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第1章 绪论 1

1.1 薄膜晶体管发展简史 1

1.2 薄膜晶体管的技术分类及比较 4

1.3 薄膜晶体管的应用简介 4

1.4 本书的主要内容及架构 5

习题 5

参考文献 5

第2章 平板显示的有源矩阵驱动 7

2.1 平板显示简介 7

2.1.1 显示技术的分类及特性指标 7

2.1.2 平板显示的定义和分类 12

2.1.3 液晶显示器件的基本原理 12

2.1.4 有机发光二极管显示的基本原理 15

2.2 液晶显示的有源矩阵驱动 17

2.2.1 液晶显示的静态驱动和无源矩阵驱动简介 19

2.2.2 AMLCD像素电路的充放电原理 21

2.2.3 AMLCD像素阵列的相关原理 30

2.2.4 液晶显示有源矩阵驱动的特殊方法 36

2.2.5 液晶显示有源矩阵驱动的技术要求 41

2.3 有机发光二极管显示的有源矩阵驱动 42

2.3.1 有机发光二极管显示的无源矩阵驱动简介 43

2.3.2 有机发光二极管显示的有源矩阵驱动基本原理 44

2.3.3 有机发光二极管有源矩阵驱动的技术要求 46

2.4 本章小结 47

习题 47

参考文献 48

第3章 薄膜晶体管材料物理 49

3.1 非晶硅材料物理 49

3.1.1 非晶体简介 49

3.1.2 非晶硅材料结构 52

3.1.3 非晶硅电学特性 58

3.2 多晶硅材料物理 61

3.2.1 多晶体简介 61

3.2.2 多晶硅材料结构 63

3.2.3 多晶硅电学特性 66

3.3 薄膜晶体管绝缘层材料 70

3.3.1 绝缘层介电特性 70

3.3.2 绝缘层漏电特性 72

3.3.3 氮化硅薄膜 73

3.3.4 氧化硅薄膜 73

3.4 薄膜晶体管电极材料 74

3.4.1 导电材料简介 74

3.4.2 TFT用铝合金薄膜 75

3.4.3 ITO 76

3.5 平板显示用玻璃基板简介 77

3.6 本章小结 78

习题 78

参考文献 79

第4章 薄膜晶体管器件物理 81

4.1 薄膜晶体管的器件结构 81

4.1.1 薄膜晶体管的器件结构分类 81

4.1.2 非晶硅薄膜晶体管器件结构的选择 82

4.1.3 多晶硅薄膜晶体管器件结构的选择 83

4.2 薄膜晶体管器件的操作特性及理论模型 84

4.2.1 薄膜晶体管的操作特性 84

4.2.2 薄膜晶体管的简单物理模型 91

4.2.3 薄膜晶体管的精确物理模型 95

4.2.4 薄膜晶体管的特性参数及提取方法 100

4.2.5 薄膜晶体管操作特性的影响因素分析 107

4.3 薄膜晶体管的稳定特性 109

4.3.1 非晶硅薄膜晶体管的电压偏置稳定特性 109

4.3.2 多晶硅薄膜晶体管的电压偏置稳定特性 111

4.3.3 薄膜晶体管的环境效应 113

4.4 本章小结 114

习题 114

参考文献 116

第5章 薄膜晶体管单项制备工艺 117

5.1 成膜工艺 118

5.1.1 磁控溅射 119

5.1.2 等离子体化学气相沉积 123

5.2 薄膜改性技术 128

5.2.1 激光结晶化退火 128

5.2.2 离子注入 134

5.3 光刻工艺 139

5.3.1 曝光工艺 140

5.3.2 光刻胶涂覆与显影工艺 144

5.4 刻蚀工艺 148

5.4.1 湿法刻蚀 149

5.4.2 干法刻蚀 153

5.5 其他工艺 157

5.5.1 洗净 157

5.5.2 光刻胶剥离 159

5.5.3 器件退火 160

5.6 工艺检查 161

5.6.1 自动光学检查 162

5.6.2 断／短路检查 163

5.6.3 阵列测试 164

5.6.4 TEG测试 164

5.7 本章小结 165

习题 165

参考文献 166

第6章 薄膜晶体管阵列制备工艺整合 168

6.1 AMLCD制备工艺概述 169

6.1.1 阵列工程 170

6.1.2 彩膜工程 170

6.1.3 成盒工程 172

6.1.4 模组工程 173

6.2 非晶硅薄膜晶体管阵列基板制备工艺流程 174

6.2.1 5MASK a-Si TFT工艺流程 176

6.2.2 4MASK a-Si TFT工艺流程 189

6.3 AMOLED制备工艺概述 193

6.3.1 阵列工程 194

6.3.2 OLED工程 195

6.3.3 成盒工程／模组工程 196

6.4 多晶硅薄膜晶体管阵列基板制备工艺流程 197

6.4.1 6MASK p-Si TFT工艺流程 197

6.4.2 10MASK p-Si TFT工艺流程 202

6.5 阵列检查与修补 203

6.6 本章小结 205

习题 206

参考文献 207

第7章 总结与展望 208

7.1 全书内容总结 208

7.2 薄膜晶体管技术发展展望 209

参考文献 211

附录A 物理常数表 213

附录B 单位前缀一览表 214

附录C 单晶硅材料特性参数一览表 215

附录D 氮化硅与氧化硅材料特性参数一览表 216

附录E 10MASK p-Si TFT制备工艺流程一览 217