微电子封装手册 第2版pdf电子书版本下载

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第Ⅰ部分 技术驱动力 3

第1章 微电子封装——概论 3

1.1 引言 3

1.1.1 电子装置的封装 6

1.1.2 封装的功能和分层 8

1.1.3 变化趋势 10

1.1.3.1 产品应用 10

1.1.3.2 半导体 11

1.1.3.3 对未来电子装置封装的考虑 13

1.2 技术驱动 14

1.2.1 可引线性，引线端数和Rent定律 15

1.2.2 电设计考虑 16

1.2.2.1 综述 17

1.2.2.2 信号线的电磁性质 17

1.2.2.3 信号退化 18

1.2.2.4 交叉耦合噪音 18

1.2.2.5 开关（△I）噪声 19

1.2.2.6 信号反射 19

1.2.3 电性能——电源分配 19

1.2.3.1 严格的分析 20

1.2.3.2 对可接受的引线电感L=Lmax的粗略计算 20

1.2.4 热设计考虑 21

1.2.5 可靠性 23

1.2.6 可制造性和质量 24

1.2.7 可测试性 25

1.2.8 存储器封装 26

1.2.9 个人计算机和工作站 28

1.2.10 便携式和混合信号装置 29

1.2.11 高性能处理器 30

1.2.12 光学互连 31

1.2.13 封装技术性能考虑和演变的总结 32

1.2.13.1 功率-时间积理论 32

1.2.13.2 利用LIS技术降低URRθB 33

1.2.13.3 LIS在片系统和封装 35

1.2.13.4 传导媒介延迟因素 38

1.3 封装技术 41

1.3.1 封装的演变 41

1.3.1.1 过去的封装 44

1.3.1.2 未来的封装 47

1.4 心片级互连 47

1.4.1 引线键合 48

1.4.2 TAB 49

1.4.3 倒装芯片 50

1.5 一级封装 53

1.5.1 单芯片封装 53

1.5.2 芯片尺寸或芯片大小封装 55

1.5.3 单芯片封装市场 58

1.5.4 塑料封装 59

1.5.4.1 工艺控制 60

1.5.5 塑料PGA技术 61

1.5.6 引线框制造 61

1.5.7 逻辑和存储器应用 61

1.5.8 陶瓷封装技术 63

1.5.9 BGA封装 63

1.5.10 封装折衷 65

1.5.11 一级多芯片封装 67

1.5.11.1 定义 68

1.5.11.2 多芯片封装的功能 68

1.5.11.3 封装效率 69

1.5.11.4 电性能 70

1.5.11.5 可靠性 70

1.5.11.6 多芯片封装的作用 71

1.5.11.7 多芯片模块的类型 71

1.5.11.8 成本 71

1.5.11.9 应用 73

1.6 封装到板的互连 74

1.7 二级封装 78

1.8 封装冷却 82

1.9 封装的密封和包封 84

1.10 本书的结构和范围 86

1.11 参考文献 87

第2章 封装布线与端子 89

2.1 引言 89

2.1.1 封装体系 90

2.1.2 布线约束和尺寸 90

2.1.3 物理设计工具对封装布线的影响 94

2.1.4 布线模型的要求 94

2.1.5 定量预测的目标 94

2.1.6 布线术语的标准化 95

2.2 布线模型及其变量 95

2.2.1 基本可布线性分析 95

2.2.2 Rent定律和平均布线长度 98

2.2.3 引出端数目与Rent定律 100

2.2.4 布线分布 101

2.2.5 对互连点的拓扑制约 102

2.2.6 布线拥护与完成的概率模型 103

2.3 芯片电路布局和布线的结果与模型预测 106

2.3.1 与实验的直接比较 106

2.3.2 设计过程中逻辑变化的影响 108

2.3.3 在门阵列芯片中减少门数的影响 109

2.3.4 使用宏对芯片的影响 109

2.3.5 多层布线对芯片可布线性的影响 110

2.3.6 定制设计的影响 111

2.4 更高级封装的布线 112

2.4.1 封装可布线性研究 113

2.4.2 封装可布线性的制约 117

2.4.3 通孔可用性与布线线路可达性对封装布线能力的影响 119

2.4.4 预测溢出的定量模型 125

2.4.5 更高级封装运用布线能力分析 126

2.5 结束语和未来工作的挑战 128

2.5.1 可布线性分析的整个价值 128

2.5.2 预布局和预布线的影响 130

2.5.3 混合信号的布线 130

2.5.4 设计工具的挑战 130

2.6 参考文献 131

第3章 封装电设计 134

3.1 引言 134

3.2 电路特性 138

3.2.1 接收器 138

3.2.1.1 传输噪声容限 139

3.2.1.2 自生成噪声容限 140

3.2.1.3 合成噪声容限 141

3.2.1.4 接收器输入稳定性 141

3.2.2 驱动器 142

3.2.2.1 驱动器输出电平 143

3.2.2.2 驱动器转换速率 143

3.2.2.3 驱动器输出阻抗 144

3.3 信号分配 145

3.3.1 低速封装设计 145

3.3.2 有损耗的信号线 146

3.3.3 数字信号传输网络的设计方法 147

3.3.3.1 离散负载及分布式网络 150

3.3.3.2 布线规则形成实例 152

3.3.3.3 延迟方程形成实例 153

3.3.3.4 结构设计依据 153

3.3.3.5 有源端接器 153

3.4 电源配置 155

3.5 噪声抑制 157

3.5.1 Leff的意义 158

3.5.1.1 高频下的电源阻抗 161

3.5.2 开关或△I噪声 163

3.5.2.1 耦合噪声或串扰 167

3.5.3 最恶劣的情况：耦合噪声与△I噪声结合 170

3.6 低损耗传输系统 172

3.6.1 信号设计 172

3.6.1.1 低损耗传输线的性质 173

3.6.2 薄膜结构的噪声设计 177

3.6.2.1 耦合噪声 177

3.6.2.2 开关噪声 178

3.7 封装建模 179

3.7.1 基本原理 180

3.7.2 频率效应 187

3.7.3 时域波形畸变 189

3.7.4 封装建模技术 191

3.7.4.1 建模提示 193

3.8 设计空间 196

3.8.1 延迟累加与Z0的关系（传输线特性阻抗） 196

3.8.2 噪声与Z0的关系曲线 197

3.8.3 Z0的合格范围 198

3.9 系统影响 199

3.10 封装的改进 202

3.11 小结 203

3.12 致谢（略） 204

3.13 参考文献 204

3.14 附录：峰值平均电流变化率的计算 206

