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CONTENTS 1

实验一四探针法测量电阻率 1

目 1

实验二扩展电阻法测量硅片微区电阻率变化及其深度分布 17

实验三范德堡－霍耳效应实验 25

实验四硅单晶杂质补偿度的测量 39

实验十四 透射电子显微术 1 43

实验五MOS电容－电压特性测量 48

实验六用准静态技术测量硅－二氧化硅界面态密度分布 56

实验七深能级瞬态谱法（DLTS）测定硅中深能级中心 66

实验八砷化镓的光致发光（PL）谱 75

实验九激光测定硅单晶晶轴 86

实验十椭偏法测量薄膜折射率及厚度 93

实验十一扫描电子显微镜 104

实验十二半导体集成电路的解剖分析 121

实验十三扫描电镜X射线能谱分析 130

实验十五傅里叶变换红外光谱法（FTIR）测定硅中杂质氧的含量 146

实验十六原子吸收光谱分析 152

实验十七X射线光电子能谱分析 167

实验十八低压化学气相淀积多晶硅 177

实验十九用SiH4-NH3淀积氮化硅 186

实验二十等离子增强化学气相淀积氧化硅 190

实验二十一金属有机化学气相淀积（MOCVD）钛酸铅 195

实验二十二多孔硅材料的制备 204

实验二十三通用有限元软件ANSYS推焊球应力分析 210

实验二十四集成电路CAD基础 217