半导体硅材料基础pdf电子书版本下载

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第1章 概论 1

1.1硅材料工业的发展 1

1.2半导体市场及发展 2

1.3中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题 3

本章小结 5

习题 5

第2章 半导体材料基本性质 6

2.1半导体材料的分类及性质 6

2.2硅的物理化学性质 8

2.3硅材料的纯度及多晶硅标准 10

本章小结 11

习题 12

第3章 晶体几何学基础 13

3.1晶体结构 13

3.2晶向指数 16

3.3晶面指数 16

3.4立方晶体 17

3.5金刚石和硅晶体结构 19

3.6倒格子 22

本章小结 22

习题 23

第4章 晶体缺陷 24

4.1点缺陷 24

4.2线缺陷 26

4.3面缺陷 30

4.4体缺陷 31

本章小结 32

习题 32

第5章 能带理论基础 33

5.1能带理论的引入 33

5.2半导体中的载流子 35

5.3杂质能级 36

5.4缺陷能级 38

5.5直接能隙与间接能隙 38

5.6热平衡下的载流子 39

本章小结 45

习题 45

第6章 p-n结 46

6.1 p-n结的形成 46

6.2 p-n结的制备 47

6.3 p-n结的能带结构 48

6.4 p-n结的特性 49

本章小结 50

习题 50

第7章 金属-半导体接触和MIS结构 51

7.1金属-半导体接触 51

7.2欧姆接触 55

7.3金属-绝缘层-半导体结构（MIS） 56

本章小结 57

习题 57

第8章 多晶硅材料的制取 58

8.1冶金级硅材料的制取 58

8.2高纯多晶硅的制取 59

8.3太阳能级多晶硅的制取 61

本章小结 62

习题 62

第9章 单晶硅的制备 63

9.1结晶学基础 63

9.2晶核的形成 65

9.3区熔法 69

9.4直拉法 72

9.5杂质分凝和氧污染 80

9.6直拉硅中的碳 85

9.7直拉硅中的金属杂质 86

9.8磁拉法（MCz） 89

9.9 CCz法（连续加料法） 93

本章小结 96

习题 97

第10章 其他形态的硅材料 98

10.1铸造多晶硅 98

10.2带状硅材料 110

10.3非晶硅薄膜 112

10.4多晶硅薄膜 116

本章小结 118

习题 119

第11章 化合物半导体材料 120

11.1化合物半导体材料特性 120

11.2砷化镓（GaAs） 122

本章小结 131

习题 131

第12章 硅材料的加工 132

12.1切去头尾 132

12.2外径滚磨 133

12.3磨定位面（槽） 134

12.4切片 136

12.5倒角（或称圆边） 139

12.6研磨 140

12.7腐蚀 142

12.8抛光 144

12.9清洗 148

本章小结 150

习题 151

附录 152

附录1 常用物理量 152

附录2 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度 152

参考文献 153