第4章 电子封装中的传热 208

4.1 序言 208

4.2 传热基础 212

4.2.1 传导 213

4.2.1.1 热导率 213

4.2.1.2 热阻 214

4.2.1.3 扩展表面 217

4.2.1.4 数值方法 219

4.2.1.5 统计方法 222

4.2.1.6 接触热阻 223

4.2.2 对流 225

4.2.2.1 无量纲数 225

4.2.2.2 自然对流 226

4.2.2.3 强迫对流 228

4.2.3 沸腾 236

4.2.4 辐射 241

4.3 实验技术和仪器 242

4.3.1 芯片温度测量 242

4.3.2 确定内热阻 242

4.3.3 确定外热阻 243

4.3.4 供应商的热数据 245

4.3.5 压力降和空气流 246

4.4 典型的冷却设计 248

4.5 近代封装传热的进展 257

4.6 结论 259

4.7 符号表 260

4.8 参考文献 262

第5章 封装可靠性 266

5.1 引言 266

5.2 可靠性计量学 268

5.3 接触电阻 278

5.4 环境作用 284

5.4.1 封装环境 284

5.4.2 封装结构 285

5.4.3 化学失效机理 285

5.4.4 电化学过程 286

5.4.4.1 电化学基本原理和模型 286

5.4.5 化学热力学原理 289

5.4.6 电解质膜的形成 293

5.4.7 失效率预测 297

5.4.8 电化学失效的统计分布 297

5.4.8.1 应用和举例 298

5.4.9 微电子封装中的腐蚀控制 299

5.4.10 聚合物失效机理 300

5.5 热失配和热疲劳 301

5.5.1 评价技术 303

5.5.1.1 热应力评价——分析工具 303

5.5.1.1.1 传统的应力分析法 304

5.5.1.1.2 数值分析；有限元模型 304

5.5.1.1.3 分布分析 305

5.5.1.2 热应力评价——实验设备 306

5.5.1.2.1 应变仪 306

5.5.1.2.2 莫尔（Moire）干涉仪 308

5.5.1.2.3 其他试验技术 309

5.5.1.3 热、功率和机械循环 309

5.5.1.3.1 热循环 309

5.5.1.3.2 功率循环 309

5.5.1.3.3 机械循环 310

5.5.1.4 疲劳理论 310

5.5.1.4.1 Coffin-Manson关系式 311

5.5.1.4.2 Miner定律 313

5.5.1.4.3 能量法 313

5.5.1.4.4 断裂机理 314

5.5.1.5 统计学 316

5.5.2 热失配疲劳的主要现象 317

5.5.2.1 一级封装：芯片粘接 317

5.5.2.1.1 芯片开裂 318

5.5.2.1.2 粘接层疲劳 319

5.5.2.1.3 减小危害 320

5.5.2.2 一级封装：倒装芯片 320

5.5.2.2.1 热循环失效特性 320

5.5.2.2.2 怎样研究疲劳 321

5.5.2.2.3 影响疲劳性能的因素 322

5.5.2.3 二级封装：插装型封装 324

5.5.2.3.1 热循环失效特性 324

5.5.2.3.2 如何研究疲劳寿命 325

5.5.2.3.3 影响疲劳特性的因素 325

5.5.2.3.4 未填焊料的孔 325

5.5.2.4 二级封装：表面安装技术（SMT） 325

5.5.2.4.1 无引线片式载体（LLCC） 326

5.5.2.4.2 有引线片式载体（LCC） 327

5.5.2.4.3 焊球阵列（BGA） 329

5.5.2.4.4 板上芯片（COB） 330

5.5.3 结论 332

5.6 机械加载 332

5.7 摩擦退化 339

5.8 热传输退化 342

5.9 总结 345

5.10 参考文献 347

5.11 附录：概率密度表 362

第6章 封装制造 367

6.1 序言 367

6.2 产品质量和过程设计 370

6.2.1 质量设计用的工具 371

6.2.2 质量职能开发（QFD） 371

6.2.2.1 QFD在封装设计中的典型例证 373

6.2.3 田口稳健实验设计（DOE）方法 374

6.2.3.1 DOE的七个步骤 375

6.2.3.2 方差的重要性 381

6.2.3.3 QFD在封装设计中的典型例证（续） 382

6.2.4 稳健工艺设计 384

6.2.5 产品质量和过程设计——总结 385

6.3 产品鉴定 386

6.3.1 新产品的鉴定 387

6.3.1.1 可行性阶段（检查点A） 387

6.3.1.2 开发阶段（检查点B） 387

6.3.1.3 现场性能（检查点C） 389

6.4 制造线模型化和模拟 390

6.5 过程控制 392

6.5.1 过程控制所要求的因素 392

6.5.1.1 文件化过程 393

6.5.1.2 量化表示和合格鉴定的能力 394

6.5.1.3 文件化的和有用的工作说明书 394

6.5.1.4 经操作认证的操作人员 395

6.5.1.5 过程监测 395

6.5.1.6 已校准和受监控的设备 396

6.5.1.7 重新鉴定过程 397

6.5.1.8 受控的入库材料 397

6.5.1.9 在制品（WIP）控制 398

6.5.1.10 内部审核 399

6.5.1.11 闭环的管理评审 400

6.5.2 过程控制总结 400

6.6 遍及全球的质量标准——ISO 9000 401

6.6.1 ISO 9000认证前的准备步骤 402

6.6.1.1 规定职责和权力 402

6.6.1.2 制定质量手册 403

6.6.1.3 制定文件“你做什么” 403

6.6.1.4 体系运行 404

6.6.1.5 建立一个测量体系，为评审做准备并确定准备就绪 404

6.6.1.6 与注册机构签合同 404

6.6.1.7 举行仪式 405

6.7 总结 405

6.8 参考文献 406

6.9 附录：ISO9001的20个要素 408

第Ⅱ部分 半导体封装 411

第7章 芯片与封装的互连 411

7.1 引言 411

7.2 芯片级互连的发展 412

7.3 倒装芯片焊料凸点连接 415

7.3.1 C4的历史 416

7.3.2 材料 421

7.3.3 设计因素 423

7.3.4 凸点制造工艺和设备 424

7.3.4.1 金属模蒸发技术 426

7.3.4.2 电镀凸点 427

7.3.5 组装／返工 429

7.3.5.1 自对准 430

7.3.5.2 常规助焊剂的辅助焊接 432

7.3.5.3 采用等离子体辅助干法焊接的无焊剂连接 434

7.3.5.4 多芯片组装的返工 437

