设计 541
11.4 开关激活率的估算和优化 552
11.5 减小开关电容 558
11.6 绝热逻辑电路 560
习题 568
Chapter 12 算术组合模块 569
12.1 概述 569
12.2 加法器 569
12.3 乘法器 580
12.4 移位器 586
习题 588
Chapter 13 时钟电路与输入输出电路 592
13.1 概述 592
13.2 静电放电（ESD）保护 592
13.3 输入电路 596
13.4 输出电路和L（di/dt）噪声 600
13.5 片内时钟生成和分配 605
13.6 闩锁现象及其预防措施 620
附录 芯片网络：下一代片上系统的新范例 627
习题 631
Chapter 14 产品化设计 633
14.1 概述 633
14.2 工艺变化 634
14.3 基本概念和定义 636
14.4 实验设计与性能建模 642
14.5 参数成品率的估计 650
14.6 参数成品率的最大值 655
14.7 最坏情况分析 657
14.8 性能参数变化的最小化 663
习题 666
Chapter 15 可测试性设计 670
15.1 概述 670
15.2 故障类型和模型 670
15.3 可控性和可观察性 674
15.4 专用可测试性设计技术 675
15.5 基于扫描的技术 678
15.6 内建自测（BIST）技术 680
15.7 电流监控IDDQ检测 683
习题 684
参考文献 685
索引 691