图书介绍

半导体物理与器件 第3版pdf电子书版本下载

半导体物理与器件  第3版
  • (美)Donald A.Neamen著;赵毅强,姚素英,解晓东等译 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:7121008637
  • 出版时间:2005
  • 标注页数:524页
  • 文件大小:56MB
  • 文件页数:543页
  • 主题词:半导体物理-教材;半导体器件-教材

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图书目录

绪论 半导体和集成电路 1

历史 1

集成电路(IC) 1

制造 2

参考文献 4

第1章 固体晶格结构 5

1.1 半导体材料 5

1.2 固体类型 5

1.3 空间晶格 6

1.4 原子价键 11

1.5 固体中的缺陷和杂质 13

1.6 半导体材料的生长 14

1.7 小结 16

重要术语解释 17

知识点 17

复习题 17

习题 18

参考文献 19

第2章 量子力学初步 20

2.1 量子力学的基本原理 20

2.2 薛定谔波动方程 24

2.3 薛定谔波动方程的应用 26

2.4 原子波动理论的延伸 34

2.5 小结 38

重要术语解释 38

知识点 38

复习题 38

习题 39

参考文献 41

第3章 固体量子理论初步 42

3.1 允带与禁带 42

3.2 固体中电的传导 51

3.3 三维扩展 59

3.4 状态密度函数 60

3.5 统计力学 64

3.6 小结 69

重要术语解释 70

知识点 70

复习题 71

习题 71

参考文献 74

第4章 平衡半导体 75

4.1 半导体中的载流子 75

4.2 掺杂原子与能级 83

4.3 非本征半导体 87

4.4 施主和受主的统计学分布 93

4.5 电中性状态 96

4.6 费米能级的位置 100

4.7 小结 104

重要术语解释 105

知识点 105

复习题 106

习题 106

参考文献 109

第5章 载流子输运现象 111

5.1 载流子的漂移运动 111

5.2 载流子扩散 122

5.3 杂质梯度分布 125

5.4 霍尔效应 127

5.5 小结 129

重要术语解释 130

知识点 130

复习题 130

习题 131

参考文献 135

第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 136

6.1 载流子的产生与复合 136

6.2 过剩载流子的性质 139

6.3 双极输运 142

6.4 准费米能级 154

6.5 过剩载流子的寿命 156

6.6 表面效应 160

6.7 小结 163

重要术语解释 163

知识点 163

复习题 164

习题 164

参考文献 168

第7章 pn结 170

7.1 pn结的基本结构 170

7.2 零偏 171

7.3 反偏 177

7.4 非均匀掺杂pn结 182

7.5 小结 186

重要术语解释 186

知识点 187

复习题 187

习题 187

参考文献 191

第8章 pn结二极管 192

8.1 pn结电流 192

8.2 pn结的小信号模型 204

8.3 产生-复合电流 212

8.4 结击穿 218

8.5 电荷存储与二极管瞬态 221

8.6 隧道二极管 223

8.7 小结 225

重要术语解释 226

知识点 226

复习题 226

习题 227

参考文献 231

第9章 金属半导体和半导体异质结 232

9.1 肖特基势垒二极管 232

9.2 金属-半导体的欧姆接触 244

9.3 异质结 247

9.4 小结 255

重要术语解释 255

知识点 255

复习题 256

习题 256

参考文献 259

第10章 双极晶体管 260

10.1 双极晶体管的工作原理 260

10.2 少子的分布 267

10.3 低频共基极电流增益 272

10.4 非理想效应 281

10.5 等效电路模型 292

10.6 频率上限 298

10.7 大信号开关 302

10.8 其他的双极晶体管结构 304

10.9 小结 308

重要术语解释 308

知识点 309

复习题 309

习题 310

参考文献 316

第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 317

11.1 双端MOS结构 317

11.2 电容-电压特性 333

11.3 MOSFET基本工作原理 339

11.4 频率限制特性 352

11.5 CMOS技术 355

11.6 小结 357

重要术语解释 358

知识点 358

复习题 359

习题 359

参考文献 365

第12章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管:概念的深入 366

12.1 非理想效应 366

12.2 MOSFET按比例缩小理论 373

12.3 阈值电压的修正 375

12.4 附加电学特性 380

12.5 辐射和热电子效应 387

12.6 小结 391

重要术语解释 392

知识点 392

复习题 392

习题 393

参考文献 397

第13章 结型场效应晶体管 399

13.1 JFET概念 399

13.2 器件的特性 403

13.3 非理想因素 414

13.4 等效电路和频率限制 418

13.5 高电子迁移率晶体管 420

13.6 小结 425

重要术语解释 426

知识点 426

复习题 426

习题 427

参考文献 430

第14章 光器件 432

14.1 光学吸收 432

14.2 太阳能电池 436

14.3 光电探测器 442

14.4 光致发光和电致发光 449

14.5 光电二极管 452

14.6 激光二极管 456

14.7 小结 461

重要术语解释 461

知识点 462

复习题 462

习题 462

参考文献 465

第15章 半导体功率器件 466

15.1 功率双极晶体管 466

15.2 功率MOSFET 471

15.3 散热片和结温 477

15.4 半导体闸流管 479

15.5 小结 487

重要术语解释 487

知识点 488

复习题 488

习题 488

参考文献 490

附录A 部分参数符号列表 491

附录B 单位制、单位换算和通用常数 497

附录C 元素周期表 500

附录D 误差函数 501

附录E 薛定谔波动方程的推导 502

附录F 能量单位——电子伏特 503

附录G 部分习题参考答案 505

索引 511

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