7.3.6 C4的可靠性 440

7.3.7 提高热失配封装可靠性的措施 441

7.3.7.1 设计及几何形状 442

7.3.7.2 焊料组分 443

7.3.7.3 基板材料 444

7.3.7.3.1 带下填料的直接芯片粘接（DCA）到PWB上 446

7.3.7.4 其他可靠性问题 446

7.3.7.5 α-粒子辐射 448

7.3.7.6 倒装芯片的老炼和已知优质芯片 448

7.3.7.7 C4的热耗散 449

7.3.8 C4的未来发展趋势 451

7.4 引线键合 451

7.4.1 连接技术 452

7.4.2 引线键合连接机理 454

7.4.2.1 超声焊接 454

7.4.2.2 热超声焊接 457

7.4.2.3 热压焊接 458

7.4.3 键合技术的历史 458

7.4.4 引线键合应用 460

7.4.5 材料 464

7.4.5.1 键合引线 464

7.4.5.2 含1％硅的铝丝 465

7.4.5.3 铝-镁键合丝 465

7.4.5.4 金丝 465

7.4.5.5 金丝的代用材料 467

7.4.5.6 芯片粘接材料 467

7.4.5.6.1 焊料 467

7.4.5.6.2 有机粘接剂 467

7.4.5.6.3 玻璃粘接剂 467

7.4.5.7 键合工具：毛细管劈刀和楔形劈刀 467

7.4.6 工艺自动化 468

7.4.7 工艺优选的判定指南 468

7.4.7.1 引线类型 468

7.4.7.2 球形键合指南 469

7.4.7.3 楔形键合指南 470

7.4.8 评价-优化工艺 471

7.4.8.1 工程评价方法（目检） 471

7.4.8.2 工程评价方法（机械试验） 471

7.4.8.3 生产评价方法 472

7.4.9 未来（2000年）的引线键合技术 473

7.5 载带自动焊 473

7.5.1 引言 473

7.5.2 TAB载带 475

7.5.2.1 单层载带 478

7.5.2.2 双层载带 478

7.5.2.3 三层载带 478

7.5.2.4 带凸点的载带 484

7.5.2.5 转移凸点的载带自动焊（TAB） 485

7.5.2.6 双导体载带 486

7.5.2.7 静电放电的防护 488

7.5.3 圆片凸点的制作 489

7.5.4 内引线键合 491

7.5.4.1 热压焊 491

7.5.4.2 组合键合工艺流程 491

7.5.4.3 载带和芯片供给方法 492

7.5.4.4 单点键合 493

7.5.4.5 激光键合 493

7.5.4.6 影响ILB的因素 495

7.5.4.7 ILB评价 496

7.5.5 外引线键合 498

7.5.5.1 热条OLB 498

7.5.5.2 各向异性导电膜 501

7.5.5.3 ILB、OLB节距和引线数的发展趋势 501

7.5.5.4 高I/O数和节距ILB和OLB的影响 502

7.5.6 TAB封装的应用 504

7.5.6.1 载带焊球阵列 504

7.5.6.2 TapePak？ 505

7.5.6.3 Pentium？TCP 506

7.5.6.4 ETA超级计算机 507

7.5.7 发展趋势 508

7.6 压力连接 509

7.7 粘接法 511

7.7.1 凸点和不导电树脂 511

7.7.2 各向异性导电粘接剂 511

7.8 互连的电参数 512

7.9 连接密度 513

7.10 总结 513

7.11 参考文献 515

第8章 陶瓷封装 525

8.1 引言 525

8.1.1 陶瓷封装的特性 527

8.1.1.1 特性 527

8.1.1.2 最高布线密度 528

8.1.1.3 最好的可靠性和气密性 529

8.1.2 陶瓷的缺点 530

8.2 早期的陶瓷封装 530

8.2.1 陶瓷固体逻辑工艺 530

8.2.2 陶瓷双列直插封装 530

8.2.3 先进的SLT 532

8.2.4 单片系统技术 533

8.2.5 厚膜（交叉）技术 533

8.2.6 薄膜陶瓷封装 534

8.2.7 早期的多层陶瓷 535

8.2.8 陶瓷片式载体、扁平封装和混合电路封装 536

8.3 氧化铝陶瓷封装 541

8.4 氧化铝封装的现状及其应用 542

8.4.1 陶瓷 543

8.4.2 生瓷片 545

8.4.3 粘接剂和浆料 545

8.4.4 冲孔 547

8.4.5 丝网印刷 548

8.4.6 烧结 550

8.4.7 电镀 554

8.4.8 芯片焊接 554

8.5 陶瓷封装的最新进展 554

8.5.1 氮化铝 555

8.5.1.1 AlN粉末和烧结 556

8.5.1.2 低温烧结 556

8.5.1.3 AlN特性 556

8.5.1.4 AlN金属化 557

8.5.1.5 AlN应用 557

8.5.2 氧化铍 560

8.5.3 莫来石 561

8.6 低温陶瓷或玻璃＋陶瓷封装 561

8.7 低温陶瓷封装的目前水平 566

8.7.1 IBM的玻璃-陶瓷基板 566

8.7.1.1 玻璃-陶瓷材料 566

8.7.1.2 铜粉末和浆料制备工艺 569

8.7.1.2.1 铜厚膜 570

8.7.1.3 落料、叠片和层压工艺 570

8.7.1.3.1 冲孔 570

8.7.1.3.2 丝网印刷 571

8.7.1.3.3 检验 572

8.7.1.3.4 叠片和层压 572

8.7.1.4 玻璃-陶瓷／铜烧结工艺 572

8.7.1.4.1 粘结剂的排除和碳的氧化 573

8.7.1.4.2 致密化 573

8.7.1.4.3 尺寸控制 574

8.7.1.5 基板加工和抛光工艺 575

8.7.1.5.1 烧结后的外形加工 576

8.7.1.5.2 平面精细加工 576

8.7.1.5.3 密封封口环研磨加工 576

8.7.1.5.4 抛光 577

8.7.2 Fujitsu的玻璃-陶瓷基板 577

8.7.2.1 玻璃-堇青石系统 577

8.7.2.2 玻璃-氧化铝系统 577

8.7.2.3 计算机主机用的玻璃-陶瓷 579

8.7.3 NEC的铅硼硅酸盐-氧化铝玻璃＋陶瓷 580

8.7.4 Panasonic的玻璃-陶瓷 580

8.7.5 David Samoff公司的金属上的玻璃-陶瓷（LTCC-M） 581

8.7.6 其他陶瓷封装 582

8.8 陶瓷基板的芯片粘结和热耗散 585

8.9 陶瓷封装的可靠性 586

8.10 未来的陶瓷封装 586

8.10.1 未来的低介电常数陶瓷材料 586

8.10.1.1 硼硅酸盐玻璃＋氧化硅 587

8.10.1.2 多孔陶瓷和玻璃 591

