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目录 1

第一章　半导体的晶体结构 1

§1-1　锗、硅的晶体结构 1

§1-2　晶向和晶面 5

§1-3　锗、硅晶体的各向异性 11

§1-4　锗、硅晶体的原子堆积模型 17

§1-5　砷化镓的晶体结构 20

第二章　半导体中的杂质和缺陷 24

§2-1　点缺陷 24

§2-2　位错 31

§2-3　层错 56

§2-4　微缺陷 64

§2-5　半导体中的杂质 75

§2-6　半导体中缺陷的检测和晶体定向 88

§2-7　超微量杂质的检测 103

第三章　相图概念 116

§3-1　什么是相图 116

§3-2　两相平衡共存时的准静态相变 118

§3-3　形成有限固溶体的相图 120

§3-4　形成化合物的相图 123

§3-5　固溶度和分凝系数 128

§3-6　相图在半导体工艺中的应用 131

第四章　扩散 135

§4-1　半导体中杂质原子扩散的微观机构 136

§4-2　半导体中杂质原子扩散的浓度分布 142

§4-3　扩散工艺参量与扩散工艺条件 151

§4-4　主要扩散方法 161

§4-5　金扩散技术概要 171

§4-6　其它某些问题 176

§4-7　高温氧化过程中杂质的再分布 181

§4-8　结深和方块电阻的测量 187

附录Ⅰ 扩散方程的求解 201

附录Ⅱ 参考图线 205

附录Ⅲ 离子注入技术简介 210

第五章　氧化技术原理 220

§5-1　二氧化硅玻璃的结构和某些性质 221

§5-2　二氧化硅玻璃中的杂质 224

§5-3　杂质在SiO2玻璃层中的扩散 228

§5-4　高温氧化 233

§5-5　热分解淀积二氧化硅 247

§5-6　SiO2层厚度的测量 249

附录　硅中的氧化层错 253