8.10.2 大面积低成本加工工艺 592

8.10.3 精细线条和通孔技术 594

8.10.4 陶瓷焊球阵列封装和芯片尺寸封装 594

8.10.5 含无源元件的集成陶瓷封装 595

8.10.5.1 无线通信的需求 597

8.10.5.2 集成陶瓷尺寸的要求 597

8.10.5.3 无源元件集成的一些实例 598

8.11 参考文献 598

第9章 塑料封装 604

9.1 引言 604

9.1.1 通孔插装式安装器件 606

9.1.2 表面安装器件 606

9.1.3 塑料封装与陶瓷封装的比较 607

9.1.3.1 尺寸及重量 607

9.1.3.2 性能 608

9.1.3.3 成本 608

9.1.3.4 可靠性 609

9.1.3.5 可用性 611

9.1.4 总结 611

9.2 模塑料及引线框架材料 611

9.2.1 树脂 612

9.2.1.1 填充剂及耦合剂 613

9.2.1.2 固化剂与催化剂 617

9.2.1.3 应力释放添加剂 618

9.2.1.4 阻燃剂 618

9.2.1.5 脱模剂 618

9.2.1.6 离子吸附添加剂 619

9.2.1.7 着色剂 620

9.2.2 “低应力”模塑料 620

9.2.3 模塑料配制过程 621

9.2.4 引线框架的设计、材料及工艺 622

9.2.4.1 材料 624

9.2.4.2 强度 625

9.2.4.3 热导率 625

9.2.4.4 热膨胀 625

9.2.4.5 机械设计 625

9.2.4.6 引线框架的制造 628

9.2.4.7 电镀 630

9.3 模塑料的性能指标 630

9.3.1 收缩应力 631

9.3.2 热膨胀系数及玻璃化温度 631

9.3.3 机械性能 632

9.3.4 螺旋流动长度 634

9.3.5 包封试验中的模塑料流变性 635

9.3.6 模塑料的固化特性 636

9.3.7 凝胶时间 636

9.3.8 粘附性 636

9.3.9 聚合率 637

9.3.10 固化 638

9.3.11 后固化 638

9.3.12 潮气对环氧化合物硬化的影响 638

9.3.13 热导率 638

9.3.14 电特性 638

9.3.15 化学特性 639

9.3.16 可燃性和氧化系数 639

9.3.17 潮气侵入 640

9.4 传递模塑过程 640

9.4.1 模塑设备 640

9.4.2 传递模塑工艺 641

9.4.3 传递模塑模拟 645

9.5 包装和运输 645

9.5.1 包装和运输中的注意事项 646

9.5.1.1 潮气防护 646

9.5.1.2 引线损伤和可焊性 648

9.5.1.3 静电放电保护 648

9.5.2 包装等级 649

9.5.2.1 一级包装 649

9.5.2.2 二级包装 650

9.5.2.3 三级包装 652

9.5.3 干燥包装的处理 652

9.5.3.1 分类 652

9.5.3.2 湿敏元件的板级返工 653

9.5.4 环境考虑 654

9.6 质量和可靠性 654

9.6.1 失效机理分类 655

9.6.2 失效分析 655

9.6.2.1 芯片破裂 655

9.6.2.2 管芯钝化层损伤 656

9.6.2.3 管芯金属化腐蚀 656

9.6.2.4 金属化变形 657

9.6.2.5 键合金丝弯曲 657

9.6.2.5.1 粘度 658

9.6.2.5.2 高流速 658

9.6.2.5.3 模腔内不平衡流动 658

9.6.2.5.4 空洞转移 658

9.6.2.5.5 后封装 658

9.6.2.5.6 填充料碰撞 658

9.6.2.6 金丝键合焊盘凹陷 658

9.6.2.7 键合线损伤 659

9.6.2.8 键合线断裂和脱落 659

9.6.2.9 引线键合和焊盘腐蚀 659

9.6.2.10 引线框架腐蚀 660

9.6.2.11 引线框架的低粘附性及脱层 660

9.6.2.12 包封料破裂 660

9.6.2.13 包封材料疲劳裂缝 660

9.6.2.14 封装爆裂（“爆米花”） 661

9.6.2.15 电学过载和静电放电 661

9.6.2.16 软误差 661

9.6.2.17 焊接点疲劳 662

9.6.3 潜在失效分类 662

9.6.4 塑料封装和陶瓷封装失效模式比较 663

9.7 塑料封装的发展趋势 664

9.7.1 材料、设计和制造方面的趋势 664

9.7.1.1 包封材料的发展趋势 664

9.7.1.2 封装设计的发展趋势 666

9.7.1.3 封装制造的发展趋势 667

9.7.2 电路卡组装方面的挑战和发展趋势 669

9.7.3 标准和要求 669

9.8 塑封电路的传热 670

9.9 芯片粘接 670

9.10 参考文献 672

第10章 电子封装中的聚合物材料 678

10.1 前言 678

10.2 发展历史 678

10.3 电子封装和半导体制造技术对聚合物薄膜材料的性能要求 680

10.3.1 兼容性和可靠性 681

10.4 聚合物介质材料 682

10.5 聚酰亚胺 682

10.5.1 用于制备薄膜的聚酰胺酯 684

10.5.1.1 背景 684

10.5.1.2 M-PAETE的合成 685

10.5.1.3 M-PAETE的溶液性质 685

10.5.2 薄膜聚合物材料的表征技术 686

10.5.2.1 力学性能 686

10.5.2.2 拉伸性能 687

10.5.2.3 工艺应力 687

10.5.2.4 薄膜表面的粘结 688

10.5.2.4.1 聚酰亚胺与聚酰亚胺的粘结 688

10.5.2.4.2 聚酰亚胺与玻璃或陶瓷间的粘结 689

10.5.2.4.3 聚酰亚胺与金属的粘结 689

10.5.2.4.4 金属与聚酰亚胺的粘结 689

10.5.2.5 动态应力试验 689

10.5.2.6 动态热机械性质 690

10.6 商品化的预亚胺化聚酰亚胺薄膜 691

10.6.1 微电子基板材料的理想性能 691

10.6.2 制造技术 692

10.6.3 预亚胺化聚酰亚胺薄膜的来源、型号和化学组成 693

10.6.3.1 Kapton？聚酰亚胺薄膜 693

10.6.3.2 Apical？聚酰亚胺薄膜 694

10.6.3.3 Upilex？聚酰亚胺薄膜 694

10.6.3.4 商品化聚酰亚胺薄膜的性质 694

10.7 非聚酰亚胺的耐高温聚合物介质材料 698

10.7.1 苯并环丁烯（BCB）树脂 698

10.7.1.1 BCB材料的电性能 698

10.7.1.2 力学性能 699

10.7.1.3 光学性质 699

10.7.1.4 吸水率 699

10.7.1.5 热稳定性和抗热氧化稳定性 699

10.7.1.6 流平性 700

10.7.1.7 粘附性 701

10.7.1.8 薄膜的内应力 701

10.7.1.9 金属离子的迁移 701

10.7.1.10 Cyclotene 3000系列材料的工艺 701

10.7.1.11 无源元件的内埋 703

10.7.1.12 应用 703

10.7.2 聚喹啉 704

10.7.3 聚环状烯烃介质材料 704

10.8 光敏性聚酰亚胺（PSPI）材料 705

10.8.1 引言 705

10.8.2 发展历史 707

10.8.3 PSPI的薄膜工艺 708

10.8.3.1 酯型PSPI的制图工艺 708

10.8.3.2 光敏性聚酰亚胺和非光敏性聚酰亚胺的比较 709

10.8.4 酯型PSPI 710

10.8.4.1 化学和光敏助剂：聚合物前置体的制备 710

10.8.4.2 酯型PSPI的其他制备方法 711

10.8.4.3 工艺 711

10.8.4.3.1 溶液的制备和性质 711

10.8.4.3.2 光刻工艺 712

10.8.4.3.3 PIMEL？的固化 713

10.8.4.3.4 PIMEL？的性质 714

10.8.4.3.5 功能化的PSPI 716

10.8.4.3.6 低热膨胀PSPI 716

10.8.4.3.7 i线酯型光敏性聚酰亚胺 719

10.8.4.3.8 碱催化的光敏性聚酰亚胺 719

10.9 离子型光敏性聚酰亚胺 720

10.9.1 离子型光敏性聚酰亚胺的化学与光敏助剂 720

10.9.2 “Photoneeee”的工艺（曝光、显影和固化） 723

10.9.3 光刻性质及特征 724

10.10 预亚胺化的光敏性聚酰亚胺 727

10.10.1 化学表征 727

10.10.2 特性 728

10.10.3 光交联原理 729

10.11 正性光敏性聚酰亚胺 731

10.11.1 正性光敏性聚酰亚胺的制备 732

10.11.2 正性光敏性聚酰亚胺的性质 732

10.11.3 正性光敏性聚酰亚胺的展望 732

10.12 光敏性聚苯并环丁烯（BCB） 733

10.12.1 光敏BCB的物理和化学性质 733

10.12.2 光敏BCB的电性能和机械性能 733

10.12.3 光敏BCB的工艺过程 734

10.12.3.1 表面制备 735

10.12.3.2 涂覆 735

10.12.3.3 预固化 736

10.12.3.4 曝光 736

10.12.3.5 溶液刻蚀 737

10.12.3.6 返工 742

10.12.3.7 固化 742

10.12.3.8 清除残余物 742

10.12.3.9 基板切割 742

10.12.3.10 光敏BCB的应用 742

10.13 光敏性环氧树脂 743

10.13.1 光敏性异氰酸酯和环氧树脂 743

10.13.2 本征光敏性环氧树脂 744

10.14 光敏性聚酰亚胺在微电子制造技术中的应用 744

10.14.1 芯片保护层 745

10.14.1.1 抗α-粒子保护层 745

10.14.1.2 吸收应力的缓冲涂层 745

10.14.1.3 薄膜互连 745

10.14.2 封装层间绝缘材料的应用 746

10.14.2.1 高密度多芯片模块中的层间绝缘材料 746

10.14.2.2 酯型光敏性聚酰亚胺的应用 746

10.14.2.3 离子型光敏性聚酰亚胺的应用 746

10.14.2.4 非收缩性的完全亚胺化光敏性聚酰亚胺 747

10.14.2.5 光波导 747

10.14.2.6 其他应用 749

10.15 光敏性聚酰亚胺的研究开发现状和前景 749

10.15.1 超薄光敏性聚酰亚胺（LB膜） 749

10.16 总结和展望 749

10.17 参考文献 750

第11章 薄膜封装 759

11.1 前言 759

11.1.1 薄膜封装的布线 763

11.1.2 薄膜模块的I/O端子 765

11.1.3 电源与散热 766

11.2 电学性能 767

11.3 薄膜封装与厚膜封装的比较 769

11.3.1 薄膜封装和厚膜封装的尺寸 771

11.3.2 薄膜封装和厚膜封装的成本 772

11.3.3 单层薄膜封装 773

11.3.4 多层薄膜结构的类型 775

11.3.4.1 平面叠积柱 775

11.3.4.2 非平面的交错孔 776

11.3.4.3 电学方面的综合考虑 778

11.4 薄膜材料和工艺 780

11.4.1 薄膜基板 781

11.4.2 介质材料 782

11.4.2.1 有机材料及其性质 782

11.4.2.2 无机材料及其性质 785

11.4.3 薄膜工艺 788

11.4.3.1 聚合物工艺 790

11.4.3.1.1 聚合物薄膜的淀积 790

11.4.3.1.2 通孔的形成方法 794

11.4.3.2 金属化工艺 804

11.4.3.2.1 布线层的金属化 806

11.4.3.2.2 通孔金属化 808

11.4.3.2.3 端子金属及其工艺 809

11.4.3.3 平整化 811

11.4.3.4 薄膜工艺相对成本的比较 813

11.5 成品率／成本的考虑 817

11.5.1 薄膜封装的修复 817

11.5.2 修复技术的调节作用 818

11.5.3 修复方法 818

11.5.3.1 缺陷的检测和修复 819

11.5.3.2 短路的修复 819

11.5.3.3 开路的修复 821

11.5.4 其他修复方法 825

11.5.4.1 冗余结构 825

11.5.4.2 再布线 825

11.5.5 性能和可靠性 825

11.6 可靠性 826

11.7 薄膜封装的商业应用 826

11.7.1 IBM 826

11.7.1.1 薄膜封装的进展 827

11.7.1.2 多层薄膜的实施 828

11.7.1.3 单层和多层单芯片封装 828

11.7.1.4 主计算机用的薄膜结构和工艺 829

11.7.1.4.1 硅基板上的铝-聚酰亚胺多层薄膜 830

11.7.1.4.2 叠积柱状的铜-聚酰亚胺 832

11.7.1.4.3 共形通孔铜-聚酰亚胺 832

11.7.2 Siemens：主机用精密布线的薄膜技术 834

11.7.2.1 精密布线技术 834

11.7.2.2 多层薄膜工艺的制作顺序 834

11.7.2.2.1 增强型基板 835

11.7.2.2.2 信号层、电源层和再分布层 836

11.7.2.2.3 芯片安装层 837

11.7.3 Hitachi：主计算机用的薄膜封装 837

11.7.4 nCHIP：在Si基板上采用Al/SiO2封装 840

11.7.4.1 SiO2介质层 840

11.7.4.1.1 热导率 840

11.7.4.1.2 工艺成本 841

11.7.4.1.3 化学惰性与气密性 842

11.7.4.1.4 机械性能 842

11.7.4.1.5 一致性和控制 843

11.7.4.1.6 SiO2的坚固性 843

11.7.4.2 主要的电学和热学特性 844

11.7.4.3 nC1000SICB的图形尺寸 844

11.7.4.4 MC封装组件 844

11.7.5 Digital:VAX 9000多芯片封装 845

11.7.5.1 HDSC设计与工艺 845

11.7.5.1.1 HDSC的设计 845

11.7.5.1.2 HDSC的夹心工艺 846

11.7.5.1.3 HDSC组装工艺 847

11.7.5.2 高性能计算机封装的发展 847

11.7.5.3 高性能封装技术的发展 850

11.7.5.3.1 MCU-A 850

11.7.5.3.2 MCU-B 850

11.7.5.3.3 MCU-C 850

11.7.5.4 技术总结 851

11.7.6 NEC：适于主机和超级计算机的薄膜封装 852

11.7.6.1 适于高性能系统的聚酰亚胺-陶瓷基板 852

11.7.6.2 GaAs封装用的圆片规模基板 852

11.7.7 微型模块系统：和IC工艺相兼容的薄膜封装 854

11.7.8 其他商用方法 854

11.8 薄膜封装中涌现出的商业技术 855

11.8.1 IBM的表面层压电路 856

11.8.2 Sheldahl的滚压工艺 856

11.8.3 GE公司的共形多芯片柔性膜 858

11.8.4 DYCOstrate薄膜技术 860

11.8.5 IBM的刚柔结合薄膜封装 860

11.8.6 IBM的薄膜转移技术 862

11.9 薄膜封装中的集成无源元件 863

11.9.1 当前无源集成的发展和应用 864

11.9.1.1 电阻器 865

11.9.1.2 电容器 865

11.9.1.3 电感器 867

11.9.2 薄膜封装中集成无源元件的未来发展方向 867

11.10 薄膜材料和工艺的未来发展方向 868

11.10.1 聚合物材料 871

11.10.2 大面积聚合物淀积 873

11.10.3 通孔的形成 874

11.10.3.1 激光剥离 874

11.10.3.2 光敏聚合物 875

11.10.4 平整化 875

11.10.5 化学镀铜工艺 875

11.11 致谢 877

11.12 参考文献 877

第12章 封装的电测试 886

12.1 引言 886

12.2 基板测试 887

12.3 基板测试方法 890

12.3.1 电容测试 890

12.3.1.1 测试程序 892

12.3.1.2 局限性 894

12.3.2 电阻和连续性测试 894

12.3.3 电子束测试 895

12.3.3.1 测试程序 895

12.3.3.2 局限性 897

12.3.4 电子模块测试 898

12.3.4.1 测试程序 899

12.3.4.2 局限性 900

12.4 测试方法比较 900

12.5 接触和探针 901

12.6 开路和短路测试程序 906

12.7 基板测试的未来课题和挑战 912

12.8 功能测试 913

12.8.1 边界扫描测试 913

12.8.2 内建自测试 915

12.8.3 MCM的功能测试 916

12.8.4 结构型可测性方法 917

12.8.5 组装MCM的测试和诊断程序 917

12.8.5.1 完整性和一致性检查 917

12.8.5.2 基板测试 918

12.8.5.3 功能迅速测试 918

12.8.5.4 性能测试 918

12.8.5.5 参数测试 919

12.9 功能测试方面今后的课题和挑战 919

12.10 最近和将来的发展 919

12.10.1 基板测试 919

12.10.2 功能测试 921

12.11 参考文献 921

第13章 封装的密封和包封 926

13.1 引言 926

13.2 气密与非气密封装 928

13.2.1 气密封装 928

13.2.2 非气密封装 928

13.3 集成电路的失效机理 930

13.3.1 潮气的来源 932

13.4 封装的密封及包封 934

13.4.1 封装的密封及包封对材料的要求 934

13.5 气密封装的类型 936

13.5.1 金属封装 936

13.5.2 陶瓷封装 936

13.5.2.1 陶瓷双列直插封装 937

13.5.2.2 硬玻璃封装 938

13.5.2.3 其他陶瓷封装 939

13.6 密封的类型 940

13.6.1 熔融金属密封 940

13.6.1.1 锡焊 940

13.6.1.2 钎焊工艺 941

13.6.1.3 熔焊工艺 942

13.6.1.4 玻璃密封 944

13.6.1.5 玻璃密封法 946

13.6.2 垫片密封 948

13.7 气密封装试验 949

13.7.1 检漏 949

13.7.1.1 粗检漏 950

13.7.1.2 细检漏 950

13.7.2 水气的测量及监控 950

13.8 可靠性试验 953

13.8.1 85℃/85％rh与HAST的关系 953

13.9 密封及包封的最新进展 956

13.10 将来的发展 959

13.11 参考文献 959

第Ⅲ部分 子系统封装 965

第14章 封装与电路板的互连 965

14.1 引言 965

14.2 表面安装组件 967

14.2.1 SMT技术 967

14.2.2 热位移和疲劳特性 968

14.2.3 SMT焊点 976

14.3 焊料和焊料连接 980

14.3.1 焊料微观结构、变形和失效 980

14.4 窄节距技术 985

14.4.1 窄节距引脚器件 985

14.4.1.1 引线材料和引线涂层 987

14.4.1.2 引线共面性 987

14.4.1.3 引线尺寸 987

14.4.1.4 引线可焊性 987

14.4.1.5 支座高度 988

14.4.1.6 模压材料 988

14.4.1.7 FP器件的处理 988

14.5 焊膏及其涂覆 989

14.5.1 焊膏 989

14.5.1.1 表观检验 989

14.5.1.2 粘度 989

14.5.1.3 金属的百分比重量 990

14.5.1.4 坍塌试验 990

14.5.1.5 粘性试验 990

14.5.2 焊膏淀积（印刷） 990

14.5.2.1 丝网印刷或非接触印刷 990

14.5.2.2 模版印刷或接触印刷 990

14.5.2.3 杆式印刷 991

14.5.2.4 印刷机的要求 991

14.5.2.5 印刷工艺特点 992

14.5.3 组装、贴放、再流、返工和清洗 992

14.5.3.1 贴放 992

14.5.3.2 组装 994

14.5.3.3 再流 996

14.5.3.4 返工 997

14.5.3.5 清洗 998

14.6 窄节距的可靠性 999

14.6.1 电性能可靠性 1000

14.6.2 机械可靠性或焊点可靠性 1001

14.6.3 化学或潮湿引起的可靠性 1002

14.6.4 窄节距技术小结 1004

14.7 表面安装阵列 1004

14.7.1 焊球阵列连接和焊柱阵列 1004

14.7.1.1 陶瓷焊球阵列封装和陶瓷焊柱阵列封装 1005

14.7.1.1.1 CBGA/CCGA模块的组装 1007

14.7.1.1.2 芯片互连 1007

14.7.1.1.3 封装件的密封 1008

14.7.1.1.4 组件级老炼 1008

14.7.1.1.5 焊球和焊柱的装连 1008

14.7.1.1.6 CBGA和CCGA封装的电特性 1010

14.7.1.1.7 CBGA和CCGA封装的热特性 1011

14.7.1.1.8 CBGA-CCGA互连的可靠性 1012

14.7.1.2 载带焊球阵列封装 1015

14.7.1.3 塑料焊球阵列封装 1016

14.7.1.4 金属焊球阵列封装 1018

14.7.2 表面安装阵列对插板设计的影响 1019

14.7.3 BGA对第二级组装的影响 1019

14.7.4 表面安装阵列小结 1023

14.8 无铅焊料 1023

14.8.1 电子组装工序中的铅 1024

14.8.1.1 焊料及其性能 1024

14.8.1.2 无铅合金的生产过程 1025

14.8.1.3 大量生产考虑 1025

14.8.2 可利用的无铅焊料合金 1026

14.8.2.1 共晶Sn-Bi焊料 1027

14.8.2.2 含Ag和Bi的Sn-Zn焊料 1027

14.8.3 无铅焊料小结 1027

14.9 导电粘接剂 1028

14.9.1 各向同性导电粘接剂 1028

14.9.2 各向异性导电粘接剂 1031

14.9.3 本征导电聚合物 1034

14.9.4 导电粘接剂结论 1034

14.10 未来的发展 1034

14.11 参考文献 1034

第15章 印制线路板封装 1044

15.1 引言 1044

15.2 印制电路的结构与工艺 1048

15.2.1 基本的印制电路工艺 1048

15.2.2 插卡与面板 1051

15.2.3 电路板 1053

15.2.4 插卡与电路板的技术发展趋势 1054

15.2.5 芯片直接粘接的PCB载体 1056

15.2.6 PCB叠层板上的薄膜技术 1057

15.2.7 柔性电路 1059

15.2.8 模压电路板 1061

15.2.9 多引线互连 1065

15.3 互连技术需要考虑的问题 1066

15.3.1 一级封装接口 1066

15.3.2 信号结构 1067

15.3.3 电设计问题 1067

15.3.4 信号线的特性阻抗 1068

15.3.5 三根信号线中的匹配负载阻抗 1069

15.3.6 三根平行信号线的耦合噪声 1070

15.3.7 信号线的串联电阻 1071

15.3.8 镀涂通孔结构 1071

15.3.9 表面安装技术的设计因素 1073

15.3.10 内部镀涂通孔（可编程的通孔） 1074

15.3.11 DC电源 1074

15.3.12 电源去耦 1074

15.4 材料和工艺 1074

15.4.1 绝缘用的材料和工艺 1074

15.4.1.1 环氧-玻璃 1074

15.4.1.2 聚酰亚胺-玻璃电路板 1077

15.4.1.3 氰酸酯-玻璃电路板 1077

15.4.1.4 玻璃布 1077

15.4.1.5 玻璃丝 1078

15.4.1.6 玻璃织物 1078

15.4.1.7 耦联剂 1079

15.4.2 带状叠层板 1080

15.4.2.1 铜箔 1080

15.4.2.2 粘接剂 1081

15.4.3 浸渍和叠层的工艺技术 1082

15.4.3.1 树脂制造 1082

15.4.3.2 浸渍 1082

15.4.3.3 叠层 1082

15.4.4 制作多层板的新材料和工艺 1083

15.4.5 形成电路的材料与工艺 1084

15.4.5.1 光刻法 1084

15.4.5.2 液体光刻胶 1084

15.4.5.3 干膜光刻胶 1084

15.4.5.4 工艺顺序 1089

15.4.5.5 机械钻孔 1089

15.4.5.6 激光打孔 1092

15.4.5.7 光学制通孔 1093

15.4.5.8 铜的淀积 1094

15.5 可靠性与控制 1095

15.6 印制电路板的最新发展 1096

15.7 印制电路板的未来发展趋势 1100

15.8 致谢 1101

15.9 参考文献 1101

第16章 被覆金属封装 1110

16.1 引言 1110

16.2 一般性原理 1111

16.2.1 作为构件和热沉的被覆金属基板 1111

16.2.2 涂覆金属芯的接地板和屏蔽 1112

16.2.3 引线交叉结构与通孔 1112

16.2.4 可靠性因素 1112

16.3 金属与绝缘基板 1115

16.3.1 整体大面积工艺 1115

16.3.2 金属和其他基板 1115

16.3.3 碳素钢 1116

16.3.4 铝 1117

16.3.5 铜-殷钢-铜复合层 1120

16.3.6 不锈钢 1122

16.3.7 铜-钼-铜 1122

16.3.8 石墨芯复合层 1124

16.3.9 可伐合金及其他 1124

16.3.10 Cuvar和Silvar 1125

16.4 绝缘体 1125

16.4.1 瓷釉 1125

16.4.2 环氧树脂和聚酰亚胺 1126

16.5 金属化工艺 1128

16.5.1 多层LTCC-M的金属化 1128

16.5.2 全加法镀工艺 1128

16.5.3 光选择性铜还原工艺 1128

16.5.4 光电全加法镀工艺 1128

16.5.5 减法工艺 1129

16.6 基板制作和装配工艺 1129

16.6.1 被覆金属基板的焊接 1129

16.6.2 膜的粘接 1130

16.6.2.1 膜与基板的粘接 1130

16.6.2.2 瓷釉和玻璃-陶瓷涂覆 1130

16.6.2.3 厚膜与基板的粘接 1130

16.6.2.4 掩蔽膜与基板的粘接 1131

16.6.3 保护膜 1131

16.6.4 涂覆保护膜之前基板的准备工作 1131

16.7 各种涂覆的特性 1132

16.7.1 电性能 1132

16.7.2 热性能 1133

16.7.3 增强载流能力 1135

16.7.4 阻燃性 1136

16.8 设计规则 1136

16.9 新的机遇 1136

16.10 致谢 1138

16.11 参考文献 1138

第17章 连接器和电缆封装 1141

17.1 引言 1141

17.2 连接器的种类 1142

17.2.1 芯片与元器件的互连 1145

17.2.2 元器件与印制电路板的互连 1145

17.2.3 印制电路板间的互连 1146

17.2.4 两个部件间的互连 1146

17.2.5 实际分离系统间的互连 1147

17.2.6 测试及老炼用连接器的互连 1147

17.3 连接器的要求 1149

17.3.1 概述 1150

17.3.2 电气特性 1151

17.3.2.1 电阻 1151

17.3.2.2 法向力 1152

17.3.2.3 电流强度 1152

17.3.2.4 绝缘电阻 1152

17.3.2.5 接触程序（热插） 1152

17.3.2.6 噪声 1154

17.3.2.7 延迟 1154

17.3.2.8 连接数目 1154

17.3.2.9 电气长度 1155

17.3.2.10 上升时间和带宽 1155

17.3.2.11 特性阻抗 1155

17.3.2.12 反射 1156

17.3.2.12.1 电压驻波比 1156

17.3.2.12.2 不连续性 1156

17.3.2.13 串扰 1156

17.3.2.14 传输延迟 1157

17.3.2.15 电磁建模 1157

17.3.3 材料特性 1158

17.3.3.1 界面金相 1158

17.3.3.2 接触导电性 1158

17.3.3.3 整体导体／簧片 1158

17.3.3.4 接触-界面材料 1158

17.3.3.5 润滑剂 1161

17.3.3.6 其他材料 1161

17.3.4 机械性能 1162

17.3.4.1 插拔力 1162

17.3.4.2 密度 1162

17.3.4.3 配接（拓扑结构） 1163

17.3.4.4 对准 1165

17.3.4.5 驱动 1166

17.3.4.6 触点的几何特征 1167

17.3.4.7 保持力 1168

17.3.4.8 擦拭接触 1168

17.3.4.9 模块化 1169

17.4 MCM二级互连的方法 1169

17.4.1 焊接 1170

17.4.2 板上芯片 1170

17.4.3 可拆卸式连接 1171

17.4.4 采用插座插装方法的成本 1171

17.4.5 MCM用的插座 1172

17.4.6 四边引出插座与面阵插座比较 1172

17.4.7 无引线MCM基板用的插座 1172

17.4.7.1 四边引出和面阵列MCM用的插口和接触插座 1172

17.4.7.2 四边引出和面阵列MCM用的微插口触点插座 1173

17.4.7.3 面阵列MCM用的AMPFLAT触点插座 1174

17.4.7.4 四边引出MCM用的SIMM插座 1176

17.4.7.5 四边引出MCM用的LMMC插座 1176

17.4.8 四边引出MCM用的四边引线扁平封装（QFP）插座 1177

17.4.9 插脚面阵列MCM用的PGA插座 1177

17.4.10 窄节距连接器 1179

17.4.11 结论与建议 1180

17.5 光纤连接器 1180

17.6 连接器可靠性 1181

17.6.1 概述 1181

17.6.2 接触可靠性：力和摩擦接触 1181

17.7 连接器标准机构 1182

17.7.1 IEEE计算机协会封装委员会 1182

17.7.2 电子工业协会（EIA） 1182

17.7.2.1 EIA JEDEC.11委员会（JC 11） 1182

17.7.2.2 EIA有关插座的委员会（CE-3.0） 1183

17.7.3 电子电路互连和封装协会（IPC） 1183

17.8 电缆 1183

17.8.1 引言 1183

17.8.2 电缆分类 1184

17.8.2.1 连接器明线 1184

17.8.2.2 闭合线 1186

17.9 电缆信号理论 1187

17.9.1 基本电缆参数 1189

17.9.1.1 特性阻抗 1189

17.9.1.2 反射系数 1191

17.9.1.3 电缆传输速度 1192

17.9.1.4 电缆用的介质材料 1194

17.9.1.5 衰减 1194

17.9.1.6 信号线的直流（DC）电阻 1197

17.9.1.7 耦合噪声 1197

17.9.1.8 横电磁波（TEM）模的截止频率 1197

17.9.1.9 电磁兼容、电磁干扰 1197

17.9.2 高端和低端应用；短线和长线的概念 1199

17.10 未来的连接器和电缆 1202

17.10.1 未来的连接器 1202

17.10.1.1 驱动力 1202

17.10.1.2 片式载体连接器 1203

17.10.1.3 电路插板连接器 1203

17.10.1.4 信号和电源连接器 1204

17.10.2 未来的电缆 1205

17.10.2.1 高精度、高速度电缆 1205

17.10.2.2 低噪声差分电缆 1205

17.10.2.3 红外线（IR）无线电传送 1205

17.10.2.4 光缆 1205

17.10.2.5 印制电路板电缆代替物 1205

17.10 参考文献 1206

第18章 光电子器件与电子器件的封装 1209

18.1 引言 1209

18.2 光电子器件和互连介质 1215

18.2.1 光电子器件 1215

18.2.1.1 发射器 1216

18.2.1.2 探测器 1217

18.2.1.3 调制器和放大器 1219

18.2.2 光互连媒介 1220

18.2.2.1 自由空间传输 1220

18.2.2.2 光纤 1221

18.2.2.3 光波导 1222

18.2.2.4 光信号路由元件 1223

18.2.2.5 光互连系统 1224

18.3 电子电路与光电子电路的集成一体化技术 1225

18.3.1 单片光电集成技术 1226

18.3.1.1 光电接收器 1226

18.3.1.2 光电发射器 1227

18.3.2 混合集成技术 1228

18.3.2.1 凸点键合OEIC 1228

18.3.2.2 薄膜键合OEIC 1228

18.4 光电子器件与电子电路集成的系统应用 1233

18.4.1 三维光电互连 1233

18.4.2 两层智能相机 1235

18.5 参考文献 1236

术语及符号注释